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다결정 실리콘 기판을 기반으로 하는 태양전지를 제조하는 방법에 있어서,상기 다결정 실리콘 기판의 표면에 복수 개의 텍스처링부가 형성되도록 상기 다결정 실리콘 기판의 표면을 텍스처링(texturing)하는 표면 텍스처링 단계; 및상기 텍스처링부들 각각의 표면에 적어도 하나의 나노텍스처링부가 형성되도록 상기 다결정 실리콘 기판의 표면을 텍스처링하는 나노 텍스처링 단계;를 포함하되,상기 나노 텍스처링 단계는 상기 다결정 실리콘 기판의 표면에 보조 금속을 코팅한 후, 상기 보조 금속을 이용하여 상기 다결정 실리콘 기판의 표면을 텍스처링하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 태양전지의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 표면 텍스처링 단계는 상기 다결정 실리콘 기판의 표면을 초순수에 HF:HNO3가 1:1 내지 1:15 또는 1:1 내지 15:1의 비율로 혼합된 용액을 10 내지 40℃에서 10초 내지 10분 간 노출시켜 상기 나노텍스처링부를 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 태양전지의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 나노 텍스처링 단계는상기 다결정 실리콘 기판의 표면에 보조 금속을 코팅하는 보조 금속 코팅 단계;상기 보조 금속을 이용하여 상기 텍스처링부들 각각의 표면에 적어도 하나의 나노텍스처링부가 형성되도록 하는 나노텍스처링부 형성 단계;상기 보조 금속을 제거하는 보조 금속 제거 단계;상기 다결정 실리콘 기판의 표면에 형성된 산화막을 제거하는 산화막 제거 단계; 및상기 다결정 실리콘 기판의 표면을 세정하는 표면 세정 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 태양전지의 제조 방법
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제 3 항에 있어서,상기 보조 금속은 Ag, Au, Fe, Pt 및 Cu 중 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 태양전지의 제조 방법
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제 3 항에 있어서,상기 보조 금속 코팅 단계는 초순수에 0
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제 3 항에 있어서,상기 보조 금속 코팅 단계는 물리적 기상 증착 장치를 이용하여 상기 다결정 실리콘 기판의 표면 상에 보조 금속을 코팅하는 단계인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 태양전지의 제조 방법
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제 3 항에 있어서,상기 나노텍스처링부 형성 단계는 상기 보조 금속이 코팅된 상기 다결정 실리콘 기판의 표면을 초순수에 0
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제 3 항에 있어서,상기 보조 금속 제거 단계는 상기 다결정 실리콘 기판의 표면을 초순수에 HNO3가 1:1로 혼합된 용액으로 처리하여 상기 보조 금속을 제거하는 단계이고,상기 산화막 제거 단계는 상기 다결정 실리콘 기판의 표면을 BOE(buffered oxide etchant) 또는 HF를 이용하여 상온에서 1 내지 20초 동안 처리하여 산화막을 제거하는 단계이며,상기 표면 세정 단계는 상기 다결정 실리콘 기판의 표면을 초순수로 세정한 후 건조하는 단계인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 태양전지의 제조 방법
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다결정 실리콘 기판을 기반으로 하는 태양전지를 제조하는 방법에 있어서,상기 다결정 실리콘 기판의 표면에 잔류하는 절단 손상(saw damage)을 제거하는 절단 손상 제거 단계; 상기 다결정 실리콘 기판을 세정하는 기판 세정 단계; 및상기 다결정 실리콘 기판의 표면에 복수 개의 나노텍스처링부가 형성되도록 텍스처링하는 나노 텍스처링 단계;를 포함하되,상기 나노 텍스처링 단계:는 상기 다결정 실리콘 기판의 표면에 보조 금속을 코팅한 후, 상기 보조 금속을 이용하여 상기 다결정 실리콘 기판의 표면을 텍스처링하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 태양전지의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 절단 손상 제거 단계는 상기 다결정 실리콘 기판의 표면을 초순수에 2 내지 30wt%의 NaOH가 혼합된 용액을 이용하여 70 내지 80℃에서 10초 내지 10분 간 처리하여 상기 다결정 실리콘 기판의 표면에 잔류하는 절단 손상을 제거하는 단계인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 태양전지의 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 기판 세정 단계는 상기 다결정 실리콘 기판의 표면에서 유기물을 제거하는 유기물 세정 단계, 상기 다결정 실리콘 기판의 표면에서 금속을 제거하는 금속 세정 단계 및 상기 다결정 실리콘 기판의 표면에서 산화물을 제거하는 산화물 세정 단계 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 태양전지의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 유기물 세정 단계는 H2SO4 대 H2O2가 3:1 내지 4:1로 포함된 용액으로 70 내지 80℃에서 처리하여 유기물을 제거하는 단계이고,상기 금속 세정 단계는 HCl 대 H2O2 대 초순수가 1:1:5 또는 1:2:8로 포함된 용액으로 70 내지 80℃에서 처리하여 유기물을 제거하는 단계이고,상기 산화물 세정 단계는 1 내지 10wt% HF로 처리하여 산화물을 제거하는 단계인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 태양전지의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 나노 텍스처링 단계는상기 다결정 실리콘 기판의 표면에 보조 금속을 코팅하는 보조 금속 코팅 단계;상기 보조 금속을 이용하여 상기 다결정 실리콘 기판의 표면에 복수 개의 나노텍스처링부가 형성되도록 하는 나노텍스처링부 형성 단계;상기 보조 금속을 제거하는 보조 금속 제거 단계;상기 다결정 실리콘 기판의 표면에 형성된 산화막을 제거하는 산화막 제거 단계; 및상기 다결정 실리콘 기판의 표면을 세정하는 표면 세정 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 태양전지의 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 보조 금속은 Ag, Au, Fe, Pt 및 Cu 중 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 태양전지의 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 보조 금속 코팅 단계는 초순수에 0
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제 13 항에 있어서,상기 보조 금속 코팅 단계는 물리적 기상 증착 장치를 이용하여 상기 다결정 실리콘 기판의 표면 상에 보조 금속을 코팅하는 단계인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 태양전지의 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 나노텍스처링부 형성 단계는 상기 보조 금속이 코팅된 상기 다결정 실리콘 기판의 표면을 초순수에 0
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제 13 항에 있어서,상기 보조 금속 제거 단계는 상기 다결정 실리콘 기판의 표면을 초순수에 HNO3가 1:1로 혼합된 용액으로 처리하여 상기 보조 금속을 제거하는 단계이고,상기 산화막 제거 단계는 상기 다결정 실리콘 기판의 표면을 BOE(buffered oxide etchant) 또는 HF를 이용하여 상온에서 1 내지 20초 동안 처리하여 산화막을 제거하는 단계이며,상기 표면 세정 단계는 상기 다결정 실리콘 기판의 표면을 초순수로 세정한 후 건조하는 단계인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 태양전지의 제조 방법
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