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(a) 내플라즈마성을 평가하려는 소재의 표면 연마 후, 표면조도를 측정하는 단계;(b) 상기 표면조도가 미리 정한 크기 인지 여부를 판단하여 상기 표면조도가 미리 정한 크기보다 작거나 같을 경우에는 식각율 측정법을 적용하여 시험편을 준비하고 모든 시험편에 대하여 표면조도가 미리 정한 크기보다 작거나 같게 되도록 표면을 연마하고, 상기 표면조도가 미리 정한 크기보다 클 경우에는 무게감소율 측정법을 적용하여 시험편을 준비하고 시험편의 무게를 측정하는 단계;(c) 상기 식각율 측정법을 적용하려는 시험편 또는 상기 무게감소율 측정법을 적용하려는 시험편에 표면 마스킹을 하는 단계;(d) 표면 마스킹된 시험편을 플라즈마에 노출시키는 시험을 수행하는 단계;(e) 상기 식각율 측정법을 적용하는 경우에, 플라즈마에 노출이 끝난 시험편의 표면을 표면 프로파일러를 사용하여 표면의 형상을 디지털 데이터로 읽어 수학적으로 표면의 형상을 처리하고, 상기 표면 프로파일러로부터 읽어드린 원자료에서 식각이 이루어진 영역과 마스킹된 영역의 경계면의 불규칙성을 제거하고, 마스킹된 표면의 프로파일과 플라즈마에 노출된 표면을 2차원 함수로 폴리노미얼 피팅하고, 식각면의 중간지점에서 피팅된 두 선 사이의 높이 차이를 읽어 식각 깊이로 결정하며, 측정된 식각 깊이를 플라즈마에 노출된 시간으로 나누어 식각율을 계산하고, 계산된 상기 식각율을 표준물질의 식각율과 비교하여 상대식각율을 계산하며, 상기 무게감소율 측정법을 적용하는 경우에, 플라즈마에 노출된 시험편의 무게를 측정하고 플라즈마에 노출되기 전의 시험편의 무게와 플라즈마에 노출된 시험편의 무게를 비교하여 무게감소율을 계산하고, 계산된 상기 무게감소율을 표준물질의 무게감소율과 비교하여 상대 무게감소율을 계산하는 단계; 및(f) 상기 식각율 측정법을 적용하는 경우에 상기 상대식각율의 평균값 및 표준편차를 계산하고, 상기 무게감소율 측정법을 적용하는 경우에 상기 상대 무게감소율의 평균값과 표준편차를 계산하는 단계를 포함하는 내플라즈마성 평가방법
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제1항에 있어서, 상기 플라즈마에 노출시키는 시험을 수행하는 단계는, 식각장치가 유도결합플라즈마 장치인 경우에 바이어스의 제어가 가능한지 여부를 판단하고 바이어스의 제어가 가능하지 않은 경우에는 바이어스의 제어가 가능한 장치로 교체하는 단계; 및반응성이온에칭 장치 또는 바이어스의 제어가 가능한 유도결합플라즈마 장치의 바이어스를 설정하고, 상기 플라즈마에 노출시키는 시험을 진행하는 단계를 포함하는 내플라즈마성 평가방법
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제1항에 있어서, 상기 표면 프로파일러로부터 읽어드린 원자료에서 식각이 이루어진 영역과 마스킹된 영역의 경계면의 불규칙성을 제거하는 것은, 가장 높이가 높은 지점을 기준으로 식각된 영역의 너비의 10%의 데이터를 좌우로 제거하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 내플라즈마성 평가방법
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제1항에 있어서, 상기 (b) 단계에서 표준조도의 미리 정한 크기는 50㎚ 인 것을 특징으로 하는 내플라즈마성 평가방법
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제1항에 있어서, 상기 내플라즈마성을 평가하려는 소재는 세라믹 소재이고, 상기 표준물질은 실리콘, 쿼츠 또는 사파이어인 것을 특징으로 하는 내플라즈마성 평가방법
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제1항에 있어서, 상기 플라즈마에 노출시키는 시험에 사용되는 가스는 CF4, O2 및 Ar을 포함하며, 상기 가스의 비는 6:1:2로 설정하고, 식각장치의 공정압력은 10mTorr로 설정하며, 상기 플라즈마에 노출시키는 시험은 10분 동안 플라즈마에 노출시키고, 5분 동안 휴지하는 방법으로 6회 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 내플라즈마성 평가방법
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