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금속 나노클러스터가 표면 상에 형성된 실리콘 나노와이어로서, 상기 실리콘 나노 와이어는 상기 실리콘 나노 와이어 표면의 실리콘 위치의 실리콘 원자 대신 상기 금속 나노 클러스터의 금속 원자가 치환되어 들어간 구조를 갖는 실리콘 나노 와이어
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제1항에 있어서,상기 금속 나노클러스터가 1 내지 10nm의 평균 크기를 갖는 것인 실리콘 나노와이어
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제1항에 있어서,상기 금속 나노클러스터가 2 내지 5nm의 평균 크기를 갖는 것인 실리콘 나노와이어
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제1항에 있어서,상기 금속 나노클러스터가 1X106개/cm2 내지 1X1016개/cm2의 밀도 범위로 존재하는 것인 실리콘 나노와이어
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제1항에 있어서,상기 금속 나노클러스터가 1X1011개/cm2 내지 1X1013개/cm2의 범위로 존재하는 것인 실리콘 나노와이어
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제1항에 있어서,상기 금속 나노클러스터가 전이금속, 란탄족 원소, 13족 원소(붕소 제외) 및 14족 원소(탄소 및 실리콘 제외)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 금속을 포함하는 것인 실리콘 나노와이어
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제1항에 있어서,상기 금속 나노클러스터가 금(Au), 니켈(Ni), 철(Fe), 은(Ag), 알루미늄(Al), 게르마늄(Ge), 가돌리늄(Gd), 구리(Cu), 인듐(In) 및 납(Pb)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 금속을 포함하는 것인 실리콘 나노와이어
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제1항에 있어서,상기 금속 나노클러스터가 금(Au)을 포함하는 것인 실리콘 나노와이어
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제1항에 있어서,상기 실리콘 나노와이어의 단면이 육각 구조인 것인 실리콘 나노와이어
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제1항에 있어서,상기 실리콘 나노와이어의 말단부가 반구 형상의 금속 캡을 구비하는 것인 실리콘 나노와이어
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제1항에 있어서,상기 실리콘 나노와이어의 직경이 10 내지 50nm의 범위를 갖는 것인 실리콘 나노와이어
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제1항에 있어서,상기 실리콘 나노와이어의 길이가 0
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급속가열 화학기상증착법, 레이져 가열 화학기상증착법 또는 유기금속 화학증착법으로 얻어지는 것인 제1항에 따른 실리콘 나노와이어
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실리콘 기판 상에 금속 박막층을 형성하는 단계;수소분위기하에 화학기상증착용 챔버에서 상기 금속 박막층 함유 실리콘 기판을 제1 소성하여 금속-실리콘 아일랜드를 형성하는 단계; 및상기 챔버 내에 혼합가스를 주입하면서 상기 금속-실리콘 아일랜드가 형성된 실리콘 기판을 제2 소성하여 금속 나노클러스터가 표면 상에 형성된 실리콘 나노와이어를 성장시키는 단계;를 포함하는 제1항에 따른 실리콘 나노와이어의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 제1 소성이 300 내지 1,000℃의 온도범위하에 0
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제15항에 있어서,상기 제2 소성이 0
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제15항에 있어서,상기 혼합가스가 SiH4와 H2의 혼합가스인 것인 실리콘 나노와이어의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 금속 나노클러스터가 전이금속, 란탄족 원소, 13족 원소(붕소 제외) 및 14족 원소(탄소 및 실리콘 제외)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 금속을 포함하는 것인 실리콘 나노와이어의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 금속 나노클러스터가 금(Au), 니켈(Ni), 철(Fe), 은(Ag), 알루미늄(Al), 게르마늄(Ge), 가돌리늄(Gd), 구리(Cu), 인듐(In) 및 납(Pb)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 금속을 포함하는 것인 실리콘 나노와이어의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 금속 나노클러스터가 금(Au)을 포함하는 것인 실리콘 나노와이어의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 금속 나노클러스터가 표면 상에 형성된 실리콘 나노와이어 실리콘 나노와이어를 제조한 후, 이를 300 내지 1,000℃에서 추가적으로 열처리하여 상기 금속 나노클러스터의 크기 또는 밀도를 조절하는 단계를 더 포함하는 실리콘 나노와이어의 제조방법
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제1항 내지 제3항, 제5항 내지 제14항 중 어느 한 항에 따른 실리콘 나노와이어를 구비하는 전기소자
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제23항에 있어서,상기 전기소자가 태양전지, 리튬전지, 트랜지스터, 메모리소자, 광센서, 바이오센서, 발광다이오드, 도파관, 발광소자 또는 커패시터인 것인 전기소자
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