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서로 랜덤 공중합되는 제1 고분자 유닛 및 제2 고분자 유닛; 및상기 제1 고분자 유닛 및 상기 제2 고분자 유닛의 말단에 각각 결합된 제1 말단기 및 제2 말단기를 포함하며,상기 제1 말단기 및 상기 제2 말단기 중 적어도 하나는 트리올(triol) 그룹을 포함하고,상기 트리올 그룹은 하나의 탄소원자에 3개의 히드록시기들이 결합된 알킬기를 포함하는 것을 특징으로 하는 랜덤 공중합체
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제1항에 있어서, 상기 제1 말단기는 상기 트리올 그룹을 포함하며, 상기 제2 말단기는 히드록시기를 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 랜덤 공중합체
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제1항에 있어서, 상기 트리올 그룹은 하기의 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는 랜덤 공중합체
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제2항에 있어서, 상기 제1 말단기는 상기 트리올 그룹이 질소 원자에 결합된 아민기인 것을 특징으로 하는 랜덤 공중합체
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제5항에 있어서, 상기 제1 말단기는 하기 화학식 3으로 표시되는 것을 특징으로 하는 랜덤 공중합체
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제2항에 있어서, 상기 제2 말단기는 하기 화학식 5로 표시되는 TEMPO((2,2,6,6-Tetramethylpiperidin-1-yl)oxy)기 또는 할로겐 원자인 것을 특징으로 하는 랜덤 공중합체
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제2항에 있어서, 상기 랜덤 공중합체는 상기 트리올 그룹을 포함하는 제1 개시제 및 히드록시기를 포함하지 않는 제2 개시제를 사용한 라디칼 중합에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 랜덤 공중합체
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9
제8항에 있어서, 상기 제1 개시제 및 상기 제2 개시제는 각각 하기 화학식 8 및 화학식 9로 표시되는 것을 특징으로 하는 랜덤 공중합체
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10
제2항에 있어서, 상기 랜덤 공중합체는 상기 트리올 그룹 및 할로겐 치환기를 포함하는 단일 개시제를 사용한 라디칼 중합에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 랜덤 공중합체
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11
제10항에 있어서, 상기 단일 개시제는 하기 화학식 13으로 표시되는 것을 특징으로 하는 랜덤 공중합체
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제1항에 있어서, 상기 제1 고분자 유닛은 폴리스티렌을 포함하며, 상기 제2 고분자 유닛은 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmethacrylate: PMMA), 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane: PDMS), 폴리비닐피롤리돈(polyvinylpyrrolidone: PVP), 폴리에틸렌옥사이드(polyethyleneoxide: PEO) 및 폴리이미드(polyimide: PI)로 구성된 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 랜덤 공중합체
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제12항에 있어서, 상기 제2 고분자 유닛은 PMMA인 것을 특징으로 하는 랜덤 공중합체
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제13항에 있어서, 상기 랜덤 공중합체는 하기 화학식 6 또는 화학식 7로 표시되는 것을 특징으로 하는 랜덤 공중합체:[화학식 6][화학식 7]상기 화학식 6 및 화학식 7에서 n 및 m은 각각 100 내지 10,000 범위의 정수이다
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기판 상에 식각 대상막을 형성하는 단계;랜덤 공중합된 제1 고분자 유닛 및 제2 고분자 유닛, 및 상기 제1 고분자 유닛 및 상기 제2 고분자 유닛의 말단에 각각 결합된 제1 말단기 및 제2 말단기를 포함하며, 상기 제1 말단기 및 상기 제2 말단기 중 적어도 하나는 트리올(triol) 그룹을 포함하는 랜덤 공중합체를 사용하여 상기 식각 대상막 상에 중성막을 형성하는 단계;상기 중성막 상에 가이트 패턴을 형성하는 단계;상기 가이트 패턴에 의해 노출된 상기 중성막 표면 상에 블록 공중합체를 사용하여 자기 정렬막을 형성함으로써, 제1 자기 정렬 패턴 및 제2 자기 정렬 패턴을 형성하는 단계;상기 제1 자기 정렬 패턴 및 상기 제2 자기 정렬 패턴 중 어느 하나를 제거하여 마스크 패턴을 형성하는 단계; 및상기 마스크 패턴을 사용하여 상기 식각 대상막을 부분적으로 식각함으로써 식각 대상막 패턴을 형성하는 단계를 포함하고,상기 트리올 그룹은 하나의 탄소원자에 3개의 히드록시기들이 결합된 알킬기를 포함하는 미세 패턴 형성 방법
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제15항에 있어서, 상기 제1 말단기는 상기 트리올 그룹을 포함하며, 상기 제2 말단기는 히드록시기를 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성 방법
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제15항에 있어서, 상기 랜덤 공중합체는 PS-r-PMMA, PS-r-PDMS, PS-r-PVP, PS-r-PEO 및 PS-r-PI로 구성된 그룹에서 선택되는 적어도 하나를 포함하며, 상기 블록 공중합체는 PS-b-PMMA, PS-b-PDMS, PS-b-PVP, PS-b-PEO 및 PS-b-PI로 구성된 그룹에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성 방법
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제15항에 있어서, 상기 중성막을 형성하는 단계는,상기 랜덤 공중합체를 포함하는 조성물을 상기 식각 대상막 상에 코팅하여 예비 중성막을 형성하는 단계;상기 예비 중성막을 열처리하여 상기 중성막을 형성하는 단계; 및상기 중성막을 유기 용제로 세척하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성 방법
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제15항에 있어서, 상기 식각 대상막은 유리, 실리카, 금속 및 금속 산화물로 구성된 그룹에서 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성 방법
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기판 상에 금속 또는 금속 산화물을 사용하여 식각 대상막을 형성하는 단계;랜덤 공중합된 제1 고분자 유닛 및 제2 고분자 유닛, 및 상기 제1 고분자 유닛 및 상기 제2 고분자 유닛의 말단에 각각 결합된 제1 말단기 및 제2 말단기를 포함하며, 상기 제1 말단기 및 상기 제2 말단기 중 적어도 하나는 트리올(triol) 그룹을 포함하는 랜덤 공중합체를 사용하여 상기 식각 대상막 상에 중성막을 형성하는 단계;상기 중성막 상에 가이트 패턴을 형성하는 단계;상기 가이트 패턴에 의해 노출된 상기 중성막 표면 상에 블록 공중합체를 사용하여 자기 정렬막을 형성함으로써, 제1 자기 정렬 패턴 및 제2 자기 정렬 패턴을 형성하는 단계;상기 제1 자기 정렬 패턴 및 상기 제2 자기 정렬 패턴 중 어느 하나를 제거하여 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 마스크 패턴을 사용하여 상기 식각 대상막을 부분적으로 식각함으로써 나노 패턴을 형성하는 단계;상기 나노 패턴을 덮는 평탄화막을 형성하는 단계;상기 평탄화막 상에 제1 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 단계; 및상기 유기 발광층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 트리올 그룹은 하나의 탄소원자에 3개의 히드록시기들이 결합된 알킬기를 포함하는 표시 장치의 제조 방법
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