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산화아연 나노로드를 이용한 열전 쿨러

  • 기술번호 : KST2015188427
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 열전쿨러에 관한 것으로, 기판상에 산화아연(ZnO) 나노로드를 수직으로 배향한 열전소자를 포함함으로써, 열전 성능 효율이 높은 열전 소자 및 이를 이용한 열전 쿨러를 제공할 수 있다.
Int. CL H01L 35/02 (2006.01)
CPC H01L 35/32(2013.01) H01L 35/32(2013.01) H01L 35/32(2013.01)
출원번호/일자 1020130017214 (2013.02.18)
출원인 동국대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0104548 (2014.08.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.02.21)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 중구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강태원 대한민국 서울 성동구
2 전희창 대한민국 서울 용산구
3 조학동 대한민국 경기 부천시 원미구
4 율다세프 우즈베키스탄 서울시 중구
5 쿠산 우즈베키스탄 서울시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-0145059-35
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-0002002-62
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2014-0171414-30
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0739456-50
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-1271440-64
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2015-0099357-92
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.03.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0204432-50
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.03.02 수리 (Accepted) 1-1-2015-0204416-29
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2015.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0423045-66
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.08.24 수리 (Accepted) 1-1-2015-0816702-15
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.09.24 수리 (Accepted) 1-1-2015-0930338-40
12 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.10.26 수리 (Accepted) 1-1-2015-1035384-60
13 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2015-1145583-41
14 지정기간연장 관련 안내서
Notification for Extension of Designated Period
2015.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0179824-50
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-1263390-71
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.12.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-1263405-78
17 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0315745-97
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.16 수리 (Accepted) 4-1-2019-5163486-33
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판상에 산화아연(ZnO) 나노로드를 수직으로 배향한 열전소자
2 2
제 1 항에 있어서,상기 산화아연 나노로드는 n형 또는 P형인 것을 특징으로 하는 열전소자
3 3
제 1 항에 있어서,상기 산화아연 나노로드의 두께가 1 내지 150 nm인 것을 특징으로 하는 열전소자
4 4
제 1 항에 있어서,상기 산화아연 나노로드는 1
5 5
제 1 항에 있어서,상기 기판은 금속전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 열전소자
6 6
제 1 항에 있어서,상기 산화아연 나노로드는,아연금속을 반응로 내의 소스영역에 위치시키고, 상기 기판을 상기 반응로 내의 성장영역에 위치시키는 단계;상기 아연금속이 증발하여 분자 상태가 되도록 상기 반응로의 내부를 가열하는 단계;상기 반응로에 공급되는 운반가스를 이용하여 상기 분자 상태가 된 아연금속을 상기 성장영역으로 이동시키는 단계; 및상기 기판 위에서 상기 성장영역에 직접 주입되는 산소가스를 상기 분자 상태가 된 아연금속과 반응시키는 단계를 포함하여 구성되는 열전소자
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 소스영역에 위치되는 아연금속은펠렛상, 판상 또는 괴상 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 열전소자
8 8
제 6 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 기판, 사파이어 기판, 석영 기판 또는 유리 기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 열전소자
9 9
제 6 항에 있어서, 상기 운반가스는질소, 아르곤, 수소 또는 이들의 혼합물 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 열전소자
10 10
제 6 항에 있어서, 상기 가열하는 단계는가열 속도가 5 ℃/분 이상 50 ℃/분 이하인 것을 특징으로 하는 열전소자
11 11
제 6 항에 있어서, 상기 가열하는 단계는가열 온도가 500 ℃ 이하인 것을 특징으로 하는 열전소자
12 12
제 6 항에 있어서, 상기 반응시키는 단계는5분 이상 5시간 이하의 시간 동안 상기 기판 위에서 산화아연 나노로드를 성장시키는 단계인 것을 특징으로 하는 열전소자
13 13
전극이 형성된 상부 및 하부 기판; 및상기 상부 및 하부 기판 사이에 형성된 열전소자를 포함하고,상기 열전소자는,n형 또는 P형으로 도핑되어 수직 배향된 산화아연(ZnO) 나노로드층인 것을 특징으로 하는 열전모듈
14 14
제 1 항 내지 제 12 항 중 한 항의 열전소자를 포함하는 열전 쿨러
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 교육과학기술부(재)한국연구재단 과학기술국제화사업(해외우수연구기관유치사업) IMT와 CNSI 기관 유치를 통한 나노-정보 기술 연구