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N-P-N 타입 또는 P-N-P 타입의 발광 다이오드의 구조를 포함하고, 상기 P-타입 및 N-타입 반도체가 3개 이상으로 수직 또는 수평 접합되는 것을 특징으로 하는 바이폴라 접합 발광 다이오드
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제 1항에 있어서, 상기 N-P-N 타입 또는 P-N-P 타입의 발광 다이오드는 전극을 2개 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 접합 발광 다이오드
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3
제 1항에 있어서, 상기 반도체는 GaAs, GaP, InAs, InP, AlAs, AlSb, AlP, GaSb, InSb, GaN, InN, AnN, ZnO, SiC, Si, InGaN 및 C로 이루어지는 군으로부터 1종 이상인 것을 특징으로 하는 바이폴라 접합 발광 다이오드
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제 3항에 있어서, 상기 반도체는 발광성 유기 폴리머 또는 무기 세라믹을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 접합 발광 다이오드
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5
제 1항에 있어서, 상기 N-타입 반도체 또는 P-타입 반도체는 단일층이거나, 또는 다중층인 것을 특징으로 하는 바이폴라 접합 발광 다이오드
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6
제 1항에 있어서, 상기 N-타입 반도체와 상기 P-타입 반도체의 사이에 존재하는 2개의 사이층에 각각 1개의 활성층이 포함되는 것을 특징으로 하는 접합 발광 다이오드
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7
제 6항에 있어서, 상기 활성층은 양자우물층과 양자장벽층이 교번적으로 적층된 양자우물구조인 것을 특징으로 하는 접합 발광 다이오드
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8
제 6항에 있어서, 상기 활성층은 복수의 양자우물층과 복수의 양자장벽층이 교번적으로 적층된 다중 양자우물구조인 것을 특징으로 하는 접합 발광 다이오드
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9
제 7항 또는 제 8항에 있어서, 상기 양자우물층 및 양자장벽층은 각각 GaAs, GaP, InAs, InP, AlAs, AlSb, AlP, GaSb, InSb, GaN, InN, AnN, ZnO, ZnSe, ZnCdSe, SiC, Si, InGaN, AlGaInN, AlGaInP, AlN, BN, GaAsP, AlGaAs, AlGaN 및 C로 이루어지는 군으로부터 1종 이상인 것을 특징으로 하는 바이폴라 접합 발광 다이오드
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10
제 7항 또는 제 8항에 있어서, 상기 양자우물층 및 양자장벽층은 각각 발광성 유기 폴리머 또는 무기 세라믹을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 접합 발광 다이오드
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11
제 7항 또는 제 8항에 있어서, 상기 양자우물층 및 양자장벽층은 각각 단일층이거나, 또는 다중층인 것을 특징으로 하는 바이폴라 접합 발광 다이오드
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12
제 6항에 있어서, 상기 활성층은, 이온 주입 장치로 이온을 주입하거나, 기상 또는 액상의 도펀트 함유물을 표면에 도포하여 고온의 확산장치 또는 급속 열처리 장치에서 고온 확산하여 형성하는 것을 특징으로 하는 접합 발광 다이오드
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13
제 1항에 있어서, 상기 N-P-N 타입 또는 P-N-P 타입의 발광 다이오드의 반도체층 사이에 도핑이 되지 않은 층 또는 절연막이 더 삽입된 것을 특징으로 하는 바이폴라 접합 발광 다이오드
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