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탄소 웨이퍼를 사용한 접촉식 발광다이오드 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015188261
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 탄소 웨이퍼를 사용한 접촉식 발광다이오드 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 탄소 웨이퍼를 사용한 접촉식 발광다이오드는 투명 기판; 상기 투명 기판 위에 형성된 투명 전극층; 탄소 웨이퍼; 제1극성으로 도핑되고 상기 탄소 웨이퍼 위에 성장된 복수의 반도체 나노로드들을 포함하는 나노로드층; 및 상기 투명 전극층 위에 형성되어 상기 반도체 나노로드들의 말단과 물리적으로 접촉하는, 제2극성으로 도핑된 투명 반도체층을 포함한다.
Int. CL H01L 33/02 (2014.01)
CPC H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01)
출원번호/일자 1020100135295 (2010.12.27)
출원인 동국대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0073508 (2012.07.05) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.27)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 중구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조학동 대한민국 경기도 부천시 원미구
2 강태원 대한민국 서울특별시 성동구
3 이상욱 대한민국 서울특별시 성북구
4 겐나디 파닌 러시아 서울특별시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2010-0860230-60
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2011.04.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0254445-11
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.06 수리 (Accepted) 4-1-2011-5243351-46
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.07.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0390949-47
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.09.05 수리 (Accepted) 1-1-2012-0715474-05
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.10.08 수리 (Accepted) 1-1-2012-0815099-09
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.11.05 수리 (Accepted) 1-1-2012-0904035-53
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.12.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-1012977-37
9 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period
2012.12.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0145860-49
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.01.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0015618-98
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.01.07 수리 (Accepted) 1-1-2013-0015616-07
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.04.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0272320-40
13 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2013.05.22 수리 (Accepted) 7-1-2013-0020200-20
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0554347-62
15 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2013.06.21 보정각하 (Rejection of amendment) 1-1-2013-0554363-93
16 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment
2013.07.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0460740-12
17 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.07.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0460739-76
18 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2013.08.02 수리 (Accepted) 7-1-2013-0031128-98
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-0002002-62
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.16 수리 (Accepted) 4-1-2019-5163486-33
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투명 기판;상기 투명 기판 위에 형성된 투명 전극층;탄소 웨이퍼; 제1극성으로 도핑되고 상기 탄소 웨이퍼 위에 성장된 복수의 반도체 나노로드들을 포함하는 나노로드층; 및상기 투명 전극층 위에 형성되어 상기 반도체 나노로드들의 말단과 물리적으로 접촉하는, 제2극성으로 도핑된 투명 반도체층을 포함하는, 탄소 웨이퍼를 사용한 접촉식 발광다이오드
2 2
제 1 항에 있어서,상기 반도체 나노로드들이 n형으로 도핑될 때, 상기 투명 반도체층은 p형으로 도핑되는 것을 특징으로하는, 탄소 웨이퍼를 사용한 접촉식 발광다이오드
3 3
제 1 항에 있어서,상기 반도체 나노로드들이 p형으로 도핑될 때, 상기 투명 반도체층은 n형으로 도핑되는 것을 특징으로 하는, 탄소 웨이퍼를 사용한 접촉식 발광다이오드
4 4
제 1 항에 있어서,상기 반도체 나노로드들은 상기 투명 기판에 대해 수직 배향되는 것을 특징으로 하는, 탄소 웨이퍼를 사용한 접촉식 발광다이오드
5 5
제 1 항에 있어서,상기 반도체 나노로드들은 상기 투명 기판에 대해 수직이 아닌 각도로 성장된 것을 특징으로 하는, 탄소 웨이퍼를 사용한 접촉식 발광다이오드
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 나노로드층은 단원자 단결정 반도체 또는 다원자 단결정 화합물 반도체 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 탄소 웨이퍼를 사용한 접촉식 발광다이오드
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 반도체 나노로드들은 높이가 0
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 투명 반도체층은p-GaN 층인 것을 특징으로 하는, 탄소 웨이퍼를 사용한 접촉식 발광다이오드
9 9
제 1 항에 있어서,상기 투명 전극층은 양자우물 구조의 활성층을 포함하는 것을 특징으로 하는, 탄소 웨이퍼를 사용한 접촉식 발광다이오드
10 10
투명 기판 위에 투명 전극층을 형성하는 단계;상기 투명 전극층 위에 제2극성으로 도핑된 투명 반도체층을 형성하는 단계;탄소 웨이퍼 위에 제1극성으로 도핑된 복수의 반도체 나노로드들을 성장하여 나노로드층을 형성하는 단계;상기 반도체 나노로드들의 말단을 상기 투명 전극층 위에 물리적으로 접촉하는 단계; 및상기 탄소 웨이퍼에 소정의 압력을 가하여 상기 나노로드층을 상기 투명 반도체층에 고정하는 단계를 포함하는, 탄소 웨이퍼를 사용한 접촉식 발광다이오드 제조 방법
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 나노로드층은 단원자 단결정 반도체 또는 다원자 단결정 화합물 반도체 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 탄소 웨이퍼를 사용한 접촉식 발광다이오드 제조 방법
12 12
제 10 항에 있어서,상기 나노로드층을 형성하는 단계는카탈리스트 방법을 사용하여 상기 반도체 나노로드들을 성장하는 단계인 것을 특징으로 하는, 탄소 웨이퍼를 사용한 접촉식 발광다이오드 제조 방법
13 13
제 10 항에 있어서,상기 나노로드층을 형성하는 단계는상기 탄소 웨이퍼 위에 버퍼층을 형성한 후 상기 반도체 나노로드들을 성장하는 단계인 것을 특징으로 하는, 탄소 웨이퍼를 사용한 접촉식 발광다이오드 제조 방법
14 14
제 10 항에 있어서,상기 나노로드층을 형성하는 단계는기상 수송 증착법(Vapor Phase Transport process), 유기금속 화학 기상 증착법(Metal-Organic source Chemical Vapor Deposition), 스퍼터법(Sputter), 전해 증착법 (Chemical Electrolysis Deposition) 중 어느 하나의 방법으로 상기 반도체 나노로드들을 성장하는 단계인 것을 특징으로 하는, 탄소 웨이퍼를 사용한 접촉식 발광다이오드 제조 방법
15 15
제 10 항에 있어서, 상기 투명 반도체층은p-GaN 층인 것을 특징으로 하는, 탄소 웨이퍼를 사용한 접촉식 발광다이오드 제조 방법
16 16
제 10 항에 있어서,상기 나노로드층을 상기 투명 반도체층에 고정하는 단계는상기 탄소 웨이퍼에 0
17 17
제 10 항에 있어서,상기 나노로드층을 상기 투명 반도체층에 고정하는 단계는상기 탄소 웨이퍼에 압력을 가한 상태에서 상기 탄소 웨이퍼의 측면, 상기 투명 전극층 및 상기 투명 기판의 측면을 이어주는 에폭시를 부착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 탄소 웨이퍼를 사용한 접촉식 발광다이오드 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.