맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

집속형 초음파 변환자 및 제조방법

  • 기술번호 : KST2015188389
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 집속형 초음파 변환자 및 제조방법에 관한 것으로, 집속형 초음파 변환자 제조방법에 있어서, 일면에 전극이 형성된 PVDF 압전소자의 전극방향에 세라믹틀을 배치하여 PVDF 압전소자의 후면층이 형성되도록 전도성 에폭시를 붓는 후면층 형성단계와; 상기 세라믹틀의 전도성 에폭시를 경화시키는 경화단계; 상기 전도성 에폭시가 경화된 PVDF 압전소자를 선반을 이용하여 원통 형상으로 가공하여 PVDF/backing 소자를 제조하는 디스크 가공단계; 상기 PVDF/backing 소자를 일면이 개방된 원통 형상의 금속 하우징에 삽입하는 삽입단계; 상기 삽입된 PVDF/backing 소자의 외측면과 상기 금속 하우징 사이에 절연용 에폭시를 붓고 경화시키는 절연단계; 상기 PVDF 압전소자의 후면층과 상기 금속 하우징에 형성된 커넥터 사이에 전선을 연결하는 와이어링단계; 일정 온도 상태에서 상기 PVDF/backing 소자의 전면을 내측으로 오목하게 형성되도록 금속구를 통해 가압시켜 집속형 구경을 형성하는 집속형 구경 형성단계; 상기 초음파 변환자의 전면을 스퍼터링(sputtering)하여 금(Au) 또는 크롬(Cr)을 증착하여 PVDF 압전소자의 접지전극을 형성하는 접지전극 형성단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.본 발명은 PVDF 압전소자에 전도성 에폭시를 사용하여 후면층을 형성하므로 PVDF 압전소자를 손상되지 않게 가공할 수 있어 디스크 또는 링 형태의 초음파 변환자를 제조할 수 있으며, 후면층 및 PVDF 압전소자가 연성을 가지도록 고온에서 금속구을 이용하여 집속형 구경을 형성하기 때문에 초음파를 조사하는 조사면이 매끄럽게 형성되어 초음파 변환자의 감도가 증가되는 효과를 얻을 수 있다.
Int. CL H04R 17/00 (2006.01) G01N 29/24 (2006.01) A61B 8/00 (2006.01)
CPC H04R 17/005(2013.01) H04R 17/005(2013.01) H04R 17/005(2013.01) H04R 17/005(2013.01) H04R 17/005(2013.01)
출원번호/일자 1020120097337 (2012.09.03)
출원인 동국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1343067-0000 (2013.12.12)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20131219) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.09.03)
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 중구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 정종섭 대한민국 서울 도봉구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김순웅 대한민국 서울시 구로구 디지털로**길 **, ***호 (구로동,에이스테크노타워*차)(정진국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 서울특별시 중구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.09.03 수리 (Accepted) 1-1-2012-0710614-39
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.07.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.08.08 수리 (Accepted) 9-1-2013-0063350-70
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.09.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0641101-14
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0975011-45
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.10.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0975092-22
7 등록결정서
Decision to grant		 2013.12.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0837522-18
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-0002002-62
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.16 수리 (Accepted) 4-1-2019-5163486-33
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
집속형 초음파 변환자 제조방법에 있어서,일면에 전극이 형성된 PVDF 압전소자의 전극방향에 세라믹틀을 배치하여 PVDF 압전소자의 후면층이 형성되도록 전도성 에폭시를 붓는 후면층 형성단계와;상기 세라믹틀의 전도성 에폭시를 경화시키는 경화단계;상기 전도성 에폭시가 경화된 PVDF 압전소자를 선반을 이용하여 원통 형상으로 가공하여 PVDF/backing 소자를 제조하는 디스크 가공단계;상기 PVDF/backing 소자를 일면이 개방된 원통 형상의 금속 하우징에 삽입하는 삽입단계;상기 삽입된 PVDF/backing 소자의 외측면과 상기 금속 하우징 사이에 절연용 에폭시를 붓고 경화시키는 절연단계;상기 PVDF 압전소자의 후면층과 상기 금속 하우징에 형성된 커넥터 사이에 전선을 연결하는 와이어링단계;일정 온도 상태에서 상기 PVDF/backing 소자의 전면을 내측으로 오목하게 형성되도록 금속구를 통해 가압시켜 집속형 구경을 형성하는 집속형 구경 형성단계;상기 초음파 변환자의 전면을 스퍼터링(sputtering)하여 금(Au) 및 크롬(Cr)을 증착하여 PVDF 압전소자의 접지전극을 형성하는 접지전극 형성단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 집속형 초음파 변환자 제조방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 경화단계는,전도성 에폭시에 기포가 발생하지 않도록 균일하게 경화시키기 위해 전도성 에폭시가 부어진 세라믹틀을 원심분리기에 넣고 회전시키는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집속형 초음파 변환자 제조방법
3 3
제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 디스크 가공단계에서, PVDF/backing 소자를 선반을 이용하여 링 형상으로 가공하는 링 가공단계를 더 포함하고,상기 삽입단계는 상기 링 형상으로 가공된 PVDF/backing 소자를 중공이 중심부에 형성되고 원통형 상부가 개방된 금속 하우징에 삽입하는 것을 특징으로 하는 집속형 초음파 변환자 제조방법
4 4
제 3항에 있어서,상기 PVDF 압전소자는 필름 형태의 압전소자를 사용하는 것을 특징으로 하는 집속형 초음파 변환자 제조방법
5 5
집속형 초음파 변환자에 있어서, 상기 집속형 초음파 변환자는 중심에 전면과 후면을 관통하는 중공이 형성된 원통형상의 금속 하우징과 그 내부에 전도성 에폭시, PVDF 압전소자 및 접지전극이 금속 하우징의 후면에서 전면방향으로 적층구조로 형성되고, 상기 전도성 에폭시 및 PVDF 압전소자와 상기 금속 하우징은 서로 절연되며, 상기 전도성 에폭시의 전면은 상기 PVDF 압전소자와 통전되고, 상기 접지전극은 상기 PVDF 압전소자의 전면에 크롬과 금을 스퍼터링하여 형성되며, 상기 집속형 초음파 변환자의 전면은 내측으로 오목하게 형성되어 집속형 구경을 가지는 것을 특징으로 하는 집속형 초음파 변환자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.