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블록 공중합체 및 이를 사용한 패턴 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015188028
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 블록 공중합체를 제공한다. 본 발명의 일실시예에 따른 블록 공중합체는 제1 블록 그리고 상기 제1 블록과 공중합하는 제2 블록을 포함하고, 상기 제2 블록은 고리형 작용기를 포함하는 실릴기를 포함한다.
Int. CL C08F 297/00 (2006.01.01) C08L 53/00 (2006.01.01) G03F 7/004 (2006.01.01) G03F 7/20 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020140012192 (2014.02.03)
출원인 삼성디스플레이 주식회사, 서강대학교산학협력단
등록번호/일자 10-2160791-0000 (2020.09.22)
공개번호/일자 10-2015-0092397 (2015.08.13) 문서열기
공고번호/일자 (20200929) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.01.11)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 서강대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강민혁 대한민국 서울특별시 영등포구
2 김태우 대한민국 서울특별시 송파구
3 김명임 대한민국 경기도 수원시 영통구
4 이문규 대한민국 경기도 수원시 영통구
5 이수미 대한민국 경기도 화성시 메타폴리스로 *, **
6 박승원 대한민국 서울특별시 서초구
7 시에레이 중국 경기도 수원시 팔달구
8 문봉진 대한민국 서울특별시 마포구
9 강나나 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 팬코리아특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 역삼***빌딩 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 경기 용인시 기흥구
2 서강대학교 산학협력단 서울특별시 마포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.02.03 수리 (Accepted) 1-1-2014-0104860-20
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2015-5104722-59
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.11 수리 (Accepted) 4-1-2017-5005781-67
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2019.01.11 수리 (Accepted) 1-1-2019-0037854-89
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5014626-89
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5016605-77
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.06.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.07.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0140932-51
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.01.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0032114-10
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2020.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2020-0276104-73
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.03.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0276105-18
12 등록결정서
Decision to grant
2020.07.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0461116-52
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 블록 그리고상기 제1 블록과 공중합하는 제2 블록을 포함하고,상기 제1 블록과 상기 제2 블록은 하기 화학식 (2)로 표현되는 화합물인 블록 공중합체: 화학식 (2)(여기서, TPS는 트리페닐실릴기이고, m은 0~99, n 및 r은 1~99이다)
2 2
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3 3
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4 4
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5 5
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6 6
제1항의 블록 공중합체를 모패턴층이 형성된 기판 위에 도포하여 고분자 박막을 형성하는 단계,상기 고분자 박막에서 상기 제1 블록을 선택적으로 제거하는 단계 그리고상기 제2 블록을 마스크로 상기 모패턴층을 식각하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법
7 7
제6항에서,상기 고분자 박막을 thermal annealing 또는 solvent annealing하는 단계를 더 포함하는 패턴 형성 방법
8 8
제7항에서,상기 고분자 박막을 형성하는 단계 이전에 가이드 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 패턴 형성 방법
9 9
제8항에서,상기 가이드 패턴은 포토 레지스트로 형성하는 패턴 형성 방법
10 10
제6항에서,상기 제1 블록을 선택적으로 제거하는 단계는 산소(O2)를 포함하는 가스로 건식 식각하는 패턴 형성 방법
11 11
제10항에서,상기 제1 블록을 선택적으로 제거하는 단계에서 상기 제2 블록은 산화 규소(SiOx)를 포함하는 화합물로 변형되는 패턴 형성 방법
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제10항에서,상기 모패턴층을 식각하는 단계는 CF4, SF6, Cl2 중 적어도 하나를 포함하는가스로 건식 식각하는 패턴 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
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1 US09354522 US 미국 FAMILY
2 US20150218300 US 미국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2015218300 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9354522 US 미국 DOCDBFAMILY
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