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순방향 터널링에 의한 저전력 터널링 전계효과 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015187968
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 순방향 터널링에 의한 저전력 터널링 전계효과 트랜지스터를 제공하는 것으로, 통상과 달리 소스 영역과 반대 도전형을 갖는 베이스 영역을 더 구비하고 드레인 영역은 소스 영역과 동일한 도전형으로 형성하되 소스 영역보다 고농도 도핑으로 형성함으로써, 낮은 구동전압에서는 베이스 영역과 드레인 영역 사이 순방향 바이어스에 의한 터널링 전류로 저전력 구동이 가능함과 동시에 높은 구동전압에서는 열전자 방출에 의한 전류도 구동전류로 할 수 있어 종래 낮은 구동전류의 문제점을 해소할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 21/336 (2006.01) H01L 21/768 (2006.01)
CPC H01L 29/66659(2013.01) H01L 29/66659(2013.01) H01L 29/66659(2013.01) H01L 29/66659(2013.01)
출원번호/일자 1020130154405 (2013.12.12)
출원인 서강대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1576267-0000 (2015.12.02)
공개번호/일자 10-2015-0069052 (2015.06.23) 문서열기
공고번호/일자 (20151209) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.12.12)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서강대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최우영 대한민국 서울 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 권오준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠*차 ****호 (역삼동)(소중한특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서강대학교산학협력단 서울특별시 마포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.12.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-1137086-59
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.10.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.11.12 수리 (Accepted) 9-1-2014-0087748-23
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0791013-57
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-0045695-10
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.01.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0045663-59
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.05.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0347572-44
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.07.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0717098-91
9 등록결정서
Decision to grant		 2015.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0742211-98
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.11 수리 (Accepted) 4-1-2017-5005781-67
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5014626-89
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하나 이상의 반도체 물질로 형성된 소스 영역, 채널 영역 및 드레인 영역과 상기 채널 영역 상에 게이트 절연막을 사이에 두고 형성된 게이트 전극을 포함하여 구성된 터널링 전계효과 트랜지스터에 있어서,상기 채널 영역과 상기 드레인 영역 사이에 반도체 물질로 상기 드레인 영역과 반대 도전형을 갖는 베이스 영역이 더 형성되고,상기 드레인 영역은 상기 소스 영역과 동일한 도전형을 갖되 상기 소스 영역보다 고농도로 도핑된 것을 특징으로 하는 터널링 전계효과 트랜지스터
2 2
제 1 항에 있어서,상기 게이트 전극은 상기 소스 영역 측으로 상기 채널 영역 상의 일부에만 형성된 것을 특징으로 하는 터널링 전계효과 트랜지스터
3 3
제 1 항에 있어서,상기 게이트 전극은 더블 게이트(double gate), 트리플 게이트(triple gate), 핀펫 게이트(finFET gate) 및 게이트 올어라운드(Gate-All-Around: GAA) 중 어느 하나의 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 터널링 전계효과 트랜지스터
4 4
제 1 항에 있어서,상기 게이트 전극은 상기 채널 영역의 전면을 덮도록 형성되고,상기 게이트 절연막은 상기 게이트 전극과 상기 채널 영역 사이에서 상기 소스 영역 측으로 실리콘산화막보다 큰 유전율을 가지는 고유전율막이 국부적으로 형성되고, 나머진 상기 고유전율막보다 작은 유전율을 가지는 절연막으로 형성된 것을 특징으로 하는 터널링 전계효과 트랜지스터
5 5
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 베이스 영역 및 상기 드레인 영역은 소정의 전위장벽보다 낮은 전압으로 구동시 순방향 바이어스에 의한 터널링 전류로 구동 가능하게 도핑된 것을 특징으로 하는 터널링 전계효과 트랜지스터
6 6
제 5 항에 있어서,상기 소스 영역, 상기 채널 영역, 상기 베이스 영역 및 상기 드레인 영역은 실리콘 및 게르마늄 중에서 선택된 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 터널링 전계효과 트랜지스터
7 7
제 5 항에 있어서,상기 소스 영역 및 상기 베이스 영역은 실리콘으로 형성되고, 상기 채널 영역 및 상기 드레인 영역은 게르마늄으로 형성된 것을 특징으로 하는 터널링 전계효과 트랜지스터
8 8
제 5 항에 있어서,상기 소스 영역은 실리콘으로 형성되고, 상기 채널 영역, 상기 베이스 영역 및 상기 드레인 영역은 게르마늄으로 형성된 것을 특징으로 하는 터널링 전계효과 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 서강대학교산학협력단 대학 IT연구센터 육성지원사업 (ITRC) 차세대 융복합 시스템용 아날로그 IP 핵심설계기술 개발
2 산업통상자원부 서강대학교산학협력단 지식경제 기술혁신사업 (산업원천기술개발사업) 0.7 V 이하 저전압 구동을 위한 Post-CMOS 미래 반도체소자 원천기술 개발