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폴리페닐카보실란을 이용한 저유전 박막의 제조방법 및 이의 저유전 박막

  • 기술번호 : KST2015188810
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 폴리페닐카보실란을 이용한 저유전 박막의 제조방법 및 이의 저유전 박막에 관한 것으로, 구체적으로는 유전율(k)이 3 이하의 값을 가지며 표면 평활도가 우수하여 차세대 반도체 소자 및 디스플레이 분야에 층간 또는 배선간 절연물질 소재로 사용이 가능한 장점이 있다.
Int. CL H01L 21/208 (2006.01) H01L 21/31 (2006.01)
CPC H01L 21/02282(2013.01) H01L 21/02282(2013.01) H01L 21/02282(2013.01)
출원번호/일자 1020100012326 (2010.02.10)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자 10-1145841-0000 (2012.05.07)
공개번호/일자 10-2011-0092734 (2011.08.18) 문서열기
공고번호/일자 (20120517) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.02.10)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영희 대한민국 서울특별시 서대문구
2 김수룡 대한민국 서울특별시 관악구
3 권우택 대한민국 서울특별시 강남구
4 이윤주 대한민국 서울특별시 종로구
5 이정현 대한민국 경상남도 진주시 진주
6 김정주 대한민국 대구광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 경상남도 진주시 소호로 ***
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.02.10 수리 (Accepted) 1-1-2010-0089848-35
2 보정요구서
Request for Amendment
2010.02.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0013773-99
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2010.03.12 수리 (Accepted) 1-1-2010-0157937-29
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.05.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.06.17 수리 (Accepted) 9-1-2011-0052272-80
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0350959-32
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.08.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0664450-90
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.08.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-0664452-81
9 등록결정서
Decision to grant
2012.02.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0087699-08
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000353-25
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5040685-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
폴리페닐카보실란을 유기 용매에 녹여 농도가 5 내지 30중량%가 되도록 폴리페닐카보실란 용액을 제조하는 단계(S1);상기 S1 단계 후 실리콘웨이퍼 상에 상기 폴리페닐카보실란 용액을 코팅하는 단계(S2);상기 S2 단계 후 상기 폴리페닐카보실란이 코팅된 실리콘웨이퍼를 150 내지 350℃에서 10분 내지 1 시간 동안 경화시키는 단계(S3); 및상기 S3 단계 후 상기 경화된 실리콘웨이퍼를 400 내지 500℃에서 10분 내지 1 시간 동안 열처리하는 단계(S4);를 포함하는 저유전 박막의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 폴리페닐카보실란은 겔 투과 크로마토 그래피(GPC; Gel Permeation Chromatography)에 의해 측정되는 폴리스티렌 환산 중량평균 분자량(Mw)이 2000 내지 6000인 저유전 박막의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 유기 용매는 싸이클로헥산, 노말헥산, 테트라하이드로퓨란, 클로로포름, 벤젠 및 톨루엔 중 선택된 1종 이상의 유기 용매인 저유전 박막의 제조방법
4 4
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 따라 제조되고, 표면조도가 20㎚ 이하인 저유전 박막
5 5
삭제
6 6
제4항에 있어서, 상기 저유전 박막은 박막 두께가 100㎚ 내지 1㎛인 저유전 박막
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.