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ｐ형 전도성을 나타내는 ＳｒＣｕ２Ｏ２계 투명 산화물 반도체 조성물 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015188924
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 p형 전도성을 나타내는 SrCu2O2계 투명 산화물 반도체 조성물 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 p형 투명 산화물 반도체인 SrCu2O2의 p형 전기전도성을 증진할 목적으로 SrCu2O2의 원자가가 +2인 Sr의 일부를 원자가가 +1인 K와 Ag로 공도핑함으로써 도핑량을 현저히 증가시켜서 전기전도도 특성을 향상시킨 복합금속산화물로 이루어지는 SrCu2O2계 투명 산화물 반도체 조성물 및 그 제조방법을 제공한다.본 발명에 의하면, SrCu2O2의 p형 전기전도성의 향상을 위하여 첨가하는 원자가가 +1인 K의 도핑량의 한계인 3 atomic%를 상회하는 Ag와 K의 합산 도핑량 기준, 25 atomic%의 치환 도핑이 가능하여 종래에 비하여 약 42배에 달하는 전기전도도의 증진을 나타내는 작용효과가 기대된다.p형 전도성, SrCu2O2, 투명 산화물 반도체, K, Ag, 공도핑, 조성물, 전기전도도
Int. CL H01B 1/16 (2006.01) H01B 1/08 (2006.01)
CPC H01B 1/08(2013.01) H01B 1/08(2013.01) H01B 1/08(2013.01)
출원번호/일자 1020090134318 (2009.12.30)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자 10-1182737-0000 (2012.09.07)
공개번호/일자 10-2011-0077677 (2011.07.07) 문서열기
공고번호/일자 (20120913) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020120055695;
심사청구여부/일자 Y (2009.12.30)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김세기 대한민국 서울특별시 영등포구
2 석혜원 대한민국 서울특별시 마포구
3 최병현 대한민국 서울특별시 양천구
4 이미재 대한민국 서울특별시 양천구
5 지미정 대한민국 경기도 광명시 하안로 ***

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 강민수 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, *층 (역삼동, 우일빌딩)(광개토국제특허법률사무소)
2 최환욱 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, *층(역삼동, 케이앤와이빌딩)(특허법인 수)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 경상남도 진주시 소호로 ***
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0817439-83
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.04.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.05.19 수리 (Accepted) 9-1-2011-0044294-41
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.09.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0510272-94
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.11.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0874292-97
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.11.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0874293-32
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.04.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0233141-81
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2012.05.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0418626-15
9 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2012.05.24 수리 (Accepted) 1-1-2012-0418646-17
10 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2012.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0370205-39
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000353-25
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5040685-78
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번호 청구항
1 1
p형 전도성을 나타내는 SrCu2O2계 투명 산화물 반도체 조성물에 있어서,상기 조성물의 스트론튬(Sr) 위치에 칼륨(K)과 은(Ag)이 치환 공도핑되되, 상기 칼륨 또는 은이 각각 스트론튬 대비 적어도 5% 치환되어 공도핑됨으로써 상온전도도가 도핑되지 않은 SrCu2O2계 조성물 대비 적어도 1000% 증가하는 것을 특징으로 하는 p형 전도성을 나타내는 SrCu2O2계 투명 산화물 반도체 조성물
2 2
제1항의 스트론튬(Sr) 위치에 칼륨(K)과 은(Ag)이 치환 공도핑된 SrCu2O2계 투명 산화물 반도체 조성물을 제조하기 위하여, 산화구리(CuO), 탄산스트론튬(SrCO3), 탄산칼슘(K2CO3) 및 산화은(Ag2O)을 혼합하는 단계;상기 혼합물을 질소분위기 중에서 1차 하소하는 단계;상기 하소된 혼합물을 분쇄하고 2차 하소하는 단계;상기 2차 하소된 하소물을 분쇄하고 성형하여 질소분위기에서 소성하는 단계;를 포함하여 구성되되, 상기 산화구리(CuO), 탄산스트론튬(SrCO3), 탄산칼슘(K2CO3) 및 산화은(Ag2O)은 (Sr1-xKxAgx)Cu2O2에서 x의 값이 0
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4 4
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1 KR1020120059478 KR 대한민국 FAMILY

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