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아연금속을 반응로 내의 소스영역에 위치시키고, 성장기판을 상기 반응로 내의 성장영역에 위치시키는 단계;상기 아연금속이 증발하여 분자 상태가 되도록 상기 반응로의 내부를 가열하는 단계;상기 반응로에 공급되는 운반가스를 이용하여 상기 분자 상태가 된 아연금속을 상기 성장영역으로 이동시키는 단계; 및상기 성장기판 위에서 상기 성장영역에 직접 주입되는 산소가스를 상기 분자 상태가 된 아연금속과 반응시키는 단계를 포함하는, 금속 수송 증착법을 이용한 산화아연 나노로드 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 반응로는 수평형인 것을 특징으로 하는, 금속 수송 증착법을 이용한 산화아연 나노로드 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 소스영역에 위치되는 아연금속은펠렛상, 판상 또는 괴상 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 금속 수송 증착법을 이용한 산화아연 나노로드 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 성장기판은 실리콘 기판, 사파이어 기판, 석영 기판 또는 유리 기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 금속 수송 증착법을 이용한 산화아연 나노로드 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 운반가스는질소, 아르곤, 수소 또는 이들의 혼합물 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 금속 수송 증착법을 이용한 산화아연 나노로드 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 가열하는 단계는가열 속도가 5 ℃/분 이상 50 ℃/분 이하인 것을 특징으로 하는, 금속 수송 증착법을 이용한 산화아연 나노로드 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 가열하는 단계는가열 온도가 500 ℃ 이하인 것을 특징으로 하는, 금속 수송 증착법을 이용한 산화아연 나노로드 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 반응시키는 단계는5분 이상 5시간 이하의 시간 동안 상기 성장기판 위에서 산화아연 나노로드를 성장시키는 단계인 것을 특징으로 하는, 금속 수송 증착법을 이용한 산화아연 나노로드 제조 방법
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아연금속을 반응로 내의 소스영역에 위치시키고, 성장기판을 상기 반응로 내의 성장영역에 위치시키는 단계;상기 아연금속이 증발하여 분자 상태가 되도록 반응로 내부를 가열하는 단계;상기 반응로에 공급되는 운반가스를 이용하여 상기 분자 상태가 된 아연금속을 상기 성장영역으로 이동시키는 단계;상기 성장기판 위에서 상기 성장영역에 직접 주입되는 산소가스를 상기 분자 상태가 된 아연금속과 반응시켜 산화아연 나노로드를 성장시키는 단계; 및상기 산화아연 나노로드를 전계 발광 디스플레이(Field Emission Display; FED)의 음극물질로 적용하는 단계를 포함하는, 산화아연 나노로드를 이용한 전계 발광 디스플레이 나노로드 제조 방법
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아연금속을 반응로 내의 소스영역에 위치시키고, 성장기판을 상기 반응로 내의 성장영역에 위치시키는 단계;상기 아연금속이 증발하여 분자 상태가 되도록 상기 반응로의 내부를 가열하는 단계;상기 반응로에 공급되는 운반가스를 이용하여 상기 분자 상태가 된 아연금속을 상기 성장영역으로 이동시키는 단계; 및상기 성장기판 위에서 상기 성장영역에 직접 주입되는 산소가스를 상기 분자 상태가 된 아연금속과 반응시키는 단계를 포함하여 구성되는, 금속 수송 증착법을 이용하여 제조된 산화아연 나노로드
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아연금속이 위치하는 소스영역과 성장기판이 위치하는 성장영역으로 구성되는 수평형의 반응로;상기 아연금속이 증발하여 분자 상태가 되도록 상기 반응로의 내부를 가열하는 가열 장치;상기 반응로에 공급되는 운반가스를 이용하여 상기 분자 상태가 된 아연금속을 상기 성장영역으로 이동시키는 운반가스 주입부; 및상기 성장기판 위에서 상기 성장영역에 직접 주입되는 산소가스를 상기 분자 상태가 된 아연금속과 반응시키는 산소 주입부를 포함하는, 금속 수송 증착법을 이용한 산화아연 나노로드 제조 장치
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제11항에 있어서, 상기 운반가스는질소, 아르곤, 수소 또는 이들의 혼합물 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 금속 수송 증착법을 이용한 산화아연 나노로드 제조 장치
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제11항에 있어서, 상기 가열 장치는가열 속도가 5 ℃/분 이상 50 ℃/분 이하인 것을 특징으로 하는, 금속 수송 증착법을 이용한 산화아연 나노로드 제조 장치
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제11항에 있어서, 상기 가열 장치는가열 온도가 500 ℃ 이하인 것을 특징으로 하는, 금속 수송 증착법을 이용한 산화아연 나노로드 제조 장치
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제11항에 있어서, 상기 산소 주입부는5분 이상 5시간 이하의 시간 동안 상기 성장기판 위에서 산화아연 나노로드를 성장시키는 것을 특징으로 하는, 금속 수송 증착법을 이용한 산화아연 나노로드 제조 장치
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