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부분적으로 열 환원된 그라핀막 제조방법 및 염료감응형 태양전지의 상대전극 제조방법

  • 기술번호 : KST2015188852
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 그라핀 산화물막에 열 에너지를 가하여 부분적으로 환원된 구조를 이루는 친수성의 기능성 막 제조방법에 관한 것으로서, 이는 이온 및 이온 함유 용액을 부분적으로 통과시키는 물성을 갖으며, 본 발명에서는 이러한 막을 응용한 연료감응형 태양전지의 상대전극 제조방법을 함께 제공하고자 한다.본 발명은 (a) 기판 위에 그라핀 산화물 막을 형성시키는 단계; 및 (b) 상기 그라핀 산화물 막을 50~400℃에서 열처리하여 부분적으로 열 환원시키는 단계; 를 포함하는 부분적으로 열 환원된 그라핀막 제조방법을 함께 제공한다.또한, 본 발명은 (A) 투명전도막 위에 그라핀 산화물 막을 형성시키는 단계; (B) 상기 그라핀 산화물 막을 50~400℃에서 열처리하여 부분적으로 열 환원시켜 부분적으로 열 환원된 그라핀막을 얻는 단계; 및 (C) 상기 부분적으로 열 환원된 그라핀막을 이온 전도성 용액에 접촉시키는 단계; 를 포함하는 염료감응형 태양전지의 상대전극 제조방법을 함께 제공한다.또한, 본 발명은 이격된 투명전도막의 대향면에 작업전극과 상대전극이 각각 코팅되어 있고, 상기 작업전극과 상대전극 사이의 공간에 이온 전도성 용액이 채워져 밀폐되어 있으며, 상기 상대전극은 부분적으로 열 환원된 그라핀막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지를 함께 제공한다.
Int. CL H01L 31/04 (2014.01) H01L 31/0224 (2014.01)
CPC H01G 9/2022(2013.01) H01G 9/2022(2013.01)
출원번호/일자 1020100070253 (2010.07.21)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자 10-1153947-0000 (2012.05.31)
공개번호/일자 10-2012-0008902 (2012.02.01) 문서열기
공고번호/일자 (20120608) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.07.21)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 허승헌 대한민국 서울특별시 동작구
2 최성호 대한민국 서울특별시 금천구
3 주혜미 대한민국 서울특별시 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 조성광 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***(가산동, 가산더블유센터) ****호(지본특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 경상남도 진주시 소호로 ***
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2010-0469381-28
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0556591-10
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.09.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0760758-76
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0760759-11
5 등록결정서
Decision to grant		 2012.03.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0132346-42
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000353-25
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5040685-78
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번호 청구항
1 1
(a) 기판 위에 그라핀 산화물 막을 형성시키는 단계; 및 (b) 상기 그라핀 산화물 막을 50~400℃에서 열처리하여 부분적으로 열 환원시키는 단계; 를 포함하는 부분적으로 열 환원된 그라핀막 제조방법
2 2
(A) 투명전도막 위에 그라핀 산화물 막을 형성시키는 단계; (B) 상기 그라핀 산화물 막을 50~400℃에서 열처리하여 부분적으로 열 환원된 그라핀막을 얻는 단계; 및 (C) 상기 부분적으로 열 환원된 그라핀막을 이온 전도성 용액에 접촉시키는 단계; 를 포함하는 염료감응형 태양전지의 상대전극 제조방법
3 3
제2항에서, 상기 (A)단계는 화학적 용액공정으로 제조된 그라핀 산화물을 증류수에 희석시킨 코팅용액을 투명전도막 위에서 스핀코팅하여 공정으로 시행하는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지의 상대전극 제조방법
4 4
제3항에서, 상기 (A)단계는 그라핀 산화물 0
5 5
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.