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커패시터-저항 하이브리드 DAC를 이용한 SAR ADC

  • 기술번호 : KST2015188055
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 SAR ADC에 관한 것으로서 분리 가중치 커패시터(CA)를 이용하여 상위비트를 결정하기 위한 상위 커패시터 열과 하위비트를 결정하기 위한 하위 커패시터 열의 2단계 구조로 형성하며, 저항 열을 이용하여 절반 크기의 기준전압을 생성하고, 상기 절반 크기의 기준전압을 이용하여 최하위 비트를 결정하는 것을 특징으로 함으로써, 커패시터-저항 하이브리드 DAC 내 요구되는 커패시터의 수를 최소화하여 전체 SAR ADC의 면적 및 전력소모를 최소화시킬 수 있다.
Int. CL H03M 1/12 (2006.01) H03M 1/66 (2006.01)
CPC H03M 1/403(2013.01) H03M 1/403(2013.01) H03M 1/403(2013.01) H03M 1/403(2013.01) H03M 1/403(2013.01)
출원번호/일자 1020130083327 (2013.07.16)
출원인 서강대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1512098-0000 (2015.04.08)
공개번호/일자 10-2015-0009185 (2015.01.26) 문서열기
공고번호/일자 (20150414) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.07.16)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서강대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이승훈 대한민국 서울 용산구
2 김용민 대한민국 인천 남동구
3 신용진 대한민국 서울 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서강대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.07.16 수리 (Accepted) 1-1-2013-0638263-73
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.04.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.05.13 수리 (Accepted) 9-1-2014-0038159-14
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0510581-01
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.09.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-0916513-71
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-1024511-81
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-1149407-83
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-1263289-22
9 지정기간연장 관련 안내서
Notification for Extension of Designated Period
2015.01.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0000426-40
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.01.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0094477-01
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2015-0094455-07
12 등록결정서
Decision to grant
2015.03.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0194467-14
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.11 수리 (Accepted) 4-1-2017-5005781-67
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5014626-89
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상위비트를 결정하기 위한 상위 커패시터 열과 하위비트를 결정하기 위한 하위 커패시터 열을 분리 가중치 커패시터(CA)로 연결되는 커패시터 열의 2단계 구조로 형성하며,상기 하위 커패시터 열은,최하위 비트를 결정하는 커패시터 및 차하위 비트를 결정하는 커패시터의 용량이 동일하며,저항 열을 이용하여 기준전압의 절반 크기의 절반기준전압을 생성하고, 상기 절반 기준전압을 이용하여 상기 최하위 비트를 결정하는 것을 특징으로 하는 SAR ADC
2 2
제 1 항에 있어서,상기 커패시터 열들에 의해 샘플링된 신호를 공통모드전압(VCM)과 직접 비교하여 최상위 비트를 결정하는 것을 특징으로 하는 SAR ADC
3 3
제 1 항에 있어서,상기 커패시터 열의 2단계 구조는 상위비트 7비트와 하위비트 5비트로 형성되는 것을 특징으로 하는 SAR ADC
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서,상기 SAR ADC의 비교기는 2단 프리앰프를 포함하고, 상기 2단 프리앰프 중 첫 번째 단의 프리앰프와 두 번째 단의 프리앰프 사이에 오프셋 제거 커패시터를 연결하여 오프셋을 제거하는 것을 특징으로 하는 SAR ADC
6 6
제 1 항에 있어서,기준전류 및 전압 회로를 온 칩으로 형성하는 것을 특징으로 하는 SAR ADC
7 7
제 1 항에 있어서,상기 저항 열은 상기 기준전압에 동일한 크기의 저항 4 개를 직렬로 연결하여 형성되는 것을 특징으로 하는 SAR ADC
8 8
제 1 항에 있어서,상기 SAR ADC는 시스템 온 칩으로 형성하는 것을 특징으로 하는 SAR ADC
9 9
제 1 항 내지 제 3 항, 및 제 5 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항의 SAR ADC를 포함하는 센서 응용 장치
10 10
상위비트를 결정하기 위한 상위 커패시터 열과 하위비트를 결정하기 위한 하위 커패시터 열을 분리 가중치 커패시터(CA)로 연결되는 커패시터 열의 2단계 구조로 형성하며,상기 하위 커패시터 열은,최하위 비트를 결정하는 커패시터 및 차하위 비트를 결정하는 커패시터의 용량이 동일하며,저항 열을 이용하여 기준전압의 절반 크기의 절반기준전압을 생성하고, 상기 절반기준전압을 이용하여 상기 최하위 비트를 결정하는 것을 특징으로 하는 커패시터-저항 하이브리드 DAC
11 11
제 10 항에 있어서,상기 커패시터 열들에 의해 샘플링된 신호를 공통모드전압(VCM)과 직접 비교하여 최상위 비트를 결정하는 것을 특징으로 하는 커패시터-저항 하이브리드 DAC
12 12
제 10 항에 있어서,상기 커패시터 열의 2단계 구조는 상위비트 7비트와 하위비트 5비트로 형성되는 것을 특징으로 하는 커패시터-저항 하이브리드 DAC
13 13
제 10 항에 있어서,상기 저항 열은 상기 기준전압에 동일한 크기의 저항 4 개를 직렬로 연결하여 형성되는 것을 특징으로 하는 커패시터-저항 하이브리드 DAC
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 서강대학교 산학협력단 한국연구재단 일반연구자지원사업 최소한의 커패시터를 사용하는 CR 하이브리드 DAC 기반의 12비트 10MS/s 0.11um CMOS SAR ADC 연구
2 미래창조과학부 서강대학교 산학협력단 정보통신기술인력양성 아날로그IP설계기술