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압전 박막형 지문 센서 제조방법

  • 기술번호 : KST2015188759
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 압전 박막형 지문 센서 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 반도체 기판의 센싱 영역에 한 변의 길이가 수 십 마이크론 단위이며 압전체 박막과 상하부전극을 구비하는 단위 압전센서가 다수 개로 규칙적으로 배열되어 지문 센서를 하나의 칩으로 제조할 수 있는 압전 박막형 지문 센서 제조방법에 관한 것이다. 지문 센서, 압전센서, 반도체 공정
Int. CL G06T 1/00 (2013.01) G06K 9/00 (2013.01) A61B 5/117 (2013.01) H01L 41/187 (2013.01)
CPC G06K 19/0718(2013.01) G06K 19/0718(2013.01)
출원번호/일자 1020070057504 (2007.06.12)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자 10-0914026-0000 (2009.08.19)
공개번호/일자 10-2008-0109327 (2008.12.17) 문서열기
공고번호/일자 (20090828) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.06.12)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최균 대한민국 서울 마포구
2 최의석 대한민국 서울 동작구
3 김병익 대한민국 경기 과천시
4 김창정 대한민국 경기 용인시 수지구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서만규 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)
2 서경민 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2007-0425731-03
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.05.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.06.10 수리 (Accepted) 9-1-2008-0034084-98
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2008-5187618-45
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0605804-96
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2009-0050637-93
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.01.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0050636-47
8 등록결정서
Decision to grant		 2009.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0230197-18
9 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2009.07.06 수리 (Accepted) 1-1-2009-0410354-11
10 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2009.07.16 수리 (Accepted) 1-1-2009-0434378-68
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000353-25
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5040685-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판에 절연층을 형성하고 상기 절연층의 상면에 하부전극층과 압전물질층 및 상부전극층을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 상부전극층과 상기 압전물질층을 에칭하여 상부전극과 압전박막으로 형성하는 단계; 상기 하부전극층을 에칭하여 하부전극과, 상기 하부전극과 전기적으로 연결되는 하부전극리드 및, 상기 하부전극과 상기 하부전극리드로부터 전기적으로 절연되는 상부전극리드를 형성하는 단계; 상기 상부전극과 압전박막을 포함하는 영역에 패시베이션층을 형성하고, 상기 패시베이션층에서 상기 상부전극 상면의 일부를 노출시키는 상부전극홀을 형성하는 단계; 상기 상부전극홀의 상면으로 노출되는 상기 상부전극과 상기 상부전극리드를 전기적으로 연결하는 전극 브리지를 형성하는 단계; 상기 전극 브리지를 포함하는 영역에 상부 패시베이션층을 형성하는 단계 및 상기 상부 패시베이션층에서 상기 상부전극이 형성된 영역에 대응되는 영역에 가압패드를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 박막형 지문 센서 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 압전박막에 대응되는 형상으로 상기 반도체 기판의 후면에 후면 홈을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 박막형 지문 센서 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 압전물질층은 지르콘티탄산납(Pb(Zr,Ti)O3,), 아연니오브산납(Pb(Zn,Nb)O3)과 티탄산납(PbTiO3)의 고용체 및 마그네슘 니오브산납(Pb(Mg,Nb)O3)과 티탄산납(PbTiO3)의 고용체 중에서 선택되는 어느 하나의 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 압전 박막형 지문 센서 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 압전물질층은 300nm 내지 10㎛의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 압전 박막형 지문 센서 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 패시베이션층은 상기 상부전극리드가 형성되는 영역을 포함하여 형성되며, 상기 패시베이션층은 상기 상부전극리드의 상면이 노출되도록 상부리드홀이 형성되어 상기 전극 브리지가 상기 상부리드홀을 통하여 상기 상부전극리드에 접속되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 압전 박막형 지문 센서 제조방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 가압패드는 도금층이 패터닝되어 형성되는 것을 특징으로 하는 압전 박막형 지문 센서 제조방법
7 7
제 6항에 있어서, 상기 상부 패시베이션층은 상기 압전박막이 형성된 영역에 대응되는 영역에 가압패드홈이 형성되며, 상기 가압패드는 상기 가압패드홈을 포함하는 영역의 상기 상부 패시베이션층 상면에 형성되는 것을 특징으로 하는 압전 박막형 지문 센서 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.