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메모리 소자의 적층막 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015188809
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 메모리 소자의 적층막 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명은 메모리 소자에 구비되며, 절연막 사이에 전하저장막이 형성된 적층막으로서, 상기 전하저장막은 양이온과 음이온의 결합에 의하여 이온결합을 형성하는 이온화합물로 이루어진 이온결합성 박막이고, 상기 이온결합성 박막에는 칼라센터(Color Center)가 형성된 것을 특징으로 하는 메모리 소자의 적층막과, (a) 터널링 절연막을 형성시키는 단계; (b) 상기 터널링 절연막 위에 이온화합물을 증착시켜 이온결합성 박막을 형성시키는 단계; (c) 상기 이온결합성 박막에 칼라센터(Color Center)를 형성시키는 단계; 및 (d) 상기 이온결합성 박막 위에 전극 절연막을 형성시키는 단계; 를 포함하는 메모리 소자의 적층막 제조방법을 함께 제공한다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC H01L 29/66833(2013.01) H01L 29/66833(2013.01)
출원번호/일자 1020100011916 (2010.02.09)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자 10-1110594-0000 (2012.01.20)
공개번호/일자 10-2011-0092475 (2011.08.18) 문서열기
공고번호/일자 (20120215) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.02.09)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 허승헌 대한민국 서울특별시 동작구
2 현상일 대한민국 서울특별시 도봉구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 조성광 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***(가산동, 가산더블유센터) ****호(지본특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 경상남도 진주시 소호로 ***
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.02.09 수리 (Accepted) 1-1-2010-0086973-19
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.03.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.04.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0034788-15
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.05.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0247356-27
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.07.04 수리 (Accepted) 1-1-2011-0510020-59
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.07.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0510019-13
7 등록결정서
Decision to grant		 2011.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0704934-50
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000353-25
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5040685-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
메모리 소자에 구비되며, 절연막 사이에 전하저장막이 형성된 적층막으로서, 상기 전하저장막은 양이온과 음이온의 결합에 의하여 이온결합을 형성하는 이온화합물로 이루어진 이온결합성 박막이고, 상기 이온결합성 박막에는 칼라센터(Color Center)가 형성된 것을 특징으로 하는 메모리 소자의 적층막
2 2
제1항에서,상기 이온화합물을 구성하는 양이온과 음이온의 전기음성도 차이가 1
3 3
제1항에서,상기 이온화합물은 2개 이상의 원자가 1개 이상의 이온결합을 하여 구성된 것을 특징으로 하는 메모리 소자의 적층막
4 4
(a) 기판 위에 터널링 절연막을 형성시키는 단계;(b) 상기 터널링 절연막 위에 이온화합물을 증착시켜 이온결합성 박막을 형성시키는 단계;(c) 상기 이온결합성 박막에 칼라센터(Color Center)를 형성시키는 단계; 및(d) 상기 이온결합성 박막 위에 전극 절연막을 형성시키는 단계; 를 포함하는 메모리 소자의 적층막 제조방법
5 5
제4항에서,상기 (b)단계는 이온화합물의 나노입자를 증착시켜 이온결합성 박막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 메모리 소자의 적층막 제조방법
6 6
제5항에서,상기 (b)단계는 이온화합물 타겟에 대한 아르곤 이온 스퍼터링을 통해 이온결합성 박막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 메모리 소자의 적층막 제조방법
7 7
제4항에서,상기 (c)단계는 상기 이온결합성 박막에 전자, 포톤, 방사광, 열, 이온, 물리적 충격 중 어느 하나의 외부 에너지를 가하여 칼라센터를 형성시키는 것을 특징으로 하는 메모리 소자의 적층막 제조방법
8 8
(a) 기판 위에 터널링 절연막을 형성시키는 단계;(b'') 상기 터널링 절연막 위에 이온화합물 클러스터를 증착시켜 이온결합성 박막을 형성시키는 단계; 및(d) 상기 이온결합성 박막 위에 전극 절연막을 형성시키는 단계; 를 포함하는 메모리 소자의 적층막 제조방법
9 9
제8항에서,상기 (b'')단계는 이온화합물 고체를 기화시킨 후 특정 성분의 클러스터만을 질량 기준으로 선별하여 상기 터널링 절연막 위에 증착시키는 것을 특징으로 하는 메모리 소자의 적층막 제조방법
10 10
제9항에서,상기 (b'')단계는 레이저 증발법(Laser Ablation)으로 이온화합물 고체를 기화시키는 것을 특징으로 하는 메모리 소자의 적층막 제조방법
11 11
제9항에서,상기 (b'')단계는 FAB(Fast-Atom-Bombardment)법으로 이온화합물 고체를 기화시키는 것을 특징으로 하는 메모리 소자의 적층막 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.