기술이전플랫폼 Tech-Bridge-이전대상기술

맞춤기술찾기

홈으로 가기

맞춤기술찾기

이전대상기술

프린트하기

이전대상기술

트랜지스터 및 그 제조방법

기술번호 : KST2015187872
담당센터 : 서울서부기술혁신센터
전화번호 : 02-6124-6930

상담신청 PDF 받기

상세정보
공개전문
공고전문
등록사항
통합행정정보
기술정보
과제정보
관련기술
심판사항

서지정보
인명정보
행정처리
청구항
지정국
패밀리정보
국가R&D 연구정보

이전 슬라이드 보기 다음 슬라이드 보기

요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전도성 고분자 트랜지스터 제작시 금속과 계면사이에 DCNQI를 포함하는 버퍼층을 삽입하여 접촉저항과 전자 주입능력을 개선할 수 있는 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따르면 유기 활성층과 금속 전극사이의 접촉저항이 개선되고 전자 주입능력이 향상되어 저전압으로 고효율을 얻을 수 있다. 또한 본 발명에 따르면 종래의 가로형 트랜지스터와 달리 세로형 적층구조를 적용함으로써 고속도(high speed), 고전력(high power)의 소자를 얻을 수 있다
Int. CL	H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC	H01L 51/0562(2013.01)H01L 51/0562(2013.01)H01L 51/0562(2013.01)H01L 51/0562(2013.01)
출원번호/일자	1020110108842 (2011.10.24)
출원인	서강대학교산학협력단
등록번호/일자	10-1287368-0000 (2013.07.12)
공개번호/일자	10-2013-0044666 (2013.05.03) 문서열기
공고번호/일자	(20130718) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2011.10.24)
심사청구항수	16

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	서강대학교산학협력단	대한민국	서울특별시 마포구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	오세용	대한민국	서울특별시 서초구
2	민현식	대한민국	경기도 안산시 단원구
3	이태연	대한민국	경상남도 진주시

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	이준혁	대한민국	경기도 수원시 팔달구 중부대로 *** B동 *층(우만동, 신아빌딩)(유니크국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	서강대학교산학협력단		서울특별시 마포구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2011.10.24	수리 (Accepted)	1-1-2011-0831835-37
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2012.10.23	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2012.11.22	수리 (Accepted)	9-1-2012-0088279-10
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2012.12.04	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0739012-23
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2013.01.07	수리 (Accepted)	1-1-2013-0012803-13
6	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2013.01.07	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-0012804-69
7	등록결정서 Decision to grant	2013.06.25	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0436616-51
8	[출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment	2014.04.16	불수리 (Non-acceptance)	1-1-2014-0360001-76
9	서류반려이유통지서 Notice of Reason for Return of Document	2014.04.17	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2014-0063930-15
10	서류반려통지서 Notice for Return of Document	2014.05.21	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2014-0083610-89
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2017.01.11	수리 (Accepted)	4-1-2017-5005781-67
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.01.22	수리 (Accepted)	4-1-2019-5014626-89

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 드레인 전극 상에 제 1 유기 활성층을 형성하는 단계;상기 제 1 유기 활성층 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 제 1 유기 활성층 및 게이트 전극 상에 제 2 유기 활성층을 형성하는 단계, 여기서 상기 제 1 유기활성층과 상기 제 2 유기활성층은 동일한 성분의 유기반도체 화합물이고 ; 상기 제 2 유기 활성층 상에 하기 화학식 1로 표현되는 화합물을 포함하는 버퍼층을 형성하는 단계; 및상기 버퍼층 상에 소스전극을 형성하는 단계로서, 상기 소스전극 형성단계에 의해 상기 버퍼층과 상기 소스전극 사이의 계면에 유기-금속화합물층이 형성되는 단계를 포함하는 트랜지스터 제조방법
2	2 제 1항에 있어서, 상기 소스전극은 알루미늄, 리튬알루미늄, 구리, 금 및 은으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 금속으로 형성하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법
3	3 제 2항에 있어서, 상기 방법은 상기 금속과 상기 화학식 1의 유기화합물을 1 : 2의 조성으로 결합하여 고전도성의 상기 유기-금속화합물층을 형성하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법
4	4 제 1항에 있어서, 상기 유기-금속 화합물층은 LiAl(B)2 또는 Al(B)2를 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법
5	5 제 4항에 있어서, 상기 LiAl(B)2 또는 Al(B)2는 바늘형태의 형상인 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법
6	6 제 1항에 있어서, 상기 유기-금속 화합물층은 두께가 1~10Å인 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법
7	7 제 1항에 있어서, 상기 드레인 전극 상에 정공주입층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법
8	8 제 1항에 있어서, 상기 버퍼층의 두께를 5~40nm으로 형성하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법
9	9 제 1항에 있어서, 상기 버퍼층을 형성하는 단계는 진공 열증착기를 이용하여 10-6torr 이하의 진공상태에서 열증착하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법
10	10 제 9항에 있어서, 상기 버퍼층은 증착속도를 0
11	11 제 1항에 있어서, 상기 드레인 전극, 상기 소스 전극, 상기 게이트 전극, 상기 유기 활성층 및 상기 버퍼층은 세로 방향으로 적층되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법
12	12 드레인 전극;상기 드레인 전극 상에 형성된 제 1 유기 활성층;상기 제 1 유기 활성층 상에 형성된 게이트 전극;상기 제 1 유기 활성층 및 게이트 전극 상에 형성된 제 2 유기 활성층, 여기서 상기 제 1 유기활성층과 상기 제 2 유기활성층은 동일한 성분의 유기반도체 화합물이고 ; 상기 제 2 유기 활성층 상에 형성된 하기 화학식 1로 표현되는 화합물을 포함하는 버퍼층; 및상기 버퍼층 상에 형성된 소스전극을 포함하되, 상기 버퍼층과 상기 소스전극 사이의 계면에 형성된 유기-금속화합물층을 포함하는 트랜지스터
13	13 제 12항에 있어서, 상기 유기-금속화합물층은 상기 금속과 상기 화학식 1의 유기화합물이 1 : 2의 조성으로 결합된 유기-금속화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터
14	14 제 12항에 있어서, 상기 유기-금속 화합물은 바늘형상인 LiAl(B)2 또는 Al(B)2인 것을 특징으로 하는 트랜지스터
15	15 제 12항에 있어서, 상기 유기-금속 화합물층은 두께가 1~10Å인 것을 특징으로 하는 트랜지스터
16	16 제 12항에 있어서, 상기 드레인 전극, 상기 소스 전극, 상기 게이트 전극, 상기 유기 활성층 및 상기 버퍼층은 세로 방향으로 적층된 것을 특징으로 하는 트랜지스터

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	교육과학기술부	(재)한국연구재단	중견연구자 지원사업	고전하 이동과 고내구성 특성의 신규 n형 헤테로 고리형 유도체 합성
2	지식경제부	한국에너지기술평가원	(고급) 에너지 정책/융복합 트랙	고효율 에너지 나노소재공정 고급트랙

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-1287368-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20111024 출원 번호 : 1020110108842 공고 연월일 : 20130718 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130625 청구범위의 항수 : 16 유별 : H01L 29/786 발명의 명칭 : 트랜지스터 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20190713

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 서강대학교산학협력단 서울특별시 마포구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	334,500 원	2013년 07월 12일	납입
제 4 년분	금 액	274,400 원	2016년 07월 04일	납입
제 5 년분	금 액	282,630 원	2017년 07월 19일	납입
제 6 년분	금 액	196,000 원	2018년 07월 02일	납입

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2011.10.24	수리 (Accepted)	1-1-2011-0831835-37
2	선행기술조사의뢰서	2012.10.23	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2012.11.22	수리 (Accepted)	9-1-2012-0088279-10
4	의견제출통지서	2012.12.04	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0739012-23
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2013.01.07	수리 (Accepted)	1-1-2013-0012803-13
6	[명세서등 보정]보정서	2013.01.07	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-0012804-69
7	등록결정서	2013.06.25	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0436616-51
8	[출원서등 보정]보정서	2014.04.16	불수리 (Non-acceptance)	1-1-2014-0360001-76
9	서류반려이유통지서	2014.04.17	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2014-0063930-15
10	서류반려통지서	2014.05.21	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2014-0083610-89
11	출원인정보변경(경정)신고서	2017.01.11	수리 (Accepted)	4-1-2017-5005781-67
12	출원인정보변경(경정)신고서	2019.01.22	수리 (Accepted)	4-1-2019-5014626-89


과제고유번호	1345168419
세부과제번호	2010-0026294
연구과제명	고전하 이동과 고내구성 특성의 신규 n형 헤테로 고리형 유도체 합성 및 이를 이용한 고성능 유기 트랜지스터 제작에 관한 연구
성과구분	등록
부처명	미래창조과학부
연구관리전문기관명
연구주관기관명
성과제출연도	2012
연구기간	201009~201308
기여율	0.5
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	IT(정보기술)


과제고유번호	1415120884
세부과제번호	20114010203090
연구과제명	고효율 에너지 나노소재공정 고급트랙
성과구분	등록
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	한국산업기술평가관리원
연구주관기관명	서강대학교 산학협력단
성과제출연도	2011
연구기간	201108~201607
기여율	0.5
연구개발단계명	응용연구
6T분류명	NT(나노기술)


과제고유번호	1345146095
세부과제번호	2010-0026294
연구과제명	고전하 이동과 고내구성 특성의 신규 n형 헤테로 고리형 유도체 합성 및 이를 이용한 고성능 유기 트랜지스터 제작에 관한 연구
성과구분	출원
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국연구재단
연구주관기관명	서강대학교 산학협력단
성과제출연도	2011
연구기간	201009~201308
기여율	0.5
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	IT(정보기술)


과제고유번호	1415120884
세부과제번호	20114010203090
연구과제명	고효율 에너지 나노소재공정 고급트랙
성과구분	출원
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	한국산업기술평가관리원
연구주관기관명	서강대학교 산학협력단
성과제출연도	2011
연구기간	201108~201607
기여율	0.5
연구개발단계명	응용연구
6T분류명	NT(나노기술)

특허성과

[1020130142569]	나노사이즈의 게이트 오프닝 홀을 구비하는 세로형 유기트랜지스터 및 그 제조방법	새창보기
[1020130017760]	병렬저항이 극대화된 유기 태양전지 및 그 제조방법	새창보기
[1020110108842]	트랜지스터 및 그 제조방법	새창보기
[1020110108836]	DCNQI n형 유기버퍼층을 포함한 유기태양전지	새창보기
[1020080114142]	차세대 연료전지 자동차용 고분자 복합 전해질막	새창보기

중요키워드

이전대상기술 뷰 페이지 관련기술 표
[KST2015000937][서강대학교]	전력 ＭＯＳＦＥＴ 및 이의 제조 방법	새창보기
[KST2016011852][서강대학교]	바닥 산화막의 전계를 감소시키는 실리콘 카바이드 모스펫 소자 및 그의 제조 방법(SiC MOSFET for decreasing electric field of bottom oxide and method for manufacturing thereof)	새창보기
[KST2015014877][서강대학교]	나노사이즈의 게이트 오프닝 홀을 구비하는 세로형 유기트랜지스터 및 그 제조방법	새창보기
[KST2019013262][서강대학교]	방사선 저항성 금속산화물 반도체 소재, 이의 선별방법 및 전자기기의 방사선 내구성 평가방법	새창보기
[KST2014034391][서강대학교]	저전력 응용을 위한 터널링 전계효과 트랜지스터 (TUNNELING FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR LOW POWER APPLICATIONS)	새창보기
[KST2014034375][서강대학교]	고유전율막을 갖는 터널링 전계효과 트랜지스터(TUNNELING FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING HIGH-K DIELECTRIC LAYER)	새창보기
[KST2015187968][서강대학교]	순방향 터널링에 의한 저전력 터널링 전계효과 트랜지스터	새창보기
[KST2014023022][서강대학교]	트랩을 갖는 터널링 전계효과 트랜지스터	새창보기
[KST2014046453][서강대학교]	비대칭 활성영역을 갖는 터널링 전계효과 트랜지스터	새창보기
[KST2015187862][서강대학교]	매몰절연막에 고정 전하층을 갖는 트랜지스터 및 그 제조방법	새창보기
[KST2014058698][서강대학교]	엔모스를 삽입한 수평형 절연게이트 바이폴라트랜지스터 소자	새창보기
[KST2015187818][서강대학교]	세로형 유기 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법	새창보기
[KST2015187974][서강대학교]	측면 확산 ＭＯＳ 소자 및 그의 제조 방법	새창보기
[KST2018008561][서강대학교]	도핑된 유기물 박막을 포함한 트랜지스터	새창보기

의뢰할 수요기술을 선택합니다

담당자명, 주소, 이메일, 연락처, 내용, 파일선택의 정보를 제공하는 도입희망기술 뷰 페이지 의뢰하기 입력표입니다.
담당자명		활동구분※필수입력항목
이메일		연락처	- -
내용
파일선택	파일선택