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Ｎｉ박막 제조방법

  • 기술번호 : KST2015188833
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 새로운 반도체용 박막 제조방법에 관한 것이다. 전통적인 반도체용 박막 제조방법들이 기상에서 전구체가 날아와서 기판에 증착이 되는 원리를 이용한 것인 반면, 본 기술은 기판 위에 미리 프리커서막을 형성시킨 후 외부에서 에너지를 가해 상기 프리커서막에 화학적 변형이 일어나 박막이 형성되도록 한 것이다.
Int. CL H01L 21/205 (2006.01)
CPC H01L 21/28506(2013.01) H01L 21/28506(2013.01) H01L 21/28506(2013.01) H01L 21/28506(2013.01)
출원번호/일자 1020100011917 (2010.02.09)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0092476 (2011.08.18) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 포기
심사진행상태 포기
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.02.09)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 허승헌 대한민국 서울특별시 동작구
2 현상일 대한민국 서울특별시 도봉구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 조성광 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***(가산동, 가산더블유센터) ****호(지본특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.02.09 포기 (Abandonment) 1-1-2010-0086978-47
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.03.23 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.04.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0034789-50
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.05.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0255902-90
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.07.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0534154-19
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2011-0534155-65
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0754186-10
8 [특허 등 절차 포기]취하(포기)서
[Abandonment of Procedure such as Patent, etc.] Request for Withdrawal (Abandonment)		 2012.01.02 수리 (Accepted) 1-1-2012-0001885-54
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000353-25
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5040685-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 챔버 내에 배치된 기판 위에 1종 이상의 전구체를 코팅하여 프리커서막을 형성시키는 단계; 및(b) 상기 프리커서막에 에너지원을 조사하여, 화학적으로 변형된 박막을 형성시키는 단계; 를 포함하는 에너지에 의한 변형 박막 제조방법
2 2
제1항에서,상기 (a)단계는 전구체를 기화시킨 후 가열된 기판에 증착시켜 프리커서막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 에너지에 의한 박막 제조 방법
3 3
제1항에서,상기 (a)단계는 전구체를 기화시킨 후 냉각된 기판에 증착시켜 프리커서막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 에너지원에 의한 박막 제조 방법
4 4
제1항에서,상기 (a)단계는 전구체의 기화에 따른 자체 증기압으로 상기 전구체를 기판에 증착시켜 프리커서 막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 에너지에 의한 박막 제조 방법
5 5
제1항에서,상기 에너지원은 포톤, UV, 전자, 열, 방사광, RF 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 에너지에 의한 변형 박막 제조방법
6 6
제1항에서,상기 (b)단계는 챔버 내에 반응가스를 도입한 후 에너지원을 조사하는 것을 특징으로 하는 에너지에 의한 변형 박막 제조방법
7 7
제1항에서,상기 (a)단계에서는 Ni(C5H5)2를 전구체로 적용하여 프리커서막을 형성시키고,상기 (b)단계에서는 챔버 내부를 진공상태로 만들고 상기 프리커서막에 전자빔을 조사하여 Ni박막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 에너지에 의한 변형 박막 제조방법
8 8
제1항에서,상기 (a)단계에서는 Ni(C5H5)2를 전구체로 적용하여 프리커서막을 형성시키고,상기 (b)단계에서는 챔버 내에 산소가 도입된 상태에서 상기 프리커서막에 전자빔을 조사하여 NiO박막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 에너지에 의한 변형 박막 제조방법
9 9
제1항에서,상기 (a)단계에서는 Ni(C5H5)2를 전구체로 적용하여 프리커서막을 형성시키고,상기 (b)단계에서는 챔버 내에 수소가 도입된 상태에서 상기 프리커서막에 전자빔을 조사하여 Ni박막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 에너지에 의한 변형 박막 제조방법
10 10
제1항에서,상기 (a)단계에서는 W(CO)6를 전구체로 적용하여 프리커서막을 형성시키고,상기 (b)단계에서는 챔버 내부를 진공상태로 만들고 상기 프리커서막에 UV를 조사하여 W박막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 에너지에 의한 변형 박막 제조방법
11 11
제1항에서,상기 (a)단계에서는 TaCl5를 전구체로 적용하여 프리커서막을 형성시키고,상기 (b)단계에서는 챔버 내에 수소가 도입된 상태에서 상기 프리커서막에 전자빔을 조사하여 Ta박막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 에너지에 의한 변형 박막 제조방법
12 12
제1항에서,상기 (a)단계에서는 TaCl5를 전구체로 적용하여 프리커서막을 형성시키고,상기 (b)단계에서는 챔버 내에 수소와 메탄가스가 도입된 상태에서 상기 프리커서막에 전자빔을 조사하여 TaC박막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 에너지에 의한 변형 박막 제조방법
13 13
제1항에서,상기 (a)단계에서는 SiH5를 전구체로 적용하여 프리커서막을 형성시키고,상기 (b)단계에서는 챔버 내부를 진공상태로 만들고 상기 프리커서막에 자외선을 조사하여 Si박막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 에너지에 의한 변형 박막 제조방법
14 14
제1항에서,상기 (a)단계에서는 Ni(C5H5)2과 W(CO)6를 동시에 전구체로 적용하여 Ni(C5H5)2-W(CO)6 혼합 프리커서막을 형성시키고,상기 (b)단계에서는 상기 챔버 내부를 진공상태로 만들고 상기 프리커서막에 전자빔을 조사하여 Ni-W박막 형성시키는 것을 특징으로 하는 에너지에 의한 변형 박막 제조방법
15 15
제1항에서, 상기 (a)단계에서는 Ni(C5H5)2과 W(CO)6을 각각 전구체로 적용한 2중의 프리커서막을 형성시키고,상기 (b)단계에서는 상기 챔버 내부를 진공상태로 만들고 상기 프리커서막에 IR 포톤을 조사하여 Ni-W이중박막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 에너지에 의한 변형 박막 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.