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투명판의 일면에는 발전부를 포함하고,상기 투명판의 반대면에는 디스플레이부 또는 조명부 중 하나 이상을 포함하며,상기 발전부, 디스플레이부, 및 조명부는 투명한 것을 특징으로 하는 투명판
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제 1 항에 있어서,상기 투명판은,유리, 투명 플라스틱, 또는 사파이어 중 하나인 것을 특징으로 하는 투명판
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제 1 항에 있어서,상기 발전부는,나노로드; 및얇고 투명한 전도성 있는 물질로 구성되며, 전극으로서 사용되는 수광부를 포함하고,상기 나노로드 또는 상기 수광부 중 하나는 N형 반도체로 이루어지고, 다른 하나는 P형 반도체로 이루어지며,상기 나노로드는 기계적 에너지를 전기적 에너지로 변환시키는 압전효과를 갖는 물질로 이루어져 있고,상기 수광부에 가해지는 압력이 상기 나노로드에 전해지도록 상기 수광부에 상기 나노로드를 접촉시키면서, 상기 수광부와 상기 나노로드가 접촉한 경우 PN접합을 형성하는 것을 특징으로 하는 투명판
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제 3 항에 있어서,상기 수광부는 그래핀, 인듐 주석 산화물(ITO), 산화아연(ZnO) 또는 갈륨 나이트라이드(GaN)로 형성되고, 상기 나노로드와 다른 전기적 타입을 갖고 있는 물질로 형성되고,상기 나노로드는 아연 산화물, 갈륨 질화물, 또는 바륨티타늄 산화물 중 어느 하나로 이루어진 나노로드를 이용한 투명판
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제 3 항에 있어서,상기 나노로드를 지지하고, 투명한 물질로 구성되는 기판부를 더 포함하고,상기 기판부가 전기적으로 부도체인 경우, 상기 기판부와 상기 나노로드 사이에 메탈 전극이 삽입되고,상기 기판부가 전기적으로 도체인 경우, 상기 기판부를 전극으로 사용하는 것을 특징으로 하는 나노로드를 이용한 투명판
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제 1 항에 있어서,상기 발전부는,그래핀으로 이루어진 제 1 전극;그래핀으로 이루어진 제 2 전극;그래핀으로 이루어진 제 3 전극;상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 있고, N형 반도체로 이루어진 제 1 나노로드; 및상기 제 2 전극과 상기 제 3 전극 사이에 있고, P형 반도체로 이루어진 제 2 나노로드를 포함하고,상기 제 1 전극, 상기 제 2 전극, 또는 상기 제 3 전극은 얇고 투명한 전도성이 있는 전극이고,상기 제 1 나노로드와 상기 제 2 나노로드는 압전효과를 갖는 물질로 구성되어 PN 접합을 형성하며,상기 제 1 전극에 압력이 가해지면, 상기 제 1 나노로드가 압력을 전달받게 되고, 상기 제 3 전극에 압력이 가해지면, 상기 제 2 나노로드가 압력을 전달받게 되어 전기에너지를 발생시키는 것을 특징으로 하는 나노로드를 이용한 투명판
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제 1 항에 있어서,상기 발전부에서 생성되는 에너지를 상기 디스플레이부 또는 상기 조명부를 동작시키는 에너지로 사용하는 것을 특징으로 하는 투명판
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제 1 항에 있어서,상기 디스플레이부는,소정의 방향을 일정하게 형성된 그래핀 패턴;상기 그래핀 패턴 상에 형성된 산화아연 나노로드;상기 그래핀 패턴이 형성하는 각 픽셀에 위치하여 방출되는 광의 파장을 조절하는 양자점; 및상기 양자점을 교차점으로 상기 그래핀 패턴과 교차하는 환원된 그래핀 옥사이드를 포함하고,상기 양자점을 통해 적색(R), 녹색(G), 또는 청색(B) 중 하나의 광을 방출하는 것을 특징으로 하는 투명판
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제 8 항에 있어서,상기 그래핀 패턴은,금속층 위에 고체탄소원료인 감광층을 형성하는 단계; 및상기 감광층 위에 패터닝된 마스크를 위치시키고, 자외선을 노광한 후, 현상함으로써, 상기 감광층을 패터닝하고, 상기 패터닝된 감광층을 가열함으로써, 상기 감광층을 패터닝된 그래핀으로 변경시키는 단계로 제조되는 것을 특징으로 하는 투명판
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제 9 항에 있어서,상기 금속층 아래에 비금속 기판이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 투명판
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제 9 항에 있어서,상기 감광층을 가열하는 단계는,수소, 수소/아르곤 혼합가스, 또는 수소/질소 혼합 가스 분위기 하에서 700~1000 ℃ 범위로 가열하는 것을 특징으로 하는 투명판
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제 9 항에 있어서,상기 그래핀 패턴은 상기 감광층의 도포두께에 따라 상기 기판 상에 서로 다른 두께를 갖도록 성장되는 것을 특징으로 하는 투명판
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제 8 항에 있어서,상기 산화아연 나노로드는,아연금속을 반응로 내의 소스영역에 위치시키고, 상기 기판을 상기 반응로 내의 성장영역에 위치시키는 단계;상기 아연금속이 증발하여 분자 상태가 되도록 상기 반응로의 내부를 가열하는 단계;상기 반응로에 공급되는 운반가스를 이용하여 상기 분자 상태가 된 아연금속을 상기 성장영역으로 이동시키는 단계; 및상기 기판 위에서 상기 성장영역에 직접 주입되는 산소가스를 상기 분자 상태가 된 아연금속과 반응시키는 단계를 포함하여 구성되는 투명판
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제 13 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 기판, 사파이어 기판, 석영 기판 또는 유리 기판 중 어느 하나이고, 상기 운반가스는질소, 아르곤, 수소 또는 이들의 혼합물 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 투명판
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제 1 항에 있어서,상기 디스플레이부는,소정의 방향을 일정하게 형성된 그래핀 패턴;상기 그래핀 패턴 상에 형성된 산화아연 나노로드; 및상기 나노로드를 통해 방출되는 광의 파장을 조절하는 컬러 스위치를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명판
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제 1 항에 있어서,상기 디스플레이부는 전계효과 트랜지스터를 포함하고,상기 전계효과 트랜지스터는,기판;상기 기판 상에 형성된 형성된 게이트 전극;사이 게이트 전극 상에 형성된 유전체층; 및상기 유전체 상에 형성된 소스 전극과 드레인 전극을 포함하고,상기 소스 전극과 상기 드레인 전극을 잇는 환원 과정을 거친 그래핀 옥사이드층을 채널층으로 이용하는 것을 특징으로 하는 투명판
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제 1 항에 있어서,상기 디스플레이부는 전계효과 트랜지스터를 포함하고,상기 전계효과 트랜지스터는,기판;상기 기판 상에 형성된 환원 과정을 거친 그래핀 옥사이드층;상기 환원 과정을 거친 그래핀 옥사이드층 상에 형성된 소스 전극과 드레인 전극;상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 상에 형성된 유전체층; 및상기 유전체층 상에 형성된 게이트 전극을 포함하고,상기 소스 전극과 상기 드레인 전극을 잇는 환원 과정을 거친 그래핀 옥사이드층을 채널층으로 이용하는 것을 특징으로 하는 투명판
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제 17 항에서,상기 유전체층은 BaTiO3 층 또는 그래핀 옥사이드 층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 투명판
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제 17 항에 있어서,상기 환원과정을 거친 그래핀 옥사이드는,상기 생성된 그래핀 옥사이드층을 아르곤 분위기에서 130~140 ℃ 범위에서 24시간 열처리하여 상기 그래핀 옥사이드층을 환원시킴으로써, 환원과정을 거친 그래핀 옥사이드를 생성하는 특징으로 하는 투명판
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제 1 항에 있어서,상기 디스플레이부는 터치스크린으로 이용되는 것을 특징으로 하는 투명판
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제 1 항에 있어서,상기 조명부는 접촉식 발광 다이오드이고,상기 접촉식 발광 다이오드는,투명 기판;상기 투명 기판 위에 형성된 투명 전극층;상기 투명 전극층 위에 성장된 제1극성으로 도핑된 복수의 반도체 나노로드들을 포함하는 나노로드층; 및제2극성으로 도핑되고, 상기 반도체 나노로드들의 말단에 일정한 물리적 접촉을 형성하는 단결정 반도체층을 포함하는 투명판
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제 21 항에 있어서,상기 반도체 나노로드들이 n형으로 도핑될 때, 상기 단결정 반도체층은 p형으로 도핑되고,상기 반도체 나노로드들이 p형으로 도핑될 때, 상기 단결정 반도체층은 n형으로 도핑되는 것을 특징으로 하는 투명판
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제 21 항에 있어서, 상기 나노로드층은 단원자 단결정 반도체 또는 다원자 단결정 화합물 반도체 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 투명판
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제 21 항에 있어서, 상기 단결정 반도체층의 상면에 부착된 금속 방열층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명판
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제 21 항에 있어서,상기 조명부는 탄소웨이퍼를 더 포함하고,상기 나노로드층은 상기 탄소 웨이퍼 위에 성장되는 것을 특징으로 하는 투명판
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