| 1 |
1
삭제
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
삭제
|
| 7 |
7
기판을 전자빔 증착장치의 챔버 내에 구비된 기판 홀더에 장착하고, 상기 기판의 온도는 50～800℃ 범위로 설정하는 단계;상기 전자빔 증착장치의 전자총으로부터 주사된 전자빔이 영구 자석에 의하여 편향되어 도가니 내에 수용된 Y2O3로 이루어진 증발소스로 입사되게 하는 단계; 상기 전자빔이 증발소스에 입사됨에 따라 상기 증발소스는 가열·용융되는 단계; 및상기 증발소스의 상부에 위치한 셔터를 개방하여 상기 증발소스의 증발 입자가 증발 경로를 따라서 상방으로 진행되게 하고, 상기 기판 홀더의 아랫면에 장착된 기판의 일면에 Y2O3가 증착되게 하되, Y2O3 코팅막이 0
|
| 8 |
8
제7항에 있어서, 상기 증발소스가 증발되는 동안에 가스공급수단을 통해 상기 챔버 내에 산소가 공급되게 하고, 공급되는 산소의 유량이 0
|
| 9 |
9
제7항에 있어서, 상기 증발소스가 증발되는 동안에 상기 챔버의 진공도가 0
|
| 10 |
10
제7항에 있어서, 상기 Y2O3 코팅막이 증착되는 속도는 30～120㎚/min 범위를 이루게 제어하는 것을 특징으로 하는 내플라즈마 부재의 제조방법
|
| 11 |
11
제7항에 있어서, 상기 Y2O3 코팅막을 이루는 입자 크기는 5～50㎚이고, 상기 Y2O3 코팅막의 두께는 0
|
| 12 |
12
제7항에 있어서, 상기 Y2O3 코팅막은 평균 표면조도가 1～500㎚ 범위를 이루는 치밀한 막인 것을 특징으로 하는 내플라즈마 부재의 제조방법
|
| 13 |
13
제7항에 있어서, 상기 기판은 실리콘계, 산화물계, 질화물계, 탄화물계 또는 비산화물계 세라믹스 소결체 재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 내플라즈마 부재의 제조방법
|
| 14 |
14
제7항에 있어서, 상기 내플라즈마 부재는 할로겐 화합물을 포함하는 가스 분위기에서 발생되는 플라즈마 환경에 노출되는 케소드, 포커스링, 인슐레이터링, 실드링, 벨로우즈커버 또는 데포실드로 이용되는 것을 특징으로 하는 내플라즈마 부재의 제조방법
|
| 15 |
15
제7항에 있어서, 상기 코팅을 중단하는 경우에 상기 전자총에 인가되는 파워의 공급을 차단하거나, 상기 증발소스의 증발 경로를 셔터로 차폐하며, 상기 코팅을 중단하는 동안에도 상기 기판의 온도는 50～800℃ 범위로 일정하게 유지되는 것을 특징으로 하는 내플라즈마 부재의 제조방법
|
