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측면 확산 ＭＯＳ 소자 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015187974
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 측면 확산 MOS 소자 및 그의 제조 방법이 개시된다. 측면 확산 MOS 소자의 제조 방법은, 제 1 도전형 반도체 기판에 이온 주입(ion implantation)을 수행하여 제 1 도전형 반도체 기판의 상단에 제 2 도전형 소스(source) 영역과 제 2 도전형 드레인(drain) 영역을 각각 형성하고, 제 1 도전형 반도체 기판에 이온 주입을 수행하여 제 2 도전형 드레인 영역의 일측에 제 2 도전형 드리프트 영역을 형성하고, 제 2 도전형 소스 영역과 제 2 도전형 드리프트(drift) 영역 간에 위치한 제 1 도전형 반도체 기판의 상부에 제 1 도전형 도핑(doping)을 수행하고, 제 2 도전형 소스 영역과 제 2 도전형 드리프트 영역 간에 위치한 제 1 도전형 반도체 기판의 상부에 산화막을 형성하고, 제 1 도전형 반도체 기판과 산화막 간의 계면에 어닐링(annealing)을 수행하며, 산화막 상단에 금속의 게이트를 형성한다.
Int. CL H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/7816(2013.01) H01L 29/7816(2013.01) H01L 29/7816(2013.01) H01L 29/7816(2013.01)
출원번호/일자 1020130167249 (2013.12.30)
출원인 서강대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1581690-0000 (2015.12.24)
공개번호/일자 10-2015-0078132 (2015.07.08) 문서열기
공고번호/일자 (20151231) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.12.30)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서강대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김광수 대한민국 대전광역시 유성구
2 송관훈 대한민국 서울특별시 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서강대학교산학협력단 서울특별시 마포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-1205844-80
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.07.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.08.08 수리 (Accepted) 9-1-2014-0063050-12
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0750318-72
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-1279329-80
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-0102294-86
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2015-0194937-14
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-0307203-49
9 지정기간연장 관련 안내서
Notification for Extension of Designated Period		 2015.04.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0066570-31
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.04.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-0421275-67
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.04.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0421287-15
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0341916-17
13 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-0704451-12
14 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-0811116-19
15 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.09.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-0913845-33
16 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2015-1025495-40
17 지정기간연장 관련 안내서
Notification for Extension of Designated Period		 2015.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0165855-93
18 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2015-1134955-75
19 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.11.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1134972-41
20 등록결정서
Decision to grant		 2015.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0826311-03
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.11 수리 (Accepted) 4-1-2017-5005781-67
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5014626-89
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 도전형 반도체 기판에 이온 주입(ion implantation)을 수행하여 상기 제 1 도전형 반도체 기판의 상단에 제 2 도전형 소스(source) 영역과 제 2 도전형 드레인(drain) 영역을 각각 형성하는 단계;상기 제 1 도전형 반도체 기판에 이온 주입을 수행하여 상기 제 2 도전형 드레인 영역의 일측에 제 2 도전형 드리프트 영역을 형성하는 단계;상기 제 2 도전형 소스 영역과 상기 제 2 도전형 드리프트(drift) 영역 간에 위치한 상기 제 1 도전형 반도체 기판의 상부에 제 1 도전형 도핑(doping)을 수행하는 단계;상기 제 2 도전형 소스 영역과 상기 제 2 도전형 드리프트 영역 간에 위치한 상기 제 1 도전형 반도체 기판의 상부에 산화막을 형성하는 단계;상기 제 1 도전형 반도체 기판과 상기 산화막 간의 계면에 어닐링(annealing)을 수행하는 단계; 및상기 산화막 상단에 금속의 게이트를 형성하는 단계;를 포함하고,상기 제 1 도전형 도핑은,채널(channel) 영역의 억셉터(acceptor) 농도를 증가시켜 임계 전압(threshold voltage)의 감소를 보상함으로써 정상-오프(normally off) 특성을 유지시키며, 유효 전하(effective charge)에 비례하여 요구되는 도핑 농도를 고려하여 수행되는 것을 특징으로 하는 측면 확산(lateral diffusion) MOS 소자의 제조 방법
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 제 1 도전형 도핑은,상기 제 2 도전형 소스 영역과 상기 제 2 도전형 드리프트 영역 간에 위치한 상기 제 1 도전형 반도체 기판의 상부의 소정 깊이만큼만 수행됨으로써, 도핑된 영역이 상기 제 1 도전형 반도체 기판보다 상대적으로 높은 농도를 갖도록 하는 것을 특징으로 하는 측면 확산 MOS 소자의 제조 방법
4 4
제 3 항에 있어서,상기 소정 깊이는,상기 산화막 하부에 적어도 매몰 채널(buried channel)이 형성되지 않는 깊이 이상으로 설정되는 것을 특징으로 하는 측면 확산 MOS 소자의 제조 방법
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 있어서,상기 어닐링을 수행하는 단계는,NO 또는 N2O에 의한 N-패시베이션(passivation)에 의해 N이 상기 제 1 도전형 반도체 기판과 상기 산화막 간의 계면에 침투하여 계면 결함을 제거하는 것을 특징으로 하는 측면 확산 MOS 소자의 제조 방법
7 7
제 6 항에 있어서,상기 제 1 도전형 도핑은,상기 N-패시베이션에 의해 발생하는 임계 전압의 변화를 고려하여 도핑 농도를 조절함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 측면 확산 MOS 소자의 제조 방법
8 8
제 1 도전형 반도체 기판;이온 주입에 의해 상기 제 1 도전형 반도체 기판의 상단에 각각 형성된 제 2 도전형 소스 영역 및 제 2 도전형 드레인 영역;이온 주입에 의해 상기 제 1 도전형 반도체 기판의 상단 및 상기 제 2 도전형 드레인 영역의 일측에 형성된 제 2 도전형 드리프트 영역;상기 제 2 도전형 소스 영역과 상기 제 2 도전형 드리프트 영역 간에 위치한 상기 제 1 도전형 반도체 기판의 상부에 형성된 산화막; 및상기 산화막 상단에 형성된 금속 게이트;를 포함하되,상기 산화막의 형성 전에, 상기 제 2 도전형 소스 영역과 상기 제 2 도전형 드리프트 영역 간에 위치한 상기 제 1 도전형 반도체 기판의 상부에 제 1 도전형 도핑을 수행하고,상기 금속 게이트의 형성 전에, 상기 제 1 도전형 반도체 기판과 상기 산화막 간의 계면에 어닐링을 수행하며,상기 제 1 도전형 도핑은,채널 영역의 억셉터 농도를 증가시켜 임계 전압의 감소를 보상함으로써 정상-오프 특성을 유지시키며, 유효 전하에 비례하여 요구되는 도핑 농도를 고려하여 수행되는 것을 특징으로 하는 측면 확산 MOS 소자
9 9
삭제
10 10
제 8 항에 있어서,상기 제 1 도전형 도핑은,상기 제 2 도전형 소스 영역과 상기 제 2 도전형 드리프트 영역 간에 위치한 상기 제 1 도전형 반도체 기판의 상부의 소정 깊이만큼만 수행됨으로써, 도핑된 영역이 상기 제 1 도전형 반도체 기판보다 상대적으로 높은 농도를 갖도록 하는 것을 특징으로 하는 측면 확산 MOS 소자
11 11
제 10 항에 있어서,상기 소정 깊이는,상기 산화막 하부에 적어도 매몰 채널이 형성되지 않는 깊이 이상으로 설정되는 것을 특징으로 하는 측면 확산 MOS 소자
12 12
삭제
13 13
제 8 항에 있어서,상기 어닐링은,NO 또는 N2O에 의한 N-패시베이션에 의해 N이 상기 제 1 도전형 반도체 기판과 상기 산화막 간의 계면에 침투하여 계면 결함을 제거하는 것을 특징으로 하는 측면 확산 MOS 소자
14 14
제 13 항에 있어서,상기 제 1 도전형 도핑은,상기 N-패시베이션에 의해 발생하는 임계 전압의 변화를 고려하여 도핑 농도를 조절함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 측면 확산 MOS 소자
15 15
제 8 항에 있어서,상기 제 1 도전형은 P형이고,상기 제 2 도전형은 N형이며,상기 MOS 소자는 SiC 측면 확산 MOSFET인 것을 특징으로 하는 측면 확산 MOS 소자
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1 미래창조과학부 서강대학교 산학협력단 정보통신기술인력양성 아날로그IP설계기술