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다공성 지지체를 이용한 저분자 포집용 졸-겔 칩 및 이를 이용한 저분자 특이적 물질의 스크리닝 방법

  • 기술번호 : KST2015188343
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 다공성 지지체를 이용한 저분자 포집용 졸-겔 칩 및 이를 이용한 저분자 특이적 물질의 스크리닝 방법에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 저분자 포집을 위한 졸-겔 조성물이 다공성 지지체 표면에 스팟팅 되어 있는 것을 특징으로 하는 다공성 지지체 졸-겔 칩, 상기 저분자 포집용 다공성 지지체 졸-겔 칩의 제조방법과 상기 저분자 포집용 다공성 지지체 졸-겔 칩을 이용한 저분자에 특이적으로 결합하는물질의 스크리닝 방법에 관한 것이다.본 발명에 따르면, 기존의 방법보다 효과적으로 칩 내에 저분자를 포집하고, 압타머의 유입을 유지할 수 있어, 넓은 범위의 저분자에 대한 특이 압타머를 보다 손쉽게 선택할 수 있다.
Int. CL C12Q 1/68 (2006.01) G01N 33/543 (2006.01)
CPC G01N 33/543(2013.01) G01N 33/543(2013.01) G01N 33/543(2013.01) G01N 33/543(2013.01) G01N 33/543(2013.01) G01N 33/543(2013.01) G01N 33/543(2013.01) G01N 33/543(2013.01)
출원번호/일자 1020120014378 (2012.02.13)
출원인 동국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1569891-0000 (2015.11.11)
공개번호/일자 10-2013-0092835 (2013.08.21) 문서열기
공고번호/일자 (20151127) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 발송처리완료
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.02.13)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 중구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김소연 대한민국 서울특별시 서초구
2 안지영 대한민국 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이처영 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, **층 (역삼동, 윤익빌딩)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 서울특별시 중구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.02.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0114520-22
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.11.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.12.17 수리 (Accepted) 9-1-2012-0093056-64
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.08.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0562952-54
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0885824-14
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.09.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0885825-59
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-0002002-62
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0131573-01
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0392624-94
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-0495788-00
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.06.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0587754-38
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.06.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0587755-84
13 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2014.11.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0801256-14
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.01.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0074130-16
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-0074128-13
16 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2015.04.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0271090-34
17 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.04.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0419608-75
18 등록결정서
Decision to grant		 2015.08.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0572800-82
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.16 수리 (Accepted) 4-1-2019-5163486-33
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
다음 단계를 포함하는 대사산물, 독소, 살충성 화합물, 약물의 복합분자, 유기 저분자 화합물 및 금속이온으로 구성되는 군에서 선택되는 저분자 물질을 함유하고 있는 졸-겔을 고정하기 위한 다공성 지지체-졸-겔 칩의 제조방법:(a) 깊이 100~3000 nm이고, 직경이 100~1000nm의 공극을 가지는 다공성 지지체를 제조하는 단계; 및(b) 상기 다공성 지지체 표면에 저분자를 함유하는 졸-겔 조성물을 스팟팅하는 단계
2 2
제1항에 있어서, 다공성 지지체는 실리콘, 유리 및 플라스틱으로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
3 3
제1항에 있어서, 다공성 지지체의 다공성 표면은 양극성 에칭, 화학적 에칭, 패터닝, 탄소나노튜브 (Carbon Nano Tube)흡착 및 PVAc (Polyvinyl acetate) 코팅에 의해 형성시키는 것을 특징으로 하는 방법
4 4
제2항에 있어서, 다공성 지지체는 모노크리스탈 실리콘(monocrystalline silicon)을 0
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서, 졸-겔 조성은 메틸트리에톡시실란(methyltriethoxysilane, MTES), 에틸트리에톡시실란(ethyltriethoxysilane, ETrEOS), 소디움 실리케이트 (Sodium Silicate), 테트라메틸 오르토실리케이트(tetramethyl orthosilicate, TMOS), 테트라에틸 오르토실리케이트(tetraethyl orthosilicate, TEOS), 테트라메톡시실리케이트(tetramethoxysilicate, TMS) 메틸트리에톡시실란(methyltriethoxysilane, MTES), 에틸트리에톡시실란(ethyltriethoxysilane, ETrEOS), 소디움 실리케이트 (Sodium Silicate), 테트라메틸 오르토실리케이트(tetramethyl orthosilicate, TMOS), 테트라에틸 오르토실리케이트(tetraethyl orthosilicate, TEOS) 및 테트라메톡시실리케이트(tetramethoxysilicate, TMS), (메틸트리메톡시실리케이트(methyltrimethoxysilicate, MTMS), 3-아미노트리메톡시실란(3-aminotrimethoxysilane, 3-ATMS), 폴리글리세릴실리케이트(polyglycerylsilicate, PGS), 디글리세릴실란(diglycerylsilane, DGS), 폴리비닐아세테이트(polyvinylacetate), 폴리비닐피롤리돈(polyvinylpyrrolidone), 글리세릴 메타크릴레이트(glyceryl metaacrylate), 하이드록시에틸 아크릴레이트(hydroxyethyl acrylate), N,N-디쿠시니미딜카르보네이트(N,N-dicusinimidilcarbonate, DSC), 1,3,5-트리메틸벤젠(1,3,5-trimethylbenzene), 세틸트리메틸암모늄 클로라이드(cetyltrimethylammonium chloride), 세틸트리메틸암모늄 브로마이드(cetyltrimethylammonium bromide), 3-(트리에톡시실릴) 프로필 숙시닉 언하이드라이드(3-(triethoxysily) propyl sucinic unhydride), N-(3-트리에톡시실릴 프로필)-4-하이드록시 부틸아마이드(N-(3-triethoxysily propyl)-4-hydroxy butylamide, SIT8189
7 7
제1항에 있어서, 상기 저분자가 포집되어 있는 다공성 지지체-졸-겔 칩은 상기 저분자에 특이적인 압타머의 스크리닝용인 것을 특징으로 하는 방법
8 8
깊이 100~3000 nm이고, 직경이 100~1000nm의 공극을 가지는 다공성 지지체 표면에 대사산물, 독소, 살충성 화합물, 약물의 복합분자, 유기 저분자 화합물 및 금속이온으로 구성되는 군에서 선택되는 저분자 화합물이 포집된 졸-겔 스팟이 고정되어 있는 것을 특징으로 하는 저분자 포집용 다공성 지지체 졸-겔 칩
9 9
제8항에 있어서, 다공성 지지체는 실리콘, 유리 및 플라스틱으로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 저분자 포집용 다공성 지지체 졸-겔 칩
10 10
제8항에 있어서, 다공성 지지체의 다공성 표면은 양극성 에칭, 화학적 에칭, 패터닝, 탄소나노튜브 (Carbon Nano Tube) 흡착 및 PVAc (Polyvinyl acetate) 코팅에 의해 형성시키는 것을 특징으로 하는 저분자 포집용 다공성 지지체 졸-겔 칩
11 11
제9항에 있어서, 다공성 지지체는 모노크리스탈 실리콘(monocrystalline silicon)을 0
12 12
삭제
13 13
제8에 있어서, 졸-겔의 조성은 메틸트리에톡시실란(methyltriethoxysilane, MTES), 에틸트리에톡시실란(ethyltriethoxysilane, ETrEOS), 소디움 실리케이트 (Sodium Silicate), 테트라메틸 오르토실리케이트(tetramethyl orthosilicate, TMOS), 테트라에틸 오르토실리케이트(tetraethyl orthosilicate, TEOS), 테트라메톡시실리케이트(tetramethoxysilicate, TMS) 메틸트리에톡시실란(methyltriethoxysilane, MTES), 에틸트리에톡시실란(ethyltriethoxysilane, ETrEOS), 소디움 실리케이트 (Sodium Silicate), 테트라메틸 오르토실리케이트(tetramethyl orthosilicate, TMOS), 테트라에틸 오르토실리케이트(tetraethyl orthosilicate, TEOS) 및 테트라메톡시실리케이트(tetramethoxysilicate, TMS), (메틸트리메톡시실리케이트(methyltrimethoxysilicate, MTMS), 3-아미노트리메톡시실란(3-aminotrimethoxysilane, 3-ATMS), 폴리글리세릴실리케이트(polyglycerylsilicate, PGS), 디글리세릴실란(diglycerylsilane, DGS), 폴리비닐아세테이트(polyvinylacetate), 폴리비닐피롤리돈(polyvinylpyrrolidone), 글리세릴 메타크릴레이트(glyceryl metaacrylate), 하이드록시에틸 아크릴레이트(hydroxyethyl acrylate), N,N-디쿠시니미딜카르보네이트(N,N-dicusinimidilcarbonate, DSC), 1,3,5-트리메틸벤젠(1,3,5-trimethylbenzene), 세틸트리메틸암모늄 클로라이드(cetyltrimethylammonium chloride), 세틸트리메틸암모늄 브로마이드(cetyltrimethylammonium bromide), 3-(트리에톡시실릴) 프로필 숙시닉 언하이드라이드(3-(triethoxysily) propyl sucinic unhydride), N-(3-트리에톡시실릴 프로필)-4-하이드록시 부틸아마이드(N-(3-triethoxysily propyl)-4-hydroxy butylamide, SIT8189
14 14
제8항에 있어서, 상기 저분자가 포집되어 있는 다공성 지지체-졸-겔 칩은 상기 저분자에 특이적인 결합물질의 스크리닝용인 것을 특징으로 하는 저분자 포집용 다공성 실리콘 졸-겔 칩
15 15
제14항에 있어서, 상기 결합물질은 저분자를 구조적으로 인식할 수 있는 압타머, 항체 및 펩타이드로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 저분자 포집용 다공성 실리콘 졸-겔 칩
16 16
다음 단계를 포함하는 다공성 지지체 표면에 대사산물, 독소, 살충성 화합물, 약물의 복합분자, 유기 저분자 화합물 및 금속이온으로 구성되는 군에서 선택되는 저분자 화합물이 포집된 졸-겔 스팟이 고정되어 있는 것을 특징으로 하는 다공성 지지체 졸-겔 칩을 이용하여 저분자 특이적 압타머를 스크리닝하는 방법:(a) 제8항 내지 제11항 및 제13항 내지 제15항 중 어느 한 항의 저분자 포집용 다공성 지지체 졸-겔 칩에 압타머 후보군을 처리하는 단계; 및(b) 졸-겔 스팟 내의 저분자 화합물과 특이적으로 결합하는 압타머를 선택하는 단계
17 17
제16항에 있어서, (C) 압타머가 결합된 다공성 지지체 졸-겔 칩을 열처리하여 용출되는 압타머를 회수하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
18 18
삭제
19 19
다음 단계를 포함하는 다공성 지지체 표면에 대사산물, 독소, 살충성 화합물, 약물의 복합분자, 유기 저분자 화합물 및 금속이온으로 구성되는 군에서 선택되는 저분자 화합물이 포집된 졸-겔 스팟이 고정되어 있는 것을 특징으로 하는 다공성 지지체 졸-겔 칩을 이용하여 저분자에 특이적으로 결합하는 물질을 스크리닝하는 방법:(a) 제8항 내지 제11항 및 제13항 내지 제15항 중 어느 한 항의 저분자 포집용 다공성 지지체 졸-겔 칩에 상기 저분자 화합물과 결합가능한 물질 후보군을 처리하는 단계; (b) 졸-겔 스팟 내의 저분자 화합물과 특이적으로 결합하는 물질을 선택하여 분리하는 단계; 및(c) 상기 분리된 저분자 화합물과 특이적으로 결합하는 물질을 동정하는 단계
20 20
삭제
21 21
제19항에 있어서, 저분자 화합물과 특이적으로 결합하는 물질은 저분자를 구조적으로 인식할 수 있는 압타머, 항체 및 펩타이드로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
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1 환경부 동국대학교 산학협력단 환경산업선진화기술개발사업 수계 미세 신오염원 프로브 원천기술 개발을 통한 동시 검출 및 제거 시스템 개발
2 서울특별시 동국대학교 산학협력단 서울전략산업 융합 오믹스 기반 신규 간암 조기 진단 마커의 제품화 기술개발