맞춤기술찾기
이전대상기술
에피택셜 납산화물 성장 방법
- 기술번호 : KST2015188609
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 에피택셜(Epitaxial) 납산화물(PbO) 성장 방법이 게시된다. 본 발명의 에피택셜 납산화물 성장 방법은 전자선 증착 방식에 따라 출발물질인 고체상태의 Pb에서 Pb이온을 분리 분출 시키는 제1 단계, 산소분자에서 산소이온을 분리 분출시키는 제2 단계, 상기 제1 단계와 제2 단계에서 발생한 Pb원자와 산소 전자가 소정의 화학 반응에 의하여 반응 챔버내에서 납산화물(PbO)로 생성되는 제3 단계, 및 상기 생성된 기화 상태의 납산화물(PbO)이 상기 반응 챔버에 구비된 실리콘 웨이퍼이 표면에 증착되는 제4 단계를 포함하여 이루어진다. 따라서, 상기와 같은 납산화물 성장방법에 의하면, 고온의 전자선 증착 방식에 의해 증착소스의 이온화율을 높임으로써 웨이퍼 기판의 표면상에 충분한 증착물질의 밀도를 제공함으로써, 웨이퍼 표면에 성장된 막의 결정성 및 순수성 향상에 효과적이다.전자빔, Pb |
|---|---|
| Int. CL | H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01) |
| CPC | H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020050056675 (2005.06.29) |
| 출원인 | 동국대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | |
| 공개번호/일자 | 10-2007-0001315 (2007.01.04) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 취하 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | N |
| 심사청구항수 | 5 |