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반도체 소자의 안티퓨즈 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015187903
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 절연막의 파괴 위치의 제어가 가능하고, 절연막 파괴 후의 저항산포를 개선할 수 있는 반도체 소자의 안티퓨즈 및 그 제조 방법을 개시한다.본 발명에 따른 반도체 소자의 안티퓨즈는 기판에, 서로 이격 형성된 소오스 및 드레인; 일단이 상기 소오스에 접촉하고, 타단이 상기 드레인에 접촉하도록, 상기 기판 상에 형성된 게이트 절연막; 및 상기 게이트 절연막 상에 형성된 게이트 전극;을 포함하며, 상기 게이트 절연막의 양단 중 적어도 한 쪽에의 두께가 중앙부의 두께보다 얇은 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 21/82 (2006.01) H01L 23/62 (2006.01)
CPC H01L 23/5252(2013.01) H01L 23/5252(2013.01) H01L 23/5252(2013.01) H01L 23/5252(2013.01)
출원번호/일자 1020120070676 (2012.06.29)
출원인 에스케이하이닉스 주식회사, 서강대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0003088 (2014.01.09) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.04.27)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이하이닉스 주식회사 대한민국 경기도 이천시
2 서강대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최우영 대한민국 서울 마포구
2 윤규한 대한민국 경기 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이하이닉스 주식회사 대한민국 경기도 이천시
2 서강대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0521258-00
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2012.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2012-0612193-32
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.08.08 무효 (Invalidation) 1-1-2012-0633150-16
4 보정요구서
Request for Amendment		 2012.08.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0099481-24
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.08.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0644067-82
6 보정요구서
Request for Amendment		 2012.08.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0103848-27
7 [지정기간단축]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Reduction of Designated Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2012.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0662923-72
8 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation		 2012.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0105972-27
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2012-5270171-92
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2015-5055330-26
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.11 수리 (Accepted) 4-1-2017-5005781-67
12 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2017.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2017-0412228-90
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0069137-67
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.03.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0271428-30
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2018-0271427-95
16 등록결정서
Decision to grant		 2018.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0366307-66
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5014626-89
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판에, 서로 이격 형성된 소오스 및 드레인;일단이 상기 소오스에 접촉하고, 타단이 상기 드레인에 접촉하도록, 상기 기판 상에 형성된 게이트 절연막; 및상기 게이트 절연막 상에 형성된 게이트 전극;을 포함하며,상기 게이트 절연막은 양측 가장자리 부분이 상기 게이트 절연막의 상면으로부터 하면 방향으로 일부가 제거된 일정 깊이를 갖는 리세스를 가지며, 상기 게이트 절연막은 양측 가장자리 부분의 두께가 중앙부의 두께보다 얇은 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 안티퓨즈
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 게이트 절연막은실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 알루미늄 산화물, 지르코늄 산화물 및 하프늄 산화물 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 안티퓨즈
4 4
제1항에 있어서,상기 게이트 절연막은상기 게이트 전극과 상기 기판 사이에 인가된 전압에 의해 절연성이 파괴되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 안티퓨즈
5 5
기판에 서로 이격 형성된 소오스 및 드레인을 형성하는 단계;일단이 상기 소오스에 접촉하고, 타단이 상기 드레인에 접촉하도록, 상기 기판 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상에 더미 게이트를 형성하는 단계;상기 더미 게이트를 포함한 결과물 상에 층간 절연막을 형성하는 단계;상기 층간 절연막을 상기 더미 게이트와 평탄화하는 단계;상기 더미 게이트를 제거하면서 상기 게이트 절연막의 상면으로부터 하면 방향으로 상기 게이트 절연막의 양측 가장자리 부분의 일부를 제거하여 일정 깊이를 갖는 리세스를 형성하는 단계; 및상기 리세스를 채우는 돌출부를 포함하는 게이트 전극을 상기 게이트 절연막 상에 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 게이트 절연막은 양측 가장자리 부분의 두께가 중앙부의 두께보다 얇게 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 안티퓨즈 제조 방법
6 6
삭제
7 7
제5항에 있어서,상기 더미 게이트는플라즈마 식각 공정을 사용하여 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 안티퓨즈 제조 방법
8 8
제7항에 있어서,상기 플라즈마 식각 공정은상기 층간 절연막의 양측에서의 전계의 세기를 달리하여, 상대적으로 전계의 세기가 큰 층간 절연막에 인접한 게이트 절연막의 끝단을 식각하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 안티퓨즈 제조 방법
9 9
제5항에 있어서,상기 게이트 절연막, 소오스 및 드레인은상기 반도체 소자의 셀 영역을 형성하는 과정에서 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 안티퓨즈 제조 방법
10 10
기판 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 양측의 하부 영역에 소오스 및 드레인을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상에 더미 게이트를 형성하는 단계;상기 더미 게이트를 포함한 결과물 상에 층간 절연막을 형성하는 단계;상기 층간 절연막을 상기 더미 게이트와 평탄화하는 단계;상기 더미 게이트를 제거하면서 상기 게이트 절연막의 상면으로부터 하면 방향으로, 상기 게이트 절연막의 양측 가장자리 부분의 일부를 제거하여 일정 깊이를 갖는 리세스를 형성하는 단계; 및상기 리세스를 채우는 돌출부를 포함하는 게이트 전극을 상기 게이트 절연막 상에 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 게이트 절연막은 양측 가장자리 부분의 두께가 중앙부의 두께보다 얇게 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 안티퓨즈 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 서강대학교 산학협력단 대학 IT연구센터 육성.지원사업 차세대 융복합 시스템용 아날로그 IP 핵심설계기술 개발