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저차원탄소 함유 탄소복합체 제조 방법 및 탄소블록 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015188710
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 피치와 그라핀 및 저차원탄소 소재를 균일하게 분산한 탄소복합체와 상기 탄소복합체를 가압 성형한 후 열처리(탄화공정)하여 전기전도성이 우수한 탄소블록을 제조하는 기술에 관한 것이다. 이에, 본 발명은 (a) 그라핀과 저차원탄소 소재를 피치에 첨가하는 단계; (b) 상기 그라핀, 피치 및 저차원탄소 소재가 고르게 분산되도록 후처리 가공하는 단계; 를 포함하는 그라핀-피치 복합체 제조 방법을 제공한다. 또한, 본 발명은 상기 저차원탄소 함유 탄소복합체 제조 방법을 시행하여 제조된 탄소복합체를 (a) 상기 탄소복합체를 가압하여 성형체를 제조하는 공정; 및 (b) 상기 성형체를 열처리하여 탄화시키는 공정; 으로 가공하는 탄소블록 제조 방법을 함께 제공한다. 그라핀, 피치, 탄소블록, 저차원탄소, 흑연분말, 탄소나노튜브, 탄소복합체
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) C01B 31/02 (2006.01) C01B 31/04 (2006.01)
CPC C01B 32/21(2013.01) C01B 32/21(2013.01) C01B 32/21(2013.01) C01B 32/21(2013.01) C01B 32/21(2013.01) C01B 32/21(2013.01)
출원번호/일자 1020090055752 (2009.06.23)
출원인 한국세라믹기술원, 극동씰테크 주식회사
등록번호/일자 10-1079665-0000 (2011.10.28)
공개번호/일자 10-2010-0137621 (2010.12.31) 문서열기
공고번호/일자 (20111103) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.06.23)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***
2 극동씰테크 주식회사 대한민국 경상북도 경산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 허승헌 대한민국 서울특별시 동작구
2 주혜미 대한민국 서울특별시 양천구
3 최성호 대한민국 서울특별시 금천구
4 조광연 대한민국 서울특별시 구로구
5 류도형 대한민국 서울특별시 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 조성광 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***(가산동, 가산더블유센터) ****호(지본특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***
2 극동씰테크 주식회사 대한민국 경상북도 경산시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.06.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0378244-56
2 보정요구서
Request for Amendment		 2009.07.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0045224-15
3 지분약정 무효처분통지서
Notice for Invalidation of Share Agreement		 2009.08.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0056941-91
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.01.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.02.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0011142-58
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.03.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0137490-35
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2011-0345190-75
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.05.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0345189-28
9 등록결정서
Decision to grant		 2011.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0563641-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.09.04 수리 (Accepted) 4-1-2013-0041536-44
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000353-25
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5040685-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 흑연분말 또는 탄소나노튜브 또는 흑연분말과 탄소나노튜브의 혼합물 중 어느 하나와 그라핀을 피치에 첨가하는 단계; (b) 상기 흑연분말 또는 탄소나노튜브 또는 흑연분말과 탄소나노튜브의 혼합물 중 어느 하나와 그라핀 및 피치가 고르게 분산되도록 볼밀링으로 후처리 가공하는 단계; 를 포함하는 저차원탄소 함유 탄소복합체 제조 방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제1항에서, 상기 (a)단계의 피치는 400~600℃로 열처리하여 휘발성분을 제거한 것임을 특징으로 하는 저차원탄소 함유 탄소복합체 제조 방법
6 6
제5항에서, 상기 (a)단계의 피치는 열처리를 통해 형성된 메조페이스상의 피치임을 특징으로 하는 저차원탄소 함유 탄소복합체 제조 방법
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
제1항에서, 상기 (b)단계는 200~400℃의 열을 가하여 피치를 산화 안정화시키는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저차원탄소 함유 탄소복합체 제조 방법
10 10
제1항에서, 상기 (b)단계는 5℃/min의 속도로 승온하여 300~550℃에서 50~70분간 유지하는 저온열처리로 피치를 산화 안정화시키는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저차원탄소 함유 탄소복합체 제조 방법
11 11
제1항, 제5항, 제6항, 제9항 및 제10항 중 어느 한 항의 저차원탄소 함유 탄소복합체 제조 방법을 시행하여 제조된 탄소복합체를 이하의 공정으로 가공하는 탄소블록 제조 방법
12 12
제11항에서, 상기 (b)공정은 상기 성형체를 1000~1500℃에서 탄화시키는 것을 특징으로 하는 탄소블록 제조 방법
13 13
제12항에서, 상기 (b)공정은 상기 성형체를 150~350℃에서 2~6시간 유지하는 열처리를 하여 산화 안정화시킨 후, 1000~1500℃에서 탄화시키는 것을 특징으로 하는 탄소블록 제조 방법
14 14
제11항에서, 상기 (b)공정은 상기 성형체를 1700~2500℃에서 탄화시키는 것을 특징으로 하는 탄소블록 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.