맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

단일상 ＣＩＧＳ 나노분말의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015188876
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 CIGS 분말의 제조방법에 의하면, CIGS 합성공정에 있어서 소위 결정핵의 기능을 하는 시드(seed)를 먼저 형성하고 이를 이용하여 그 주위에 단일상이 결집되도록 하는 메카니즘으로써 단일상의 CIGS 결정구조를 제조한다. 이로써, 비진공방식으로서 균일하고 대면적의 CIGS 광흡수층을 제조가능한 단일상의 CIGS 나노분말의 제조가 가능하다.
Int. CL B82B 3/00 (2006.01) B22F 9/06 (2006.01)
CPC B22F 9/06(2013.01) B22F 9/06(2013.01) B22F 9/06(2013.01) B22F 9/06(2013.01) B22F 9/06(2013.01)
출원번호/일자 1020100082526 (2010.08.25)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자 10-1269848-0000 (2013.05.27)
공개번호/일자 10-2012-0019235 (2012.03.06) 문서열기
공고번호/일자 (20130607) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.08.25)
심사청구항수 19

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 신효순 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 여동훈 대한민국 서울특별시 송파구
3 홍연우 대한민국 대구광역시 수성구
4 김종희 대한민국 서울특별시 송파구
5 구신일 대한민국 충청북도 제천시 내

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이두희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***(역삼동) 한신인터밸리** 빌딩 서관 ****호(이훈국제특허법률사무소)
2 이훈 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 한신인터밸리 서관 ****호 이훈국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 경상남도 진주시 소호로 ***
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2010-0549442-70
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.10.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2011-0088333-54
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0429527-97
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.09.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0777958-22
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.09.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0777964-07
7 등록결정서
Decision to grant		 2013.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0145797-58
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000353-25
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5040685-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
용매열법에 의한 Cu(In,Ga)Se2 분말의 제조방법에 있어서,Cu, In, Ga 및 Se 소스 분말 중의 3개 이상을 용매와 함께 혼합 및 열처리함으로써 CuGaSe2, CuInSe2 및 Cu(In,Ga)Se2 중의 하나 이상으로 되는 조성의 시드(seed)를 합성하는 단계와;상기 시드를, Cu, In, Ga 및 Se 소스 분말들과 용매로 이루어진 CIGS 소스용액과 혼합 및 열처리함으로써 Cu(In,Ga)Se2를 합성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 Cu(In,Ga)Se2 분말의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 Cu(In,Ga)Se2를 합성하는 단계의 혼합되는 시드는 용액 또는 분말 상태인 것을 특징으로 하는 Cu(In,Ga)Se2 분말의 제조방법
3 3
제2항에 있어서,상기 혼합되는 시드가 용액인 경우 이 시드 용액과 상기 CIGS 소스용액의 중량비는 1:100~1:1의 범위인 것을 특징으로 하는 Cu(In,Ga)Se2 분말의 제조방법
4 4
제2항에 있어서,상기 혼합되는 시드가 분말인 경우 이 시드 분말과, 상기 Cu, In, Ga 및 Se 소스 분말들로 이루어진 CIGS 소스분말의 중량비는 1:100~1:1의 범위인 것을 특징으로 하는 Cu(In,Ga)Se2 분말의 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 Cu(In,Ga)Se2를 합성하는 단계의 열처리온도는 200~250℃인 것을 특징으로 하는 Cu(In,Ga)Se2 분말의 제조방법
6 6
제5항에 있어서상기 Cu(In,Ga)Se2를 합성하는 단계의 열처리온도는 0
7 7
제1항에 있어서,상기 시드를 합성하는 단계의 열처리온도는 150~200℃인 것을 특징으로 하는 Cu(In,Ga)Se2 분말의 제조방법
8 8
제7항에 있어서,상기 시드를 합성하는 단계의 열처리온도는 0
9 9
용매열법에 의한 Cu(In,Ga)Se2 분말의 제조방법에 있어서,Cu, In, Ga 및 Se 소스 분말과 용매를 혼합하는 단계와;제1온도에서 Cu(In,Ga)Se2 시드를 합성한 후 승온하여 상기 제1온도보다 높은 제2온도에서 Cu(In,Ga)Se2를 합성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 Cu(In,Ga)Se2 분말의 제조방법
10 10
제9항에 있어서,상기 제1온도는 150~200℃인 것을 특징으로 하는 Cu(In,Ga)Se2 분말의 제조방법
11 11
제10항에 있어서,상기 제1온도는 0
12 12
제9항에 있어서,상기 제2온도는 200~250℃인 것을 특징으로 하는 Cu(In,Ga)Se2 분말의 제조방법
13 13
제12항에 있어서,상기 제2온도는 0
14 14
제9항에 있어서,상기 승온속도는 1~30℃/분인 것을 특징으로 하는 Cu(In,Ga)Se2 분말의 제조방법
15 15
제1항 내지 제14항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 용매는 디에틸아민(diethylamine), 에틸렌디아민(ethylendiamine), 톨루엔(toluene), 에틸렌글리콜(ethylene glycol) 및 트리에탄올아민(triethanolamine)으로 이루어진 군 중의 하나 이상으로 되는 것을 특징으로 하는 Cu(In,Ga)Se2 분말의 제조방법
16 16
삭제
17 17
제1항 내지 제14항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 Cu 소스 분말 조성은 Cu, CuF2, CuI, CuS, CuSe, CuTe, Cu2S, Cu2Se 및 Cu2Te로 이루어진 군 중의 하나 이상으로 되는 것을 특징으로 하는 Cu(In,Ga)Se2 분말의 제조방법
18 18
제1항 내지 제14항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 In 소스 분말 조성은 In, InCl3, InN, InP, InSb, In2Se3 및 In2Te3로 이루어진 군 중의 하나 이상으로 되는 것을 특징으로 하는 Cu(In,Ga)Se2 분말의 제조방법
19 19
제1항 내지 제14항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 Ga 소스 분말 조성은 Ga, GaI3, GaN, GaP, GaSb 및 Ga2S3로 이루어진 군 중의 하나 이상으로 되는 것을 특징으로 하는 Cu(In,Ga)Se2 분말의 제조방법
20 20
제1항 내지 제14항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 Se 소스 분말 조성은 Se로 되는 것을 특징으로 하는 Cu(In,Ga)Se2 분말의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.