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적어도 하나 이상의 써미스터층과 바리스터층이 각각 적층되어 단일칩으로 제조된 복합칩 소자에 있어서,
상기 써미스터층은 티탄산바륨(BaTiO3)에 사마륨산화물(Sm2O3), 산화망간(Mn3O4) 및 이산화규소(SiO2)를 첨가한 조성물로 되고;
상기 바리스터층은 산화아연(ZnO)에 테르븀산화물(TeO2), 산화망간(Mn3O4), 코발트산화물(Co3O4), 이산화규소(SiO2) 및 프라세오디뮴산화물(Pr6O11)를 첨가한 조성물로 되는 것을 특징으로 하는 복합칩 소자
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제1항에 있어서,
상기 써미스터층의 조성물들은 다음의 함유량으로 포함되는 것을 특징으로 하는 복합칩 소자:
BaTiO3: 97
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제1항에 있어서,
상기 바리스터층의 조성물들은 다음의 함유량으로 포함되는 것을 특징으로 하는 복합칩 소자:
ZnO: 90
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제1항에 있어서,
상기 적어도 하나 이상의 써미스터층과 바리스터층의 각 상면 및 하면에는 니켈(Ni) 재질의 전극패턴이 형성되는 것을 특징으로 하는 복합칩 소자
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적어도 하나 이상의 써미스터층과 바리스터층이 각각 적층되어 단일칩으로 제조된 복합칩 소자의 제조방법에 있어서,
적어도 하나 이상의 써미스터 시트와 바리스터 시트를 형성하는 제1단계와;
상기 적어도 하나 이상의 써미스터층과 바리스터층의 각 상면 및 하면에 내부전극을 형성하는 제2단계와;
상기 적어도 하나 이상의 써미스터 시트와 바리스터 시트를 적층하고 이를 소결하여 복합칩 소자를 형성하는 제3단계와;
상기 내부전극과 각각 전기적으로 연결되도록 상기 복합칩 소자의 외표면 종단부에 써미스터 전극 및 바리스터 전극을 형성하는 제4단계로 이루어지고, 상기 제1단계에서 상기 써미스터 시트는 97
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제6항에 있어서,
상기 제2단계에서 상기 내부전극은 니켈(Ni) 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 복합칩 소자의 제조방법
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제6항 또는 제7항에 있어서,
상기 제3단계에서 상기 소결은 환원분위기에서 1150 ~ 1300℃에서 1 ~ 3시간 소결한 후 공기중에서 600 ~ 800℃에서 재산화 처리하는 것으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 복합칩 소자의 제조방법
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제8항에 있어서,
상기 환원분위기는 0보다 크고 10-9 MPa 이하의 산소분압으로 되는 것을 특징으로 하는 복합칩 소자의 제조방법
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제6항에 있어서,
상기 제1단계에서 상기 써미스터 시트 및 바리스터 시트의 각 조성물은 PVB계 바인더를 각 조성물 총량대비 6 ~ 8wt% 포함하는 것을 특징으로 하는 복합칩 소자의 제조방법
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제10항에 있어서,
상기 제3단계의 상기 소결은 300℃ 이하에서 20시간 열처리하는 공정을 더 포함하여 상기 PVB계 바인더를 번아웃하는 것을 특징으로 하는 복합칩 소자의 제조방법
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제6항에 있어서,
상기 제1단계에서 상기 적어도 하나 이상의 써미스터 시트와 바리스터 시트는 닥터 블레이드로 형성되는 것을 특징으로 하는 복합칩 소자의 제조방법
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제6항에 있어서,
상기 써미스터 전극 및 바리스터 전극은 은(Ag) 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 복합칩 소자의 제조방법
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