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실리콘 잉곳 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015188757
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산처리와 플라즈마 처리를 통하여 금속급 실리콘 럼프로부터 태양전지에서 요구되는 순도를 갖는 실리콘 잉곳을 용이하게 제조할 수 있는 실리콘 잉곳 제조방법을 제공하는 데 있다.본 발명은 금속급 실리콘 럼프를 실리콘 분말로 분쇄하는 럼프 분쇄단계와, 상기 실리콘 분말을 산성 용액에 침지시켜 상기 실리콘 분말에 존재하는 불순물을 제거하는 산처리 단계와, 상기 산처리 단계를 거친 상기 실리콘 분말을 디스크 형태의 실리콘 성형체로 성형하는 단계, 상기 실리콘 성형체를 플라즈마 처리하는 플라즈마 처리단계 및 상기 플라즈마 처리단계를 거친 상기 실리콘 성형체를 일방향 응고로에서 용융시켜 실리콘 잉곳으로 제조하는 잉곳 제조단계를 포함하는 실리콘 잉곳 제조방법을 개시한다.실리콘 잉곳, 산처리, 플라즈마 처리, 일방향 응고
Int. CL C30B 21/02 (2006.01) C30B 29/06 (2006.01)
CPC C30B 21/02(2013.01) C30B 21/02(2013.01) C30B 21/02(2013.01)
출원번호/일자 1020090051566 (2009.06.10)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자 10-1178590-0000 (2012.08.24)
공개번호/일자 10-2010-0132792 (2010.12.20) 문서열기
공고번호/일자 (20120830) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.11.30)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최균 대한민국 경기도 광주시
2 음정현 대한민국 서울시 금천구
3 황광택 대한민국 서울특별시 강동구
4 김경자 대한민국 경기도 군포시 광정로 ***, 대림아파트 *

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서만규 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)
2 서경민 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 경상남도 진주시 소호로 ***
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2009-0351509-84
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2009.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0739269-10
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.04.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.04.27 수리 (Accepted) 9-1-2011-0037416-61
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0601446-43
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2011-1010420-48
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.12.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-1010422-39
8 등록결정서
Decision to grant		 2012.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0315192-00
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000353-25
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5040685-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
금속급 실리콘 럼프를 평균 입경이 10미크론 이하인 실리콘 분말로 분쇄하는 럼프 분쇄단계;상기 실리콘 분말을 산성 용액에 침지시켜 상기 실리콘 분말에 존재하는 불순물을 제거하는 산처리단계;상기 산처리단계를 거친 상기 실리콘 분말을 내부에 기공이 다수 존재하는 실리콘 성형체로 성형하는 성형단계;플라즈마 방전 영역에 상기 실리콘 성형체를 통과시키거나, 플라즈마 토치를 상기 실리콘 성형체에 분사하여 플라즈마 처리하는 플라즈마 처리단계; 및상기 플라즈마 처리단계를 거친 상기 실리콘 성형체를 일방향 응고로에서 용융시켜 실리콘 잉곳으로 제조하는 잉곳 제조단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 잉곳 제조방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 금속급 실리콘 럼프는 순도가 95
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서,상기 산처리 단계는 염산과 질산 및 불산 중 적어도 어느 하나를 포함하며 40℃보다 높은 온도로 유지되는 산성 용액에 상기 실리콘 분말을 적어도 1시간 동안 침지시키는 것을 특징으로 하는 실리콘 원료 제조방법
5 5
제 1항에 있어서,상기 잉곳 제조단계는 상기 실리콘 성형체를 상기 실리콘의 용융 온도보다 낮은 온도에서 30분 내지 3시간 동안 유지하여 실리콘 팰릿을 제조하는 팰릿 제조공정과상기 실리콘 팰릿을 상기 실리콘의 용융 온도보다 높은 온도에서 용융시킨 후에 냉각시켜 실리콘 잉곳을 제조하는 잉곳 제조공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 잉곳 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.