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이트륨(Y), 가돌리늄(Gd), 알루미늄(Al) 및 칼슘(Ca) 중에서 선택된 1종 이상의 원소의 양이온과 불소(F)와 산소(O)의 음이온을 포함하며, 상기 음이온의 전체 함량 중에서 불소(F) 음이온의 함량이 10～90중량% 범위를 이루는 것을 특징으로 하는 내플라즈마 결정질 세라믹 코팅막
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제1항에 있어서, 상기 내플라즈마 결정질 세라믹 코팅막은 10~300nm 사이의 결정질 입자로 구성되고, 산불화물, 산화물과 불화물, 또는 산화물과 산불화물로 구성되며, 상기 내플라즈마 결정질 세라믹 코팅막의 상대밀도는 적어도 97%를 이루는 것을 특징으로 하는 내플라즈마 결정질 세라믹 코팅막
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제1항에 있어서, 상기 내플라즈마 결정질 세라믹 코팅막은 기판 상에 1～300㎛의 두께로 코팅된 막이고, 상기 기판은 실리콘계, 산화물계, 질화물계, 탄화물계 또는 비산화물계 세라믹스 소결체 재료로 이루어지며, 상기 기판은 1～100nm 범위의 평균 표면조도를 갖는 것을 특징으로 하는 내플라즈마 결정질 세라믹 코팅막
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제1항에 있어서, 상기 내플라즈마 결정질 세라믹 코팅막은 평균 표면조도가 1～500㎚ 범위를 이루는 치밀한 막인 것을 특징으로 하는 내플라즈마 결정질 세라믹 코팅막
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제1항에 있어서, 상기 내플라즈마 결정질 세라믹 코팅막은 X-선 회절 패턴에서 2θ가 16°, 28° 또는 32°에서 피크를 나타내는 이트륨산화불소(Y6O5F8)막을 포함하는 것을 특징으로 하는 내플라즈마 결정질 세라믹 코팅막
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(a) 성막 챔버 내에 구비된 회동 가능한 홀더에 연동되게 기판을 설치하는 단계;(b) 상기 성막 챔버 내부를 일정 압력으로 유지하는 단계;(c) 이트륨(Y), 가돌리늄(Gd), 알루미늄(Al) 및 칼슘(Ca) 중에서 선택된 1종 이상의 원소와 불소(F) 성분을 포함하는 세라믹 분말이 놓인 공간으로 운반가스를 공급하여 상기 세라믹 분말을 에어로졸화하는 단계; (d) 형성된 에어로졸을 압력차에 의해 성막 챔버 내의 노즐로 공급하는 단계; (e) 상기 노즐의 분사구와 성막하려는 기판 사이의 거리가 2～20㎜ 범위로 일정하게 유지되게 하면서 상기 기판을 향해 에어로졸이 분사되게 하여 상기 기판에 분사된 에어로졸이 충격에 의하여 분쇄되면서 성막되어 세라믹 코팅막을 형성하는 단계; 및(f) 상기 세라믹 코팅막을 산소 또는 공기 분위기에서 열처리하여 산소불화 처리하는 단계를 포함하며, 상기 산소불화 처리에 의해 형성된 내플라즈마 결정질 세라믹 코팅막은 이트륨(Y), 가돌리늄(Gd), 알루미늄(Al) 및 칼슘(Ca) 중에서 선택된 1종 이상의 원소의 양이온과 불소(F)와 산소(O)의 음이온을 포함하며, 상기 음이온의 전체 함량 중에서 불소(F) 음이온의 함량이 10～90중량% 범위를 이루는 것을 특징으로 하는 내플라즈마 결정질 세라믹 코팅막의 제조방법
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(a) 이트륨(Y), 가돌리늄(Gd), 알루미늄(Al) 및 칼슘(Ca) 중에서 선택된 1종 이상의 원소와 불소(F) 성분을 포함하는 세라믹 분말을 열처리하여 산소불화 처리하는 단계; (b) 성막 챔버 내에 구비된 회동 가능한 홀더에 연동되게 기판을 설치하는 단계;(c) 상기 성막 챔버 내부를 일정 압력으로 유지하는 단계;(d) 산소불화 처리된 상기 세라믹 분말이 놓인 공간으로 운반가스를 공급하여 상기 세라믹 분말을 에어로졸화하는 단계; (e) 형성된 에어로졸을 압력차에 의해 성막 챔버 내의 노즐로 공급하는 단계; 및(f) 상기 노즐의 분사구와 성막하려는 기판 사이의 거리가 2～20㎜ 범위로 일정하게 유지되게 하면서 상기 기판을 향해 에어로졸이 분사되게 하여 상기 기판에 분사된 에어로졸이 충격에 의하여 분쇄되면서 성막되어 내플라즈마 결정질 세라믹 코팅막을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 결정질 세라믹 코팅막은 이트륨(Y), 가돌리늄(Gd), 알루미늄(Al) 및 칼슘(Ca) 중에서 선택된 1종 이상의 원소의 양이온과 불소(F)와 산소(O)의 음이온을 포함하며, 상기 음이온의 전체 함량 중에서 불소(F) 음이온의 함량이 10～90중량% 범위를 이루는 것을 특징으로 하는 내플라즈마 결정질 세라믹 코팅막의 제조방법
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제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 기판은 실리콘계, 산화물계, 질화물계, 탄화물계 또는 비산화물계 세라믹스 소결체 재료로 이루어진 것이며, 상기 기판은 1～100nm 범위의 평균 표면조도를 갖도록 연마된 것을 특징으로 하는 내플라즈마 결정질 세라믹 코팅막의 제조방법
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제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 내플라즈마 결정질 세라믹 코팅막은 기판 상에 1～300㎛의 두께로 형성하고, 상기 내플라즈마 결정질 세라믹 코팅막은 10~300nm 사이의 결정질 입자로 구성되고, 산불화물, 산화물과 불화물, 또는 산화물과 산불화물로 구성되며, 상기 내플라즈마 결정질 세라믹 코팅막의 상대밀도는 적어도 97%를 이루는 것을 특징으로 하는 내플라즈마 결정질 세라믹 코팅막의 제조방법
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제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 열처리는 산소 또는 공기 분위기에서 500℃～1000℃의 온도에서 1분～10시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 내플라즈마 결정질 세라믹 코팅막의 제조방법
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제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 세라믹 분말은 5㎚～6㎛ 범위의 입자 크기를 갖는 YF3 분말이고, 상기 내플라즈마 결정질 세라믹 코팅막은 X-선 회절 패턴에서 2θ가 16°, 28° 또는 32°에서 피크를 나타내는 이트륨산화불소(Y6O5F8)막을 포함하는 것을 특징으로 하는 내플라즈마 결정질 세라믹 코팅막의 제조방법
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