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적층 트랜지스터를 사용하는 RF 전력 증폭기에 있어서,입력단 및 출력단,n개의 직렬 연결된 트랜지스터 - k(2≤k≤n-1인)에 대하여, 상기 n개의 트랜지스터 중 제k 트랜지스터의 소스는 제k-1 트랜지스터의 드레인과 연결되어 있고, 제k 트랜지스터의 드레인은 제k+1 트랜지스터의 소스와 연결되어 있으며, 제1 트랜지스터의 소스는 접지되어 있고, 제n 트랜지스터의 드레인은 상기 출력단과 연결되어 있음 - , 및상기 제1 내지 제n 트랜지스터의 게이트에 전압을 공급하는 전압원을 포함하되, 상기 n 개의 트랜지스터 각각의 게이트는 직렬 연결된 이웃하는 트랜지스터의 게이트와 각각 소정의 저항 성분을 거쳐 연결되고, 상기 제n 트랜지스터의 게이트는 다이오드를 거쳐 상기 전압원에 연결되어 있고, 상기 제1 트랜지스터의 게이트에는 상기 입력단이 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 RF 전력 증폭기
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제1항에 있어서, 상기 전압원에 상기 다이오드의 애노드가 연결되고 상기 제n 트랜지스터의 게이트에 상기 다이오드의 캐소드가 연결된 것을 특징으로 하는 RF전력 증폭기
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제1항에 있어서,상기 제1 내지 제n 트랜지스터 중 제2 내지 제n 트랜지스터의 게이트는 각각 소정의 캐패시터를 통해 접지되는 것을 특징으로 하는 RF전력 증폭기
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제3항에 있어서,상기 n개의 트랜지스터 각각이 최대 전압스윙을 가지도록 상기 n개의 트랜지스터 각각의 부하임피던스를 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 RF 전력 증폭기
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제4항에 있어서,상기 부하임피던스의 조절은 상기 소정의 캐패시터에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 RF 전력 증폭기
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제1항에 있어서,2≤k≤n 인 k에 대하여 상기 제k 트랜지스터의 게이트에 연결된 캐패시터의 캐패시턴스를 Ck, 상기 트랜지스터의 게이트-소스 캐패시턴스를 Cgs, 상기 트랜지스터의 트랜스컨덕턴스를 gm, 상기 트랜지스터의 최대 드레인 전압스윙 대 전류스윙의 비를 Ropt라 할 때, Ck=Cgs/(gm(k-1)Ropt-1)인 것을 특징으로 하는 RF 전력 증폭기
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제1항에 있어서,상기 전력증폭기가 동작할 때, 상기 입력단으로 입력되는 입력 전력이 증가하더라도 상기 n개의 트랜지스터 각각의 드레인 전압은 균일하게 유지되는 것을 특징으로 하는 RF 전력 증폭기
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제1항에 있어서,상기 제1 트랜지스터의 게이트는 소정의 저항 성분을 거쳐 접지되어 있는 것을 특징으로 하는 RF 전력 증폭기
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