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탄성물질이 포함된 반도체 활성층, 게이트 절연막 및 이들을 포함한 박막트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015188496
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 탄성물질이 포함된 활성층, 절연층 및 이들을 포함한 박막트랜지스터에 관한 것으로, 반도체 활성층은 탄성물질에 반도체 물질(유기반도체 또는 메탈옥사이드반도체)이 혼합되되, 상기 탄성물질 : 반도체 물질(유기반도체 또는 메탈옥사이드반도체)이 10 : 90 ~ 70 : 30 의 중량비율로 혼합되며, 게이트 절연막은 탄성물질에 유기절연막 또는 무기절연막이 혼합되되, 상기 탄성물질 : 유기절연막 또는 무기절연막이 10 : 90 ~ 70 : 30 의 중량비율로 혼합되며, 박막트랜지스터는 기판; 상기 기판 상에 위치한 서로 이격되어 위치하는 소스/드레인 전극; 상기 소스/드레인 전극을 포함하는 기판 전면에 걸쳐 위치한 탄성물질이 혼합된 반도체 활성층; 상기 혼합 활성층 상의 전면에 위치하는 탄성물질이 혼합된 게이트 절연막; 상기 절연막 상에 위치한 게이트 전극; 을 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 51/10 (2006.01) H01L 51/40 (2006.01) H01L 51/30 (2006.01)
CPC H01L 51/0558(2013.01) H01L 51/0558(2013.01) H01L 51/0558(2013.01) H01L 51/0558(2013.01) H01L 51/0558(2013.01)
출원번호/일자 1020140039960 (2014.04.03)
출원인 동국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1519100-0000 (2015.05.04)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150512) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.04.03)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 중구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 노용영 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 강일신 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***, *층 혜산빌딩(양재동)(시공특허법률사무소)
2 백두진 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***, *층(양재동, 혜산빌딩)(시공특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 중구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.04.03 수리 (Accepted) 1-1-2014-0321572-65
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.09.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.10.14 수리 (Accepted) 9-1-2014-0081831-86
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0812516-48
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2015-0068269-56
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.01.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0068289-69
7 등록결정서
Decision to grant
2015.02.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0106705-90
8 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2015-0405095-70
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.16 수리 (Accepted) 4-1-2019-5163486-33
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
박막트랜지스터를 구성하는 반도체 활성층에 있어서,상기 반도체 활성층은 탄성물질에 반도체 물질(유기반도체 또는 메탈옥사이드반도체)이 혼합되되,상기 탄성물질 : 반도체 물질(유기반도체 또는 메탈옥사이드반도체)이 10 : 90 ~ 70 : 30 의 중량비율로 혼합되되,상기 반도체 활성층에 첨가제가 추가되며, 상기 첨가제는 알킬 티올 (alkyl thiol), 1,8-다이아이오드옥탄(1,8-diiodoctane), 1-클로로나프탈렌 (1-chloronapthalene)을 포함하는 물질 또는 이들의 유도체 중에서 1이상 선택되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터용 반도체 활성층
2 2
제1항에 있어서,용매 100㎖당 첨가제 1~10㎖, 탄성물질과 반도체 물질(유기반도체 또는 메탈옥사이드반도체) 200~1000mg이 혼합되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터용 반도체 활성층
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 탄성물질은 실리콘고무(silicon rubber), 에코플렉스(Eco-flex), 우레탄고무(urethane rubber), 스티렌부타디엔고무(styrene butadien rubber:SBR), 폴리클로로프렌고무(polychloroprene rubber:CR), 니트릴고무(acrylonitrile-butadiene rubber:NBR), 부틸고무(isoprene-isobutylene rubber:IIR), 부타디엔고무(butadiene rubber:BR), 이소프렌고무(isoprene rubber:IR), 에틸렌프로필렌고무(ethylene propylene rubber:EPR), 폴리설파이드고무(polysulfide rubber), 플루오로고무(fluororubber) 및 아크릴고무(acrylic rubber) 등으로 이루어진 군에서 1이상 선택되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터용 반도체 활성층
5 5
제1항에 있어서,상기 유기반도체는 N형 유기반도체 또는 P형 유기반도체를 사용하되, 상기 N형 유기반도체는 아센계 물질, 완전 불화된 아센계 물질, 부분 불화된 아센계 물질, 부분 불화된 올리고티오펜(oligothiophene)계 물질, 플러렌(fullerene)계 물질, 치환기를 갖는 플러렌계 물질, 완전 불화된 프탈로시아닌(phthalocyanine)계 물질, 부분 불화된 프탈로시아닌계 물질, 페릴렌 테트라카르복실릭 디이미드(perylene tetracarboxylic diimide)계 물질, 페릴렌 테트라카르복실 디안하이드라이드(perylene tetracarboxylic dianhydride)계 물질, 나프탈렌 테트라카르복실릭 디이미드(naphthalene tetracarboxylic diimide)계 물질 또는 나프탈렌 테트라카르복실릭 디안하이드라이드(naphthalene tetracarboxylic dianhydride)계 물질 또는 이들의 유도체 중에서 선택되며,상기 P형 유기반도체는 아센(acene), 폴리-티에닐렌비닐렌(poly-thienylenevinylene), 폴리-3-헥실티오펜(poly-3-hexylthiophen), 알파-헥사티에닐렌(α-hexathienylene), 나프탈렌(naphthalene), 알파-6-티오펜(α-6-thiophene), 알파-4-티오펜 (α-4-thiophene), 루브렌(rubrene), 폴리티오펜(polythiophene), 폴리파라페닐렌비닐렌 (polyparaphenylenevinylene), 폴리파라페닐렌(polyparaphenylene), 폴리플로렌(polyfluorene), 폴리티오펜비닐렌(polythiophenevinylene), 폴리티오펜-헤테로고리방향족 공중합체(polythiophene-heterocyclicaromatic copolymer), 트리아릴아민(triarylamine)을 포함하는 물질 또는 이들의 유도체 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터용 반도체 활성층
6 6
박막트랜지스터를 구성하는 게이트 절연막에 있어서,상기 게이트 절연막은 탄성물질에 유기절연막 또는 무기절연막이 혼합되되,상기 탄성물질 : 유기절연막 또는 무기절연막이 10 : 90 ~ 70 : 30 의 중량비율로 혼합되되,상기 게이트 절연막에 첨가제가 추가되며, 상기 첨가제는 알킬 티올 (alkyl thiol), 1,8-다이아이오드옥탄(1,8-diiodoctane), 1-클로로나프탈렌 (1-chloronapthalene)을 포함하는 물질 또는 이들의 유도체 중에서 1이상 선택되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터용 게이트 절연막
7 7
제6항에 있어서,상기 탄성물질은 실리콘고무(silicon rubber), 에코플렉스(Eco-flex), 우레탄고무(urethane rubber), 스티렌부타디엔고무(styrene butadien rubber:SBR), 폴리클로로프렌고무(polychloroprene rubber:CR), 니트릴고무(acrylonitrile-butadiene rubber:NBR), 부틸고무(isoprene-isobutylene rubber:IIR), 부타디엔고무(butadiene rubber:BR), 이소프렌고무(isoprene rubber:IR), 에틸렌프로필렌고무(ethylene propylene rubber:EPR), 폴리설파이드고무(polysulfide rubber), 플루오로고무(fluororubber) 및 아크릴고무(acrylic rubber) 등으로 이루어진 군에서 1이상 선택되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터용 게이트 절연막
8 8
제6항에 있어서,상기 유기절연막은 폴리메타아크릴레이트 (PMMA, polymethylmethacrylate), 폴리스타이렌(PS, polystyrene), 페놀계 고분자, 아크릴계 고분자, 폴리이미드와 같은 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계 고분자, p-자이리렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자, 파릴렌(parylene) 중에서 선택되는 어느 하나 또는 다수개를 사용하며,상기 무기절연막은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, Al2O3, Ta2O5, BST, PZT 중에서 선택되는 어느 하나 또는 다수개를 사용하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터용 게이트 절연막
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기판;상기 기판 상에 위치한 서로 이격되어 위치하는 소스/드레인 전극;상기 소스/드레인 전극을 포함하는 기판 전면에 걸쳐 위치한 탄성물질이 혼합된 반도체 활성층;상기 혼합 활성층 상의 전면에 위치하는 탄성물질이 혼합된 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 상에 위치한 게이트 전극; 을 포함하되,상기 반도체 활성층에 첨가제가 추가되며, 상기 첨가제는 알킬 티올 (alkyl thiol), 1,8-다이아이오드옥탄(1,8-diiodoctane), 1-클로로나프탈렌 (1-chloronapthalene)을 포함하는 물질 또는 이들의 유도체 중에서 1이상 선택되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터
10 10
제9항에 있어서,상기 반도체 활성층은 탄성물질에 반도체 물질(유기반도체 또는 메탈옥사이드반도체)가 혼합되되,상기 탄성물질 : 반도체 물질(유기반도체 또는 메탈옥사이드반도체)이 10 : 90 ~ 70 : 30 의 중량비율로 혼합되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터
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제10항에 있어서,용매 100㎖당 첨가제 1~10㎖, 탄성물질과 반도체 물질(유기반도체 또는 메탈옥사이드반도체) 200~1000mg이 혼합되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터
12 12
삭제
13 13
제9항에 있어서,상기 게이트 절연막은 탄성물질에 유기절연막 또는 무기절연막이 혼합되되,상기 탄성물질 : 유기절연막 또는 무기절연막이 10 : 90 ~ 70 : 30 의 중량비율로 혼합되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터
14 14
제9항에 있어서,상기 기판은 실리콘 고무(silicon rubber), 에코플렉스(Eco-flex), 우레탄고무(urethane rubber), 스티렌부타디엔고무(styrene butadien rubber:SBR), 폴리클로로프렌고무(polychloroprene rubber:CR), 니트릴고무(acrylonitrile-butadiene rubber:NBR), 부틸고무(isoprene-isobutylene rubber:IIR), 부타디엔고무(butadiene rubber:BR), 이소프렌고무(isoprene rubber:IR),에틸렌프로필렌고무(ethylene propylene rubber:EPR), 폴리설파이드고무(polysulfide rubber), 플루오로고무(fluororubber), 아크릴고무(acrylic rubber) 중에서 1 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터
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제9항에 있어서,상기 반도체 활성층 및 게이트 절연막의 탄성물질은 실리콘고무(silicon rubber), 에코플렉스(Eco-flex), 우레탄고무(urethane rubber), 스티렌부타디엔고무(styrene butadien rubber:SBR), 폴리클로로프렌고무(polychloroprene rubber:CR), 니트릴고무(acrylonitrile-butadiene rubber:NBR), 부틸고무(isoprene-isobutylene rubber:IIR), 부타디엔고무(butadiene rubber:BR), 이소프렌고무(isoprene rubber:IR), 에틸렌프로필렌고무(ethylene propylene rubber:EPR), 폴리설파이드고무(polysulfide rubber), 플루오로고무(fluororubber) 및 아크릴고무(acrylic rubber) 등으로 이루어진 군에서 1이상 선택되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터
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1 미래창조과학부 동국대학교 나노기반 소프트일렉트로닉스 연구단 (글로벌프론티어사업) 소프트전자회로 및 센서회로 개발