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제 1 기재 상에 형성된 복수의 제 1 극성 ZnO 나노로드들을 포함하는 나노로드층; 상기 나노로드층 상에 형성된 제 2 극성 반도체층;상기 제 2 극성 반도체층 상에 형성된 초격자층;상기 초격자층 상에 형성된 제 1 극성 반도체층; 및상기 제 1 극성 반도체층 상에 형성된 제 2 기재를 포함하는, 태양전지
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제 1 기재 상에 형성된 복수의 제 1 극성 ZnO 나노로드들을 포함하는 나노로드층; 상기 나노로드층 상에 형성된 제 1 극성 반도체층;상기 제 1 극성 반도체층 상에 형성된 초격자층;상기 초격자층 상에 형성된 제 2 극성 반도체층; 및상기 제 2 극성 반도체층 상에 형성된 제 2 기재를 포함하는, 태양전지
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 극성은 n형이고, 상기 제 2 극성은 p형인, 태양전지
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서상기 제 1 극성은 p형이고, 상기 제 2 극성은 n형인, 태양전지
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 반도체층은 GaN, AlN, InP, InS, GaAs, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, AlxGa1-xN (0003c#x003c#1), InxGa1-xN (0003c#x003c#1), InxGa1-xAs (0003c#x003c#1), ZnxCd1-xS (0003c#x003c#1) 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 태양전지
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 기재는 투명 또는 불투명한 것인, 태양전지
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 ZnO 나노로드들은 단결정 반도체인 것인, 태양전지
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 ZnO 나노로드들은 상기 제 1 기재에 대해 수직 배향 또는 임의의 방향의 각도로 성장된 것인, 태양전지
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 ZnO 나노로드들은 각각 직경이 10 nm 내지 1,000 nm 이고 길이가 0
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 나노로드층은 기상 수송 증착(Vapor Phase Transport process), 유기금속 화학 기상 증착(Metal-Organic source Chemical Vapor Deposition; MOCVD), 플라즈마 화학 기상 증착(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition; PECVD), 스퍼터링(Sputtering), 열 또는 전자빔 증발(Thermal or Electron Beam Evaporation), 펄스 레이저 증착(Pulse Laser Deposition), 전해 증착(Chemical Electrolysis Deposition) 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 방법에 의해 형성되는 것인, 태양전지
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 초격자층은 GaN, AlN, InP, InS, GaAs, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, AlxGa1-xN (0003c#x003c#1), InxGa1-xN (0003c#x003c#1), InxGa1-xAs (0003c#x003c#1), ZnxCd1-xS (0003c#x003c#1) 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 태양전지
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 초격자층은 각각의 두께가 0
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 제 1 기재는 Si, Ge, GaN, AlN, GaP, InP, GaAs, SiC, SiO2/Si, Al2O3, LiAlO3, MgO, 유리, 석영(quartz), 그래파이트(graphite), 그래핀(graphene) 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 태양전지
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 제 2 기재는 Si, Ge, GaN, AlN, GaP, InP, GaAs, SiC, SiO2/Si, Al2O3, LiAlO3, MgO, 유리, 석영(quartz), 그래파이트(graphite), 그래핀(graphene) 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 태양전지
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제 1 기재 상에 복수의 제 1 극성 ZnO 나노로드들을 포함하는 나노로드층을 형성하는 단계; 제 2 기재 상에 제 1 극성 반도체층을 형성하는 단계;상기 제 1 극성 반도체층 상에 다층 구조를 가지는 초격자층을 형성하는 단계;상기 초격자층 상에 제 2 극성 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 제 2 극성 반도체층을 상기 제 1 기재 상에 형성된 제 1 극성 ZnO 나노로드들을 포함하는 상기 나노로드층의 상부에 접촉하고 고정시키는 단계를 포함하는, 태양전지의 제조 방법
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제 1 기재 상에 복수의 제 1 극성 ZnO 나노로드들을 포함하는 나노로드층을 형성하는 단계; 제 2 기재 상에 제 2 극성 반도체층을 형성하는 단계;상기 제 2 극성 반도체층 상에 다층 구조를 가지는 초격자층을 형성하는 단계;상기 초격자층 상에 제 1 극성 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 제 1 극성 반도체층을 상기 제 1 기재 상에 형성된 제 1 극성 ZnO 나노로드들을 포함하는 상기 나노로드층의 상부에 접촉하고 고정시키는 단계를 포함하는, 태양전지의 제조 방법
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