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제1 유입구를 통하여 공급되는 SiCl4 가스를 이송하는 제1 튜브,제2 유입구를 통하여 공급되는 불활성 가스를 이송하며 상기 제1 튜브를 둘러싸도록 구성된 제2 튜브, 및제3 유입구를 통하여 공급되는 산소 가스를 이송하며 상기 제2 튜브를 둘러싸도록 구성된 제3 튜브를 포함하는 반응가스 이송관; 및상기 반응가스 이송관이 결합되고 고주파 전력을 인가하여 플라즈마를 발생 및 유지하는 플라즈마 형성부;를 포함하며, 상기 플라즈마 형성부는,상기 반응가스 이송관을 지지하면서 토치 중앙 가스를 주입하는 제1 주입구가 측면에 형성된 베이스 프레임;상기 베이스 프레임이 장치되며 상기 반응가스 이송관이 삽입되어 연장되는 방향으로 플라즈마 화염이 형성되는 공간을 이루는 토치 실린더가 삽입되고 그의 내측으로 토치 쉬즈 가스를 가이드하도록 상기 토치 실린더와 이격되면서 상기 반응가스 이송관이 연장된 방향으로 연장된 내부 실린더가 삽입되며 상기 토치 실린더와 상기 내부 실린더의 이격된 공간으로 상기 토치 쉬즈 가스를 주입하는 제2 주입구와 토치 냉매를 배출하는 배출구가 형성된 메인 프레임;상기 토치 실린더의 외벽을 따라 상기 토치 냉매를 순환시키고 상기 배출구로 상기 토치 냉매를 배출하는 구조를 갖는 냉각부;상기 냉각부의 외부에 배치되고 고주파 전력이 인가되는 코일이 설치되어서 상기 토치 실린더 내부의 플라즈마 발생을 유도하는 고주파 인가부;상기 고주파 인가부의 외부에 형성되며 상기 메인 프레임과 결합됨으로써 외벽을 이루는 단열벽; 및 상기 토치 실린더와 상기 단열벽의 단부에 결합되며 상기 냉각부로 냉매를 공급하는 냉매 주입구가 형성된 분사 프레임;을 포함하는 석영 유리 제조용 플라즈마 토치
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제1항에 있어서,상기 제1 튜브 내지 상기 제3 튜브 중 상기 제3 튜브가 가장 긴 위치까지 연장되고 상기 제1 튜브가 가장 짧은 위치까지 연장되는 석영 유리 제조용 플라즈마 토치
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제1항에 있어서,상기 제1 튜브는 상기 SiCl4의 공급 위치를 조절할 수 있도록 슬라이딩 가능하도록 설치된 석영 유리 제조용 플라즈마 토치
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시드 역할을 하는 석영 유리봉이 설치되고 폐가스의 포집을 위한 포집 장치가 설치된 챔버; 및상기 석영 유리봉을 향하여 경사지게 지향하면서 상기 석영 유리봉과 이격 거리를 조절할 수 있도록 설치됨으로써 플라즈마 화염을 방출하여 상기 석영 유리봉에 생성물을 집적하는 플라즈마 토치;를 포함하며,상기 플라즈마 토치는,서로 직경이 다른 튜브가 중첩된 삼중 튜브 구조를 가지며 SiCl4 가스와 산소 가스가 중간에 위치한 튜브를 통하여 공급되는 불활성 가스에 의하여 분리되어 이송되고 상기 불활성 가스에 의하여 SiCl4 가스와 산소 가스의 반응이 억제되는 반응가스 이송관; 및상기 반응가스 이송관이 결합되고 고주파 전력에 의하여 플라즈마를 발생 및 유지하여서 상기 플라즈마 화염을 형성하는 플라즈마 형성부;를 포함하며,상기 플라즈마 형성부는, 상기 반응가스 이송관을 지지하면서 토치 중앙 가스를 주입하는 제1 주입구가 측면에 형성된 베이스 프레임;상기 베이스 프레임이 장치되며 상기 반응가스 이송관이 삽입되어 연장되는 방향으로 플라즈마 화염이 형성되는 공간을 이루는 토치 실린더가 삽입되고 그의 내측으로 토치 쉬즈 가스를 가이드하도록 상기 토치 실린더와 이격되면서 상기 반응가스 이송관이 연장된 방향으로 연장된 내부 실린더가 삽입되며 상기 토치 실린더와 상기 내부 실린더의 이격된 공간으로 상기 토치 쉬즈 가스를 주입하는 제2 주입구와 토치 냉매를 배출하는 배출구가 형성된 메인 프레임;상기 토치 실린더의 외벽을 따라 상기 토치 냉매를 순환시키고 상기 배출구로 상기 토치 냉매를 배출하는 구조를 갖는 냉각부;상기 냉각부의 외부에 배치되고 고주파 전력이 인가되는 코일이 설치되어서 상기 토치 실린더 내부의 플라즈마 발생을 유도하는 고주파 인가부;상기 고주파 인가부의 외부에 형성되며 상기 메인 프레임과 결합됨으로써 외벽을 이루는 단열벽; 및 상기 토치 실린더와 상기 단열벽의 단부에 결합되며 상기 냉각부로 냉매를 공급하는 냉매 주입구가 형성된 분사 프레임;을 포함하는 석영 유리 제조용 반응 챔버
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제5항에 있어서,상기 SiCl4 가스는 상기 반응가스 이송관의 중앙의 튜브를 통하여 이송되는 석영 유리 제조용 반응 챔버
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제6항에 있어서,상기 반응가스 이송관의 중앙의 튜브는 상기 SiCl4의 공급 위치를 조절할 수 있도록 슬라이딩 가능하도록 설치된 석영 유리 제조용 반응 챔버
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제5항에 있어서,상기 반응가스 이송관은 가장 외곽의 튜브가 가장 긴 위치까지 연장되고 중앙의 튜브가 가장 짧은 위치까지 연장되는 석영 유리 제조용 반응 챔버
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제5항에 있어서,상기 반응가스 이송관은 석영유리 재질로 형성된 것으로 구성되는 석영 유리 제조용 반응 챔버
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제5항에 있어서,상기 플라즈마 토치는 이격 거리 조절 장치를 더 포함함으로써 상기 석영 유리봉과 이격 거리를 조절하는 석영 유리 제조용 반응 챔버
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제5항에 있어서,상기 플라즈마 토치는 상기 석영 유리봉을 향하여 45° 각도로 지향하도록 설치되는 석영 유리 제조용 반응 챔버
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