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벤즈이미다졸계 고분자; 및,하기 화학식 1로서 표시되는 다면체 올리고머형 실세스퀴옥산을 포함하는, 인산기-함유 실세스퀴옥산을 이용한 폴리벤즈이미다졸 나노복합막으로서:[화학식 1];상기 화학식 1에서,R은 , , 및 이들의 이성질체들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 인산기-함유 치환기이고,상기 벤즈이미다졸계 고분자는 분자량이 100,000 내지 300,000인 것을 포함하는 것이며,상기 인산기-함유 실세스퀴옥산을 이용한 폴리벤즈이미다졸 나노복합막은 인산-도핑된 것이고, 상기 인산기-함유 실세스퀴옥산을 이용한 폴리벤즈이미다졸 나노복합막에 도핑된 인산은 자체 해리를 통하여 양성자를 이동시키는 것이며,상기 다면체 올리고머형 실세스퀴옥산은 8 개 내지 16 개의 인산기를 포함하는 것인,인산기-함유 실세스퀴옥산을 이용한 폴리벤즈이미다졸 나노복합막
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제 1 항에 있어서, 상기 벤즈이미다졸계 고분자는 폴리벤즈이미다졸 및 이들의 유도체들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 인산기-함유 실세스퀴옥산을 이용한 폴리벤즈이미다졸 나노복합막
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제 2 항에 있어서, 상기 벤즈이미다졸계 고분자는, , , , , 및 이들의 이성질체들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것이고, 상기 n은 1 내지 20의 정수인, 인산기-함유 실세스퀴옥산을 이용한 폴리벤즈이미다졸 나노복합막
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제 1 항에 있어서, 상기 다면체 올리고머형 실세스퀴옥산은 나노미터 수준의 크기를 가지는 것을 포함하는 것인, 인산기-함유 실세스퀴옥산을 이용한 폴리벤즈이미다졸 나노복합막
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제 1 항에 있어서,상기 인산기에 의하여 치환된 다면체 올리고머형 실세스퀴옥산은 상기 벤즈이미다졸계 고분자에 대하여 1 중량% 내지 50 중량%로 포함되는 것인, 인산기-함유 실세스퀴옥산을 이용한 폴리벤즈이미다졸 나노복합막
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제 5 항에 있어서,상기 인산기에 의하여 치환된 다면체 올리고머형 실세스퀴옥산은 상기 벤즈이미다졸계 고분자에 대하여 1 중량% 내지 30 중량%로 포함되는 것인, 인산기-함유 실세스퀴옥산을 이용한 폴리벤즈이미다졸 나노복합막
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하기 화학식 1로서 표시되는 다면체 올리고머형 실세스퀴옥산, 및 벤즈이미다졸계 고분자를 혼합하여 벤즈이미다졸계 고분자/실세스퀴옥산 나노복합막을 제조하고, 상기 벤즈이미다졸계 고분자/실세스퀴옥산 나노복합막을 인산에 의해 도핑하는 것을 포함하고:[화학식 1];상기 화학식 1에서,R은 , , 및 이들의 이성질체들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 인산기-함유 치환기이고,상기 벤즈이미다졸계 고분자는 분자량이 100,000 내지 300,000인 것을 포함하는 것이며,상기 벤즈이미다졸계 고분자/실세스퀴옥산 나노복합막에 도핑된 인산은 자체 해리를 통하여 양성자를 이동시키는 것이고,상기 다면체 올리고머형 실세스퀴옥산은 8 개 내지 16 개의 인산기를 포함하는 것인,인산기-함유 실세스퀴옥산을 이용한 폴리벤즈이미다졸 나노복합막의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 인산기에 의하여 치환된 다면체 올리고머형 실세스퀴옥산은 상기 벤즈이미다졸계 고분자에 대하여 1 중량% 내지 50 중량%로 첨가되는 것인, 인산기-함유 실세스퀴옥산을 이용한 폴리벤즈이미다졸 나노복합막의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 인산기에 의하여 치환된 다면체 올리고머형 실세스퀴옥산은 상기 벤즈이미다졸계 고분자에 대하여 10 중량% 내지 20 중량%로 첨가되는 것인, 인산기-함유 실세스퀴옥산을 이용한 폴리벤즈이미다졸 나노복합막의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 인산에 의하여 도핑하는 것은, 상기 벤즈이미다졸계 고분자/실세스퀴옥산 나노복합막을 인산 용액에 침지하여 수행되는 것을 포함하는 것인, 인산기-함유 실세스퀴옥산을 이용한 폴리벤즈이미다졸 나노복합막의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 따른 인산기-함유 실세스퀴옥산을 이용한 폴리벤즈이미다졸 나노복합막을 포함하는 연료전지
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