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CIGS 광흡수층을 구성하는 원소를 포함하는 소스 물질을 용매에 분산시켜 소스 용액을 제조하는 소스 용액 제조단계와
상기 소스 용액을 기판의 상면에 공급하여 CIGS 산화막을 형성하는 산화막 형성단계 및
상기 기판의 상면에 형성된 상기 CIGS 산화막을 금속층으로 환원시켜 CIGS 광흡수층으로 형성하는 산화막 환원단계를 포함하며,
상기 소스 용액은 초음파 분무기(ultrasonic atomizer)에 미스트화되며, 질소 또는 알곤을 포함하는 캐리어 가스에 의하여 상기 기판의 상면으로 공급되는 것을 특징으로 하는 CIGS 광흡수층 제조방법
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제 1항에 있어서,
상기 소스 물질은 구리를 포함하는 소스 물질로서 Copper selenite dihydrate [CuSeO3·2H2O] 또는 Copper sulfate hydrate [CuSO4·xH2O]가 사용되며, 인듐을 포함하는 소스 물질은 Indium sulfate hydrate [In2(SO4)3·xH2O]가 사용되며, 갈륨을 포함하는 소스 물질은 Gallium sulfate hydrate [Ga2(SO4)3·xH2O]가 사용되는 것을 특징으로 하는 CIGS 광흡수층 제조방법
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제 1항에 있어서,
상기 소스 물질은 구리 또는 인듐 또는 갈륨을 포함하는 hydroxide가 사용되는 것을 특징으로 CIGS 광흡수층 제조방법
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삭제
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제 1 항에 있어서,
상기 산화막 형성단계는 500 ∼ 580℃의 온도로 유지되는 반응 챔버에서 진행되는 것을 특징으로 하는 CIGS 광흡수층 제조방법
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제 1항에 있어서,
상기 산화막 환원단계는 상기 CIGS 산화막에 셀레늄 증기와 수소가 포함된 포밍 가스(forming gas)를 공급하여 진행되는 것을 특징으로 CIGS 광흡수층 제조방법
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제 6항에 있어서
상기 셀레늄 증기는 400 ∼ 580 ℃의 노(furnace)에서 Se 분말이 가열되어 생성되는 것을 특징으로 하는 CIGS 광흡수층 제조방법
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제 1항에 있어서,
상기 산화막 환원단계는 셀레늄 증기와 포밍 가스를 공급하기 전에, 100%의 수소 분위기의 1 ∼ 30atm의 고압에서 CIGS 산화막을 환원시키는 환원 예비 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CIGS 광흡수층 제조방법
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제 1항에 있어서,
상기 CIGS 광흡수층은 CIGSSe2인 것을 특징으로 CIGS 광흡수층 제조방법
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