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압타머를 이용한 FET 센서 기반 타겟물질의 검출방법

  • 기술번호 : KST2015188146
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 압타머를 이용한 FET 센서 기반 타겟물질의 검출방법 및 검출용 키트에 관한 것이다. 종래 저분자량의 무극성 분자는 FET 기반 센서의 검출 범위 내가 아니었기 때문에 검출하기 어려웠던 것과 달리, 본 발명에 따른 검출방법은 제1 및 제2 압타머를 이용하여 샌드위치 결합을 수행함으로써, 용액 상 저분자량의 무극성 입자의 검출 시에도 백그라운드 시그널과 명확한 차이를 갖도록 하여 용액 상 저분자량의 무극성 입자도 검출할 수 있게 하였다. 이에 용액 상에 존재하는 질병과 관련된 대사물질, 환경 오염물 및 식품 독소 등의 검출이 가능하게 하며, 특히 환경호르몬인 비스페놀 A와 같은 저분자량의 무극성 물질을 pM 수준의 극미량 존재하는 경우에도 검출할 수 있으므로 매우 유용하다. 압타머(aptamer), FET 센서, 탄소나노튜브, 검출, 비스페놀 A
Int. CL C12Q 1/68 (2006.01) G01N 27/26 (2006.01)
CPC C12N 15/115(2013.01) C12N 15/115(2013.01) C12N 15/115(2013.01) C12N 15/115(2013.01) C12N 15/115(2013.01)
출원번호/일자 1020090012288 (2009.02.16)
출원인 동국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1437616-0000 (2014.08.28)
공개번호/일자 10-2010-0093205 (2010.08.25) 문서열기
공고번호/일자 (20140904) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.07.21)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 중구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김소연 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이처영 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, **층 (역삼동, 윤익빌딩)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 서울특별시 중구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.02.16 수리 (Accepted) 1-1-2009-0092777-49
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2009.02.25 수리 (Accepted) 1-1-2009-0116178-63
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2010.02.16 수리 (Accepted) 1-1-2010-0098570-59
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.11.05 수리 (Accepted) 4-1-2010-5206478-99
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2011.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0562932-25
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.06 수리 (Accepted) 4-1-2011-5243351-46
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.04.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0275115-12
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.06.24 수리 (Accepted) 1-1-2013-0562309-70
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.07.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-0664785-48
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.08.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0747241-03
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.08.19 수리 (Accepted) 1-1-2013-0747240-57
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.12.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0891221-25
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-0002002-62
14 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.02.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0178479-05
15 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0281726-72
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.04.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0388115-16
17 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2014-0388114-71
18 등록결정서
Decision to grant
2014.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0580269-34
19 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2014.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-1280496-10
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.16 수리 (Accepted) 4-1-2019-5163486-33
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번호 청구항
1 1
다음의 단계를 포함하는, 압타머를 이용한 전계 효과 트랜지스터(FET) 센서기반 무극성 저분자 타겟물질의 검출방법:(a) 기판; 상기 기판의 양측에 서로 분리되어 형성되는 소스 금속 전극 및 드레인 금속 전극; 및 상기 소스 및 드레인 금속 전극들과 접촉하며 기판 상에 형성되는 게이트를 포함하며, 무극성 저분자 타겟물질에 특이적으로 결합하는 제1 압타머가 상기 소스 금속 전극 표면, 게이트 표면 및 드레인 금속 전극 표면 중 어느 하나 이상에 프로브로서 고정되어 있는 FET 센서에, 무극성 저분자 타겟물질을 함유하는 시료; 및 상기 무극성 저분자 타겟물질에 특이적으로 결합하는 제2 압타머를 첨가하는 단계; 및(b) 상기 무극성 저분자 타겟물질과 특이적으로 결합한 제2 압타머가 상기 FET 센서에 고정되어 있는 무극성 저분자 타겟물질 특이적 제1 압타머에 결합하는 경우 발생하는 상기 FET 센서의 소스 금속 전극 및 드레인 금속 전극 사이에 흐르는 전류 변화를 측정하여 무극성 저분자 타겟물질을 검출하는 단계
2 2
제1항에 있어서, 상기 금속 전극은 금, 백금, 크롬, 구리, 알루미늄, 니켈, 팔라듐 및 티타늄으로 구성된 군에서 선택되는 어느 하나 이상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 방법
3 3
제1항에 있어서, 탄소나노튜브가 기판 상에 증착되어 상기 소스 및 드레인 금속 전극들과 접촉하여 채널을 형성하는 채널 영역을 형성하고, 상기 제1 압타머는 상기 금속 전극 표면에 고정되는 것을 특징으로 하는 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 시료는 물, 혈액, 소변, 눈물, 땀, 타액, 림프액, 뇌척수액, 토양, 공기, 식품, 폐기물, 동식물 장내 및 동식물 조직 중 어느 하나 이상에서 채취된 것임을 특징으로 하는 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 제1압타머 또는 제2 압타머는 서열번호 2 내지 28의 핵산서열로 표시되는 압타머들 중 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 타겟물질은 비스페놀 A 인 것을 특징으로 하는 방법
7 7
기판; 상기 기판의 양측에 서로 분리되어 형성되는 소스 금속 전극 및 드레인 금속 전극; 및 상기 소스 및 드레인 금속 전극들과 접촉하며 기판 상에 형성되는 게이트를 포함하는 FET 센서로서, 무극성 저분자 타겟물질에 특이적으로 결합하는 제1 압타머가 상기 소스 금속 전극 표면, 게이트 표면 및 드레인 금속 전극 표면 중 어느 하나 이상에 프로브로서 고정되어 있는 것을 특징으로 하는 FET 센서와, 상기 무극성 저분자 타겟물질에 특이적으로 결합하는 제2 압타머를 함유하는 검출시약을 포함하는 무극성 저분자 타겟물질 검출용 키트
8 8
제7항에 있어서, 상기 금속 전극은 금, 백금, 크롬, 구리, 알루미늄, 니켈, 팔라듐 및 티타늄으로 구성된 군에서 선택되는 어느 하나 이상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 타겟물질 검출용 키트
9 9
제7항에 있어서, 탄소나노튜브가 기판 상에 증착되어 상기 소스 및 드레인 금속 전극들과 접촉하여 채널을 형성하는 채널 영역을 형성하고, 상기 제1 압타머는 상기 금속 전극 표면에 고정되는 것을 특징으로 하는 타겟물질 검출용 키트
10 10
기판; 상기 기판의 양측에 서로 분리되어 형성되는 Au 전극들; 및 상기 Au 전극들과 접촉하고 상기 기판상에 구비되어 채널을 형성하는 단일벽 탄소나노튜브를 포함하는 채널 영역을 포함하는 FET 센서로서, 비스페놀 A에 특이적으로 결합하는 제1 압타머가 상기 Au 전극 표면에 프로브로서 고정되어 있는 것을 특징으로 하는 FET 센서와, 비스페놀 A에 특이적으로 결합하는 제2 압타머를 함유하는 검출시약을 포함하는 비스페놀 A 검출용 키트:여기서, 상기 제1 압타머 또는 제2 압타머는 서열번호 2 내지 28의 핵산서열로 표시되는 압타머들 중 선택되는 것을 특징으로 함
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102395684 CN 중국 FAMILY
2 EP02397562 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 EP03192881 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 EP03192881 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
5 EP03495501 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
6 KR101332847 KR 대한민국 FAMILY
7 US09075053 US 미국 FAMILY
8 US09329178 US 미국 FAMILY
9 US20120040865 US 미국 FAMILY
10 US20150212038 US 미국 FAMILY
11 WO2010093223 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
12 WO2010093223 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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1 CN102395684 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN102395684 CN 중국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 환경부 동국대학교 산학협력단 차세대 핵심환경기술개발사업 수질오염 핵산마커를 이용하여 수질오염물질을 동시에 검출할 수 있는 측정 시스템 개발
2 교육과학기술부 동국대학교 산학협력단 국가지정연구실 알킬페놀류의 현장(on-site)위해성 평가기법 개발및 활용연구
3 지경부 동국대학교 산학협력단 전략 기술 개발 사업 나노포러스 고분자칩을 활용한 고효율 고감도 혈액검사용 진단시스템의 구축,신종(New class) 표적 압타머 발굴
4 환경부 동국대학교 산학협력단 환경정책기반공공기술개발사업 수계미세 심오염원 프로브 원천기술 개발을 통한 동시 검출 및 제거 시스템 개발