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실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드 및 그의 제조 방법

기술번호 : KST2015188006
담당센터 : 서울서부기술혁신센터
전화번호 : 02-6124-6930

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드 및 그의 제조 방법이 개시된다. 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드의 제조 방법은, N형 SiC 기판 위에 N형 에피층을 성장시키고, 이온 주입을 이용하여 N형 에피층 위에 N형 도핑층을 형성하고, N형 도핑층을 포함하여 N형 에피층을 에칭함으로써 트렌치 구조를 형성하고, 이온 주입을 이용하여 트렌치 구조의 바닥 영역에 P형 도핑층을 형성하며, 에칭한 트렌치 구조를 감싸도록 금속을 증착시킨다.
Int. CL	H01L 21/329 (2006.01) H01L 29/872 (2006.01)
CPC	H01L 29/872(2013.01) H01L 29/872(2013.01) H01L 29/872(2013.01)
출원번호/일자	1020130168450 (2013.12.31)
출원인	서강대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2015-0078759 (2015.07.08) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	거절
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2013.12.31)
심사청구항수	14

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	서강대학교산학협력단	대한민국	서울특별시 마포구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	김광수	대한민국	대전광역시 유성구
2	김병수	대한민국	서울특별시 동대문구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인충현	대한민국	서울특별시 서초구 동산로 *, 층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2013.12.31	수리 (Accepted)	1-1-2013-1211042-76
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2014.06.03	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2014.06.19	수리 (Accepted)	9-1-2014-0051662-18
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2014.10.22	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0718228-10
5	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)	2014.12.18	수리 (Accepted)	1-1-2014-1230849-28
6	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)	2015.01.21	수리 (Accepted)	1-1-2015-0061421-93
7	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)	2015.02.16	수리 (Accepted)	1-1-2015-0159040-10
8	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)	2015.03.20	수리 (Accepted)	1-1-2015-0273687-81
9	지정기간연장 관련 안내서 Notification for Extension of Designated Period	2015.03.30	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2015-0062415-80
10	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2015.04.22	수리 (Accepted)	1-1-2015-0388923-25
11	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2015.04.22	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2015-0388928-53
12	거절결정서 Decision to Refuse a Patent	2015.06.14	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0395993-11
13	[법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)	2015.07.14	수리 (Accepted)	7-1-2015-0031810-98
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2017.01.11	수리 (Accepted)	4-1-2017-5005781-67
15	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.01.22	수리 (Accepted)	4-1-2019-5014626-89

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 N형 SiC 기판 위에 N형 에피층(epilayer)을 성장하는 단계;이온 주입(ion implantation)을 이용하여 상기 N형 에피층 위에 N형 도핑(dopping)층을 형성하는 단계;상기 N형 도핑층을 포함하여 상기 N형 에피층을 에칭(etching)함으로써 트렌치(trench) 구조를 형성하는 단계;이온 주입을 이용하여 상기 에칭한 트렌치 구조의 바닥(bottom) 영역에 P형 도핑층을 형성하는 단계; 및상기 에칭한 트렌치 구조를 감싸도록 금속을 증착시키는 단계;를 포함하는 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드(SiC Schottky Barrier Diode)의 제조 방법
2	2 제 1 항에 있어서,상기 N형 도핑층은,상기 SiC 에피층과 상기 금속 간의 접합면을 형성하게 되는 영역에 이온 주입을 수행함으로써, 상기 트렌치 구조의 쇼트키 접합의 장벽의 높이를 부분적으로 낮게 형성시키는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드의 제조 방법
3	3 제 1 항에 있어서,상기 N형 도핑층의 두께는 100Å 이하인 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드의 제조 방법
4	4 제 1 항에 있어서,상기 N형 도핑층은,순방향 전압 강하의 감소에 비례하여 도핑 농도를 조절함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드의 제조 방법
5	5 제 1 항에 있어서,상기 P형 도핑층은,상기 에칭한 트렌치 구조에서 드리프트(drift) 영역과 인접하여 상기 SiC 에피층과 상기 금속 간의 접합면을 형성하게 되는 바닥 영역에만 이온 주입을 수행함으로써, 상기 트렌치 구조의 하단 모서리에 집중되는 전계를 분산시켜 미리 설정된 기준치 이상의 항복 전압을 유지하는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드의 제조 방법
6	6 제 1 항에 있어서,상기 증착되는 금속은 미리 설정된 일함수 이상을 갖는 단일 금속으로서, 미리 설정된 기준치 이상의 항복 전압을 얻을 수 있는 쇼트키 장벽을 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드의 제조 방법
7	7 제 6 항에 있어서, 상기 증착되는 금속은 니켈(Nickel)인 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드의 제조 방법
8	8 N형 SiC 기판;상기 N형 SiC 기판 위에 성장시킨 N형 에피층(epilayer); 및이온 주입(ion implantation)을 이용하여 상기 N형 에피층 위에 형성된 N형 도핑(dopping)층;을 포함하되,상기 N형 도핑층을 포함하여 상기 N형 에피층을 에칭(etching)함으로써 트렌치(trench) 구조를 형성하고, 이온 주입을 이용하여 상기 에칭한 트렌치 구조의 바닥(bottom) 영역에 P형 도핑층을 형성하며, 상기 에칭한 트렌치 구조를 감싸도록 금속을 증착시키는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드
9	9 제 8 항에 있어서,상기 N형 도핑층은,상기 SiC 에피층과 상기 금속 간의 접합면을 형성하게 되는 영역에 이온 주입을 수행함으로써, 상기 트렌치 구조의 쇼트키 접합의 장벽의 높이를 부분적으로 낮게 형성시키는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드
10	10 제 8 항에 있어서,상기 N형 도핑층의 두께는 100Å 이하인 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드
11	11 제 8 항에 있어서,상기 N형 도핑층은,순방향 전압 강하의 감소에 비례하여 도핑 농도를 조절함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드
12	12 제 8 항에 있어서,상기 P형 도핑층은,상기 에칭한 트렌치 구조에서 드리프트(drift) 영역과 인접하여 상기 SiC 에피층과 상기 금속 간의 접합면을 형성하게 되는 바닥 영역에만 이온 주입을 수행함으로써, 상기 트렌치 구조의 하단 모서리에 집중되는 전계를 분산시켜 미리 설정된 기준치 이상의 항복 전압을 유지하는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드
13	13 제 8 항에 있어서,상기 증착되는 금속은 미리 설정된 일함수 이상을 갖는 단일 금속으로서, 미리 설정된 기준치 이상의 항복 전압을 얻을 수 있는 쇼트키 장벽을 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드
14	14 제 13 항에 있어서, 상기 증착되는 금속은 니켈인 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	미래창조과학부	서강대학교 산학협력단	정보통신기술인력양성	아날로그IP설계기술

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2013.12.31	수리 (Accepted)	1-1-2013-1211042-76
2	선행기술조사의뢰서	2014.06.03	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2014.06.19	수리 (Accepted)	9-1-2014-0051662-18
4	의견제출통지서	2014.10.22	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0718228-10
5	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서	2014.12.18	수리 (Accepted)	1-1-2014-1230849-28
6	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서	2015.01.21	수리 (Accepted)	1-1-2015-0061421-93
7	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서	2015.02.16	수리 (Accepted)	1-1-2015-0159040-10
8	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서	2015.03.20	수리 (Accepted)	1-1-2015-0273687-81
9	지정기간연장 관련 안내서	2015.03.30	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2015-0062415-80
10	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2015.04.22	수리 (Accepted)	1-1-2015-0388923-25
11	[명세서등 보정]보정서	2015.04.22	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2015-0388928-53
12	거절결정서	2015.06.14	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0395993-11
13	[법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서	2015.07.14	수리 (Accepted)	7-1-2015-0031810-98
14	출원인정보변경(경정)신고서	2017.01.11	수리 (Accepted)	4-1-2017-5005781-67
15	출원인정보변경(경정)신고서	2019.01.22	수리 (Accepted)	4-1-2019-5014626-89


과제고유번호	1415128784
세부과제번호	H0301-13-1007
연구과제명	차세대 융·복합 시스템용 아날로그IP 핵심설계기술개발
성과구분	출원
부처명	미래창조과학부
연구관리전문기관명
연구주관기관명
성과제출연도	2013
연구기간	201006~201312
기여율	1
연구개발단계명	기타
6T분류명	IT(정보기술)

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