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중성표면을 형성하기 위한 랜덤 공중합체 및 그 제조 및 사용 방법들

  • 기술번호 : KST2015187868
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 중성표면을 형성하기 위한 랜덤 공중합체 및 그 제조 및 사용 방법들에 관한 것이다. 상기 랜덤 공중합체(random copolymer)는 아래 화학식 1의 구조를 갖는 것을 특징으로 한다. [화학식 1]여기서, R은 포스포닉 산(phosphonic acid)이고, Me는 메틸기(methyl group)이고, x는 스티렌의 개수이고, y는 메틸메타크릴레이트의 개수이다.
Int. CL C08F 220/10 (2006.01) C08F 226/06 (2006.01) C08F 212/08 (2006.01) C08F 212/12 (2006.01)
CPC C08F 212/08(2013.01) C08F 212/08(2013.01) C08F 212/08(2013.01) C08F 212/08(2013.01) C08F 212/08(2013.01) C08F 212/08(2013.01) C08F 212/08(2013.01)
출원번호/일자 1020110040942 (2011.04.29)
출원인 삼성디스플레이 주식회사, 서강대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0122655 (2012.11.07) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.03.17)
심사청구항수 31

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 서강대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강민혁 대한민국 서울특별시 강남구
2 이수미 대한민국 경기도 화성시
3 곽은애 대한민국 경기도 군포시 용호*로**번길 **, *
4 이문규 대한민국 경기도 수원시 영통구
5 문봉진 대한민국 경기도 고양시 일산동구
6 김석호 대한민국 서울특별시 마포구
7 김주희 대한민국 경기도 군포시
8 주원태 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이건주 대한민국 서울 종로구 명륜동*가 ***-* 미화빌딩 이건주특허법률사무소

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 경기 용인시 기흥구
2 서강대학교산학협력단 서울특별시 마포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0321420-20
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2013.01.03 수리 (Accepted) 1-1-2013-0007717-77
4 [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)		 2013.01.14 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2013-0034323-14
5 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2013.01.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0005147-09
6 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2013.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2013-0042322-12
7 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2013.02.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0019318-82
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2015-5104722-59
9 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2016.03.17 수리 (Accepted) 1-1-2016-0256283-30
10 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.09.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
11 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.11.10 수리 (Accepted) 9-1-2016-0046056-11
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.11 수리 (Accepted) 4-1-2017-5005781-67
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.06.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0388336-50
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2017-0720899-96
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.07.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0720898-40
16 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2017.12.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0840432-16
17 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.01.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0106879-82
18 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2018-0106878-36
19 등록결정서
Decision to grant		 2018.05.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0353161-93
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5014626-89
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5016605-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1의 구조를 갖는 랜덤 공중합체(random copolymer):[화학식 1] 여기서, R은 포스포닉 산(phosphonic acid)이고, Me는 메틸기(methyl group)이고, x는 스티렌의 개수이고, y는 메틸메타크릴레이트의 개수이며,1003c#x,y≤100이다
2 2
제1항에 있어서,수평균분자량(Mn)이 5000 내지 20,000인 랜덤 공중합체(random copolymer)
3 3
제1항에 있어서,중량평균분자량(Mw)이 5000 내지 20,000인 랜덤 공중합체(random copolymer)
4 4
제1항에 있어서,다분산지수(PDI, polydispersity index)이 1
5 5
제1항에 있어서,x와 y의 개수비는 40 내지 60 대 60 내지 40인 랜덤 공중합체(random copolymer)
6 6
포스포닉 산(phosphonic acid)을 2-(트리메틸실릴)에탄올과 반응시켜 포스포닉 산의 전구체(precusor)를 제조하는 단계;니트록시드 매개 라디칼 중합(NMRP, nitroxide-mediated radical polymerization)을 위하여 4-비닐벤질클로라인드(4-vinylbenzyl chloride), 2,2,6,6-테트라메틸피페리디닐옥시 (2,2,6,6-tetramethylpiperidinyloxy, TEMPO) 및 다이-터셔리-뷰틸 퍼옥사이드 (di-tert-butylperoxide)를 반응시켜 제1 니트록시드(nitroxide) 개시제(initiator)를 제조하는 단계;상기 포스포닉 산(phosphonic acid)의 전구체(precusor)를 상기 제1 니트록시드 개시제와 반응시켜 제2니트록시드(nitroxide) 개시제(initiator)를 제조하는 단계;상기 제2 니트록시드 개시제를 스티렌(styrene) 및 메틸 메타크릴레이트(methyl methacrylate)와 반응시켜 포스포닉 산 폴리스티렌-폴리메틸메타크릴레이트 랜덤 공중합체(phosphonic acid polystyrene(PS)-polymethylmethacrylate(PMMA) random copolymer)의 전구체(precusor)를 제조하는 단계; 및상기 포스포닉 산 폴리스티렌-폴리메틸메타크릴레이트 랜덤 공중합체의 전구체를 디클로로메탄(dichloromethane, DCM)에 용해시켜 포스포닉 산 폴리스티렌-폴리메틸메타크릴레이트 랜덤 공중합체(phosphonic acid polystyrene(PS)-polymethylmethacrylate(PMMA) random copolymer)를 제조하는 단계;를 포함함을 특징으로 하는 랜덤 공중합체(random copolymer)의 제조방법
7 7
제6항에 있어서,상기 제2 니트록시드(nitroxide) 개시제(initiator)는 상기 포스포닉 산(phosphonic acid)의 전구체(precusor)와 상기 제1 니트록시드(nitroxide) 개시제(initiator)에 의해 합성되는 것을 특징으로 하는 랜덤 공중합체(random copolymer)의 제조방법
8 8
제7항에 있어서,상기 포스포닉 산(phosphonic acid)의 전구체(precusor)는 비스[2-(트리메틸시릴)에틸]포스포네이트(Bis[2-(trimethylsilyl)ethyl] phosphonate)인 것을 특징으로 하는 랜덤 공중합체(random copolymer)의 제조방법
9 9
제8항에 있어서,2-(트리메틸실릴) 에탄올(2-(trimethylsilyl) ethanol) 및 삼염화인(PCl3)에 의해 상기 비스[2-(트리메틸시릴)에틸]포스포네이트(Bis[2-(trimethylsilyl)ethyl] phosphonate)가 제조되는 것을 특징으로 하는 랜덤 공중합체(random copolymer)의 제조방법
10 10
제7항에 있어서,상기 제1 니트록시드(nitroxide) 개시제(initiator)는 1-[1-(4-클로로메틸페닐)에톡시]-2,2,6,6-테트라메틸-피페리딘(1-[1-(4-Chloromethylphenyl)ethoxy]-2,2,6,6-tetramethyl-piperidine)인 것을 특징으로 하는 랜덤 공중합체(random copolymer)의 제조방법
11 11
제10항에 있어서,4-비닐벤질클로라인드(4-vinylbenzyl chloride), 2,2,6,6-테트라메틸피페리디닐옥시 (2,2,6,6-tetramethylpiperidinyloxy, TEMPO) 및 다이-터셔리-뷰틸 퍼옥사이드 (di-tert-butylperoxide)에 의해 상기 1-[1-(4-클로로메틸페닐)에톡시]-2,2,6,6-테트라메틸-피페리딘(1-[1-(4-Chloromethylphenyl)ethoxy]-2,2,6,6-tetramethyl-piperidine)가 제조되는 것을 특징으로 하는 랜덤 공중합체(random copolymer)의 제조방법
12 12
제7항에 있어서,상기 제2니트록시드(nitroxide) 개시제(initiator)는 {4-[1-(2,2,6,6-테트라메틸-피페리딘-1-일옥시)-에틸]-벤질}-포스포닉 산 비스-(2-트라이메틸실릴에틸)에스터 ({4-[1-(2,2,6,6-Tetramethyl-piperidin-1-yloxy)-ethyl]-benzyl}-phosphonic acid bis-(2-trimethylsilylethyl) ester)인 것을 특징으로 하는 랜덤 공중합체(random copolymer)의 제조방법
13 13
삭제
14 14
제7항에 있어서,상기 포스포닉 산 폴리스티렌-폴리메틸메타크릴레이트 랜덤 공중합체(phosphonic acid polystyrene(PS)-polymethylmethacrylate(PMMA) random copolymer)의 전구체(precusor)는 비스-(2-트리메틸실릴에틸) 포스포네이트 폴리스티렌-폴리메틸메타크릴레이트 랜덤 공중합체(Bis[2-(trimethylsilyl)ethyl] phosphonate polystyrene(PS)-polymethylmethacrylate(PMMA) random copolymer)인 것을 특징으로 하는 랜덤 공중합체(random copolymer)의 제조방법
15 15
삭제
16 16
삭제
17 17
기판 위에 형성된 금속층을 형성하는 단계,상기 금속층 위에 하기 화학식 2의 구조를 갖는 랜덤 공중체(random copolymer)를 형성하는 단계, 상기 랜덤 공중체(random copolymer)가 중성층으로 형성되는 단계,상기 중성층 위에 제1 고분자 블록및 제2 고분자 블록을 포함하는 제1 블록 공중합체를 형성하는 단계, 상기 제1 블록들로 형성된 제1 나노 블록들과 상기 제2 블록들로 형성된 제2 나노 블록들로 정렬된 제1 나노구조체를 형성하는 단계, 및상기 금속층이 상기 제1 나노 블록들 또는 상기 제2 나노 블록들과 동일한 모양으로 패턴되는 단계를 포함한 나노 패턴 기판의 제조방법
18 18
제17항에 있어서,x와 y의 개수비는 40 내지 60 대 60 내지 40인 것을 특징으로 하는 나노구조체의 제조방법
19 19
제17항에 있어서,상기 금속층 위에 절연층을 형성하는 단계, 및 상기 중성층 위에 격벽부 패턴들이 형성되는 단계를 포함한 나노 패턴 기판의 제조방법
20 20
제19항에 있어서,수직 라멜라 형태로 정렬된 상기 제1 나노구조체는 상기 격벽부 패턴들 사이에 형성되는 것을 특징으로하는 나노 패턴 기판의 제조방법
21 21
제20항에 있어서,상기 제1 나노 블록들 또는 상기 제2 나노 블록들을 식각하는 제1 식각공정에 의해 형성된 제1 나노 블록 패턴 또는 제2 나노 블록 패턴과 동일한 패턴을 갖는 제1 중성층 패턴을 형성하는 단계를 포함한 나노 패턴 기판의 제조 방법
22 22
제21항에 있어서,상기 격벽부 패턴들과 상기 제1 나노 구조체을 제거하고, 상기 제1 중성층 패턴의 표면을 노출하는 단계를 포함한 나노 패턴 기판의 제조 방법
23 23
제22항에 있어서,상기 노출된 제1 중성층 패턴 및 상기 절연층 위에 제3 블록 및 제4 블록을 포함하는 제2 블록 공중합체를 형성하는 단계를 포함한 나노 패턴 기판의 제조 방법
24 24
제23항에 있어서,상기 제3 블록들로 형성된 제3 나노 블록들과 상기 제4 블록들로 형성된 제4 나노 블록들로 정렬된 제2 나노구조체를 형성하는 단계를 포함한 나노 패턴 기판의 제조 방법
25 25
제24항에 있어서,상기 제3 블록들은 한 개이상의 상기 제1 나노 블록들이 형성된 위치에 형성된 것을 특징으로 한 나노 패턴 기판의 제조 방법
26 26
제25항에 있어서,상기 제3 나노 블록들 또는 상기 제4 나노 블록들을 식각하는 제2 식각공정에 의해 형성된 제3 나노 블록 패턴 또는 제4 나노 블록 패턴과 동일한 제2 중성층 패턴을 형성하는 단계를 포함한 나노 패턴 기판의 제조 방법
27 27
제26항에 있어서,상기 제2 중성층 패턴과 동일한 패턴을 갖는 상기 절연층에 절연층 패턴을 형성하는 단계를 포함한 나노 패턴 기판의 제조 방법
28 28
제27항에 있어서,상기 절연층 패턴과 동일한 패턴을 갖는 상기 금속층에 금속 패턴을 형성하는 단계를 포함한 나노 패턴 기판의 제조 방법
29 29
기판 상에 중성층으로 하기 화학식 3의 구조를 갖는 랜덤 공중합체(random copolymer)를 사용하는 방법에 있어서,상기 랜덤 공중합체(random copolymer)를 용매로 용해하는 과정;상기 용해된 랜덤 공중합체(random copolymer) 용액을 상기 기판 상에 코팅하는 과정; 및상기 코팅된 랜덤 공중합체(random copolymer) 표면을 중성화하기 위해 어닐링(annealing)하는 과정을 포함함을 특징으로 하는 상기 사용 방법
30 30
제29항에 있어서,상기 용매는 프로피렌 글리콜 메틸에테르 아세테이트(Propylene Glycol Methyl Ether Acetate, PGMEA), 테트라히드로푸란(tetrahydrofuran, THF), 디클로로메탄(Dichloromethane, CH2Cl2), 아세톤(acetone), 톨루엔(Toluene), 벤젠 (benzene), 자일렌(xylene), PGMEA(Propylene Glycol Mnomethyl Ether Acetate), 디메칠설폭사이드(dimethyl sulfoxide, DMSO), 다이메틸폼아마이드(dimethylformamide, DMF), 아니솔(anisole) 및 이들의 혼합물들 중 선택된 하나임을 특징으로 하는 상기 사용방법
31 31
제30항에 있어서,상기 랜덤 공중합체(random copolymer)는 상기 프로피렌 글리콜 메틸에테르 아세테이트(Propylene Glycol Methyl Ether Acetate, PGMEA)에 의해 1wt%로 용해되는 것을 특징으로 하는 상기 사용방법
32 32
제29항에 있어서,상기 어닐링(annealing)하는 과정은 100℃ 이상에서 진행되는 것을 특징으로 하는 상기 사용방법
33 33
제32항에 있어서,상기 어닐링(annealing)하는 과정은 160℃ 인 것을 특징으로 하는 상기 사용방법
34 34
제33항에 있어서,상기 어닐링(annealing)하는 과정에 의해 형성된 랜덤 공중합체(random copolymer) 표면을 유기용매에 의해 세정되는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 사용방법
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DOCDB 패밀리 정보

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6 US8653211 US 미국 DOCDBFAMILY
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