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금속 산화물-함유 다공성 구조체, 상기의 제조방법, 상기를 포함하는 광전극, 및 상기 광전극을 포함하는 염료 감응형 태양전지

기술번호 : KST2015187957
담당센터 : 서울서부기술혁신센터
전화번호 : 02-6124-6930

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본원은, 높은 비표면적을 제공하여 더 많은 염료를 흡착시킬 수 있는 금속 산화물-함유 다공성 구조체, 상기 금속 산화물-함유 다공성 구조체의 제조방법, 상기 금속 산화물-함유 다공성 구조체를 포함하는 광전극, 및 상기 광전극을 포함하는 염료 감응형 태양전지에 관한 것이다.
Int. CL	H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC	H01G 9/2027(2013.01) H01G 9/2027(2013.01) H01G 9/2027(2013.01) H01G 9/2027(2013.01) H01G 9/2027(2013.01) H01G 9/2027(2013.01)
출원번호/일자	1020130111600 (2013.09.17)
출원인	서강대학교산학협력단
등록번호/일자	10-1522920-0000 (2015.05.19)
공개번호/일자	10-2015-0031860 (2015.03.25) 문서열기
공고번호/일자	(20150528) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2013.09.17)
심사청구항수	16

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	서강대학교산학협력단	대한민국	서울특별시 마포구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	문준혁	대한민국	서울 양천구
2	박예슬	대한민국	서울 강서구
3	이정우	대한민국	서울 마포구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인엠에이피에스	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로길 , 층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	서강대학교산학협력단	대한민국	서울특별시 마포구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2013.09.17	수리 (Accepted)	1-1-2013-0849896-46
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2014.07.22	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2014.08.08	수리 (Accepted)	9-1-2014-0067001-89
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2015.02.03	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0082744-18
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2015.03.27	수리 (Accepted)	1-1-2015-0302975-06
6	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2015.03.27	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2015-0302976-41
7	등록결정서 Decision to grant	2015.05.17	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0322759-55
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2017.01.11	수리 (Accepted)	4-1-2017-5005781-67
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.01.22	수리 (Accepted)	4-1-2019-5014626-89

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 제 1 금속 산화물-함유 다공성 구조체, 및 상기 제 1 금속 산화물-함유 다공성 구조체 표면에 형성된 제 2 금속 산화물-함유 나노막대를 포함하며,상기 제 1 금속 산화물-함유 다공성 구조체의 기공은 단순입방정계, 체심입방정계, 면심입방정계, 또는 역전오팔 구조 형태로 배열된 것인,금속 산화물-함유 다공성 구조체
2	2 삭제
3	3 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 금속 산화물 및 제 2 금속 산화물은 각각 독립적으로 Ti, Cu, Zr, Sr, Zn, In, Yr, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Mg, Al, Y, Sc, Sm, Ga, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속의 산화물을 포함하는 것인, 금속 산화물-함유 다공성 구조체
4	4 제 1 항에 있어서,상기 제 2 금속 산화물-함유 나노막대는 500 ㎚ 이하의 직경을 가지는 것인, 금속 산화물-함유 다공성 구조체
5	5 기재 상에 고분자 콜로이드 입자를 함유하는 희생층을 형성하고;상기 희생층에 제 1 금속 산화물의 전구체를 주입하고;상기 희생층을 제거함으로써 제 1 금속 산화물-함유 다공성 구조체를 형성하고; 및,상기 제 1 금속 산화물-함유 다공성 구조체 표면에 제 2 금속 산화물-함유 나노막대를 형성하는 것을 포함하는, 금속 산화물-함유 다공성 구조체의 제조방법
6	6 제 5 항에 있어서,상기 제 1 금속 산화물의 전구체는 솔-젤(sol-gel) 반응을 일으킬 수 있는 전구체를 포함하는 것인, 금속 산화물-함유 다공성 구조체의 제조방법
7	7 제 5 항에 있어서,상기 제 2 금속 산화물-함유 나노막대를 형성하는 것은, 상기 제 1 금속 산화물-함유 다공성 구조체를 제 2 금속 산화물의 전구체-함유 제 1 용액에 담지하여 제 2 금속 산화물의 전구체 시드(seed)를 상기 제 1 금속 산화물-함유 다공성 구조체에 형성하고;상기 제 2 금속 산화물의 전구체 시드가 형성된 제 1 금속 산화물-함유 다공성 구조체를 상기 제 2 금속 산화물의 전구체-함유 제 2 용액에 담지하고 수열반응시켜 나노막대를 성장시키는 것을 포함하는 것인, 금속 산화물-함유 다공성 구조체의 제조방법
8	8 제 7 항에 있어서,상기 제 1 금속 산화물-함유 다공성 구조체에 제 2 금속 산화물의 전구체 시드(seed)를 형성하는 것은, 400℃ 내지 800℃의 온도범위에서 열처리하는 것을 포함하는 것인, 금속 산화물-함유 다공성 구조체의 제조방법
9	9 제 7 항에 있어서,상기 수열반응은 100℃ 내지 200℃의 온도범위에서 수행되는 것을 포함하는 것인, 금속 산화물-함유 다공성 구조체의 제조방법
10	10 제 7 항에 있어서,상기 수열반응 시간에 따라 상기 제 2 금속 산화물-함유 나노막대의 성장 길이를 조절 가능한 것인, 금속 산화물-함유 다공성 구조체의 제조방법
11	11 제 5 항에 있어서,상기 고분자 콜로이드 입자는 크기가 200 ㎚ 초과 내지 2 ㎛ 이하인 것인, 금속 산화물-함유 다공성 구조체의 제조방법
12	12 제 5 항에 있어서,상기 고분자 콜로이드 입자는 폴리스타이렌(PS), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리스타이렌/디비닐벤젠(PS/DVB), 폴리아미드, 폴리(부틸메타크릴레이트)(PBMA), 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 금속 산화물-함유 다공성 구조체의 제조방법
13	13 전도성 투명 기재 상에 형성된 제 1 항, 제 3 항, 및 제 4 항 중 어느 한 항에 따른 상기 금속 산화물-함유 다공성 구조체를 포함하는, 광전극
14	14 제 13 항에 있어서,상기 금속 산화물-함유 다공성 구조체에 흡착된 감광성 염료를 추가 포함하는, 광전극
15	15 제 13 항에 있어서,상기 전도성 투명 기재와 상기 금속 산화물-함유 다공성 구조체 사이에 형성된 차단층을 추가 포함하는, 광전극
16	16 전도성 투명 기재 상에 형성된 제 1 항, 제 3 항, 및 제 4 항 중 어느 한 항에 따른 상기 금속 산화물-함유 다공성 구조체, 및 상기 금속 산화물-함유 다공성 구조체에 흡착된 감광성 염료를 포함하는 광전극;상기 광전극에 대향되는 상대전극; 및,상기 광전극과 상기 상대전극 사이에 위치하는 전해질을 포함하는, 염료 감응형 태양전지
17	17 제 16 항에 있어서,상기 광전극은, 상기 전도성 투명 기재와 상기 금속 산화물-함유 다공성 구조체 사이에 형성된 차단층을 추가 포함하는 것인, 염료 감응형 태양전지

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	교육과학기술부	서강대학교산학협력단	원천기술개발사업	제한공간내 자기조립을 이용한 계층형 광전변환소재 구조제어 및 광전특성 분

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
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법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-1522920-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20130917 출원 번호 : 1020130111600 공고 연월일 : 20150528 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20150517 청구범위의 항수 : 16 유별 : H01L 31/04 발명의 명칭 : 금속 산화물-함유 다공성 구조체, 상기의 제조방법, 상기를 포함하는 광전극, 및 상기 광전극을 포함하는 염료 감응형 태양전지 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 서강대학교산학협력단 서울특별시 마포구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	334,500 원	2015년 05월 20일	납입
제 4 년분	금 액	196,000 원	2018년 04월 25일	납입
제 5 년분	금 액	196,000 원	2019년 03월 25일	납입

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2013.09.17	수리 (Accepted)	1-1-2013-0849896-46
2	선행기술조사의뢰서	2014.07.22	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2014.08.08	수리 (Accepted)	9-1-2014-0067001-89
4	의견제출통지서	2015.02.03	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0082744-18
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2015.03.27	수리 (Accepted)	1-1-2015-0302975-06
6	[명세서등 보정]보정서	2015.03.27	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2015-0302976-41
7	등록결정서	2015.05.17	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0322759-55
8	출원인정보변경(경정)신고서	2017.01.11	수리 (Accepted)	4-1-2017-5005781-67
9	출원인정보변경(경정)신고서	2019.01.22	수리 (Accepted)	4-1-2019-5014626-89


과제고유번호	1711000797
세부과제번호	2011-0030253
연구과제명	제한공간내 자기조립을 이용한 계층형 광전변환소재 구조제어 및 광전특성 분석
성과구분	출원
부처명	미래창조과학부
연구관리전문기관명
연구주관기관명
성과제출연도	2013
연구기간	201109~201808
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	NT(나노기술)

특허성과

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중요키워드

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