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슈퍼커패시터용 그라핀 전극의 제조방법 및 이에 의해 제조된 슈퍼커패시터용 그라핀 전극

  • 기술번호 : KST2015188785
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 그라핀 분말, 도전재, 상기 그라핀 분말 입자간의 접착력을 향상시켜 충진밀도를 증가시키기 위한 당밀, 당밀 첨가에 의한 전극의 취성을 억제하여 전극의 유연성을 향상시키기 위한 폴리테트라플루오르에틸렌 및 분산매를 혼합하여 반죽 상의 그라핀 혼합물을 형성하는 단계와, 상기 그라핀 혼합물을 전극 모양에 따른 몰드에 충진하고 프레스로 압착 성형하는 단계 및 압착된 성형물을 150℃∼400℃에서 소결하는 단계를 포함하는 슈퍼커패시터용 그라핀 전극의 제조방법 및 이에 의해 제조된 슈퍼커패시터용 그라핀 전극에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 기존 활성탄에 비해 전도도가 향상되고 출력 특성이 우수하여 비축전용량이 높으며, 전극 손실량이 없어 수율 및 제조 단가에 유리한 슈퍼커패시터용 그라핀 전극을 제조할 수가 있다. 슈퍼커패시터, 그라핀(graphene), 당밀, 폴리테트라플루오르에틸렌(polytetrafluoroethylene)
Int. CL H01G 11/38 (2013.01) H01G 11/86 (2013.01)
CPC H01G 11/38(2013.01) H01G 11/38(2013.01) H01G 11/38(2013.01) H01G 11/38(2013.01)
출원번호/일자 1020090114933 (2009.11.26)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자 10-1079317-0000 (2011.10.27)
공개번호/일자 10-2011-0058223 (2011.06.01) 문서열기
공고번호/일자 (20111104) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.11.26)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 노광철 대한민국 경기도 광명시 광
2 박선민 대한민국 경기도 광명시 철
3 이재원 대한민국 경기도 광명시 철
4 이선영 대한민국 서울특별시 송파구
5 조민영 대한민국 서울특별시 은평구
6 박진배 대한민국 경기도 고양시 일산서구
7 신달우 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 고길수 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 **, *층 (서초동)(정석국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2009-0727049-46
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.11.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.12.06 수리 (Accepted) 9-1-2010-0074025-90
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0154553-67
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0299509-22
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0299512-60
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0299511-14
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.04.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0299501-68
9 등록결정서
Decision to grant
2011.09.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0520965-05
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000353-25
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5040685-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
슈퍼커패시터용 전극의 제조방법에 있어서, 그라핀 분말, 도전재, 상기 그라핀 분말 입자간의 접착력을 향상시켜 충진밀도를 증가시키기 위한 당밀, 당밀 첨가에 의한 전극의 취성을 억제하여 전극의 유연성을 향상시키기 위한 폴리테트라플루오르에틸렌 및 분산매를 혼합하여 반죽 상의 그라핀 혼합물을 형성하는 단계; 상기 그라핀 혼합물을 전극 모양에 따른 몰드에 충진하고 프레스로 압착 성형하는 단계; 및 압착된 성형물을 150℃∼400℃에서 소결하는 단계를 포함하며, 상기 도전재는 그라핀 분말 100중량부에 대하여 1∼35중량부 첨가하고, 상기 당밀은 그라핀 분말 100중량부에 대하여 0
2 2
제1항에 있어서, 상기 그라핀 분말은, 단일층 그라핀, 이중층 그라핀, 다층 그라핀 또는 튜브 형태의 그라핀으로 이루어진 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터용 그라핀 전극의 제조방법
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 프레스를 5∼20 ton/㎠의 압력으로 인가하여 압착 성형하는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터용 그라핀 전극의 제조방법
5 5
제1항에 기재된 슈퍼커패시터용 그라핀 전극의 제조방법으로 제조되고 펠렛(Pellet) 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터용 그라핀 전극
6 6
제5항에 있어서, 상기 그라핀 전극은 전극 밀도가 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.