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나노입자막 및 이를 포함하는 나노입자 전하저장 장치,나노입자 플래쉬 메모리 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015188711
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 절연막 위에 나노입자를 단층, 고밀도, 균일하게 겹치지 않게 생성하는 나노입자 반도체 장치에 관한 것이다. 본 발명은, 제 1 절연막; 상기 절연막에 유기 금속막이 형성되고, 에너지 조사에 의하여 나노입자막으로 형성된 고밀도 나노입자막; 및 상기 나노입자막 위에 형성된 제 2 절연막을 포함하는 나노입자 전하 저장장치를 제공한다. 본 발명에 따르면, 단층의 나노입자층을 형성시켜 절연막의 두께가 얇아지더라도 누설 전류가 없는 나노입자 반도체 장치의 제조가 가능하다.나노입자막, 유기금속분자막, 캐패시터, 플래쉬 메모리, 직접 배선
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01)
출원번호/일자 1020070071221 (2007.07.16)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자 10-1432151-0000 (2014.08.13)
공개번호/일자 10-2009-0007965 (2009.01.21) 문서열기
공고번호/일자 (20140821) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.06.27)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 허승헌 대한민국 서울특별시 동작구
2 류도형 대한민국 서울특별시 금천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 경상남도 진주시 소호로 ***
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.07.16 수리 (Accepted) 1-1-2007-0516646-21
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2008-5187618-45
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2009.07.06 수리 (Accepted) 1-1-2009-0410354-11
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2012.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0511094-29
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.07.31 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.08.23 수리 (Accepted) 9-1-2013-0069728-64
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0676093-34
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.12.02 수리 (Accepted) 1-1-2013-1098098-47
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-1202027-80
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000353-25
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.02.03 수리 (Accepted) 1-1-2014-0101199-33
12 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0201646-64
13 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period
2014.03.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0038132-11
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0279196-70
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.03.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0279191-42
16 등록결정서
Decision to grant
2014.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0345760-40
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5040685-78
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번호 청구항
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제 1 절연막의 적어도 일면에 유기금속분자막을 형성하는 단계, 상기 유기금속분자막에 에너지를 조사하여 나노입자막을 형성시키는 단계 및 생성된 나노입자층 위에 제 2 절연막을 형성하는 단계를 포함하는 나노입자 전하 저장장치 제조방법에 있어서, 분위기 가스로서 반응성 가스를 주입하는 단계를 더 포함하는 것을 포함하고, 상기 나노 입자막은 상기 반응성 가스와 유기금속분자막의 반응 화합물인 것을 특징으로 하는 나노 입자 전하 저장장치 제조 방법
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8 8
제 6 항에 있어서,상기 나노입자막을 형성시키는 단계 후에 미반응체 유기금속분자막을 세척, 플라즈마 처리 또는 열처리하여 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 입자 전하 저장장치 제조방법
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10 10
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11 11
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12 12
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