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나노선 재료를 에어로졸화하는 단계; 및
상기 생성된 에어로졸을 적어도 30m/s 이상의 속도로 모재에 충돌시켜 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노선 재료 함유의 박막 형성방법
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나노선을 에어로졸화하는 단계; 및
상기 생성된 에어로졸을 적어도 30m/s 이상의 속도로 모재에 충돌시켜 제1 박막을 형성하는 단계;
상기 제1 박막상에 나노입자를 증착시켜 제2 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노선 재료 함유의 박막 형성방법
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나노선과 나노입자 혼합 분말을 에어로졸화하는 단계; 및
상기 에어로졸을 적어도 30m/s 이상의 속도로 모재에 충돌시켜 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노선 재료 함유 박막 형성방법
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제 1항 또는 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 나노선의 재질은 C, Si, Ze, Ag, GaN, GaAs, GaP, InP, InAs, ZnS, CdS, CdSe, ZnO, MgO, SiO2, CdO, SiC, B4C, Si3N, In2O3 중에서 적어도 어느 하나를 재질로 하는 것을 특징으로 하는 나노선 재료 함유 박막의 형성방법
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5
제1항 또는 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 나노선의 재질은 밴드갭이 적어도 0
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제1항 또는 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 나노선의 재질은 적어도 한 종류 이상의 분순물이 도핑된 것을 특징으로 하는 나노선 함유 박막의 형성방법
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7
제1항 또는 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 나노선의 재질은 튜브형 재질과는 다른 성분을 적어도 1종 이상 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노선 함유 박막의 형성방법
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8
제1항 또는 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 박막을 형성하는 단계는 화학 반응을 위한 반은 가스를 도입하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노선 재료 함유 박막의 형성방법
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9
제8항에 있어서,
상기 반응 가스는 캐리어 가스와 동시에 도입되는 것을 특징으로 하는 나노선 재료 함유 박막의 형성방법
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제1항 또는 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 박막을 형성하는 단계는 상기 모재에 상기 나노선 재료를 포함하는 상기 에어로졸을 가늘고 긴 노즐을 통하여 충돌시키는 것을 특징으로 하는 나노선 재료 함유 박막의 형성방법
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제1항 또는 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 에어로졸화 시키는 단계 이전에 상기 나노선은 화학적 또는 물리적으로 표면개질화 시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노선 재료 함유 박막의 형성방법
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제1항 또느 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 박막을 형성하는 단계는 상기 형성된 박막에 에너지를 가하여 상기 박막을 변형시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노선 재료 함유 박막의 형성방법
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13
제1항 또는 제3항 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 것을 특징으로 하는 나노선 재료 함유 박막
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