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방열성능이 우수한 발광다이오드 기판 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015188813
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 방열성능이 우수한 발광다이오드 기판 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 발광다이오드 기판 제조방법은 상면에 발광다이오드가 탑재되는 인쇄회로면이 형성된 기판을 제조하는 인쇄회로기판 제조공정과; 액상의 유기 니트릴 화합물과 액상의 유기 알루미늄 화합물을 혼합하여 질화알루미늄 전구체를 생성하고, 생성된 질화알루미늄 전구체를 불활성 가스분위기에서 50℃ 이상으로 가열하여 질화알루미늄 중합체를 생성하는 질화알루미늄 중합체 생성공정과; 박막기술법을 이용하여 질화알루미늄 중합체를 기판의 저면에 박막 형성하는 방열용 박막 형성공정을 포함한다. 이상과 같은 본 발명에 의하면, 발광다이오드 기판의 저면에 질화알루미늄 중합체를 이용하여 박막을 형성함으로써, 발광다이오드 소자로부터 발생하는 열을 빠르게 방산하여 방열성을 높일 수 있으며, 발광다이오드의 유효 이용률을 높일 수 있다.
Int. CL H01L 33/64 (2014.01)
CPC H01L 33/641(2013.01) H01L 33/641(2013.01) H01L 33/641(2013.01) H01L 33/641(2013.01)
출원번호/일자 1020100000783 (2010.01.06)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0080519 (2011.07.13) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.01.06)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전명표 대한민국 경기도 수원시 권선구
2 박인호 대한민국 서울특별시 송파구
3 조정호 대한민국 경기도 수원시 장안구
4 남중희 대한민국 경기도 군포시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이상문 대한민국 서울시 강남구 역삼로 *** 남경빌딩 ***호(삼오국제특허법률사무소)
2 박천도 대한민국 서울시 강남구 역삼로 *** 남경빌딩 ***호(삼오국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.01.06 수리 (Accepted) 1-1-2010-0006167-83
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.07.26 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.08.12 수리 (Accepted) 9-1-2011-0065168-33
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0782315-15
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.02.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0128255-00
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.02.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-0128272-76
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0447169-66
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000353-25
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5040685-78
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번호 청구항
1 1
상면에 발광다이오드가 탑재되는 인쇄회로면이 형성된 기판을 제조하는 인쇄회로기판 제조공정과;액상의 유기 니트릴 화합물과 액상의 유기 알루미늄 화합물을 혼합하여 질화알루미늄 전구체를 생성하고, 생성된 질화알루미늄 전구체를 불활성 가스분위기에서 50℃ 이상으로 가열하여 질화알루미늄 중합체를 생성하는 질화알루미늄 중합체 생성공정과;박막기술법을 이용하여 질화알루미늄 중합체를 기판의 저면에 박막 형성하는 방열용 박막 형성공정을 포함하는 발광다이오드 기판 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 질화알루미늄 중합체 생성공정은, 질화알루미늄 전구체를 불활성 가스분위기에서 50℃ ~ 250℃로 가열하여 1차의 질화알루미늄 중합체를 생성한 후, 1차의 질화알루미늄 중합체를 비양성자성 유기용매에 용해시킨 후, 환원성 가스, 불활성 가스 또는, 환원성 가스와 불활성 가스의 혼합가스 중 어느 하나의 가스 분위기에서 800℃ ~ 2,200℃로 가열하여 2차의 질화알루미늄 중합체를 생성하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 기판 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 질화알루미늄 중합체 생성공정은, 질화알루미늄 전구체를 불활성 가스분위기에서 50℃ ~250℃로 가열하여 1차의 질화알루미늄 중합체를 생성한 후, 1차의 질화알루미늄 중합체를 비양성자성 유기용매에 용해시킨 후, 암모니아 가스 분위기에서 600℃로 가열하여 2차의 질화알루미늄 중합체를 생성하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 기판 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 질화알루미늄 중합체 생성공정에서, 질화알루미늄 전구체는 액상의 유기 니트릴 화합물과 액상의 유기 알루미늄 화합물을 혼합하기 전에, 액상의 유기 니트릴 화합물과 액상의 유기 알루미늄 화합물이 더 잘 섞이도록, 액상의 유기 알루미늄 화합물을 비양성자성의 유기용매에 먼저 혼합하여 생성하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 기판 제조방법
5 5
제 1 항에 따른 발광다이오드 기판 제조방법으로 제조된 발광다이오드 기판
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국가 R&D 정보가 없습니다.