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MEMS 타입의 압전 에너지 하베스터

  • 기술번호 : KST2015188930
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반도체 기판에 정류 회로를 내장하는 것을 통하여 슬림한 구조의 집적도가 향상되면서도 에너지 변환 효율이 우수한 MEMS 타입의 압전 에너지 하베스터에 대하여 개시한다.본 발명에 따른 MEMS 타입의 압전 에너지 하베스터는 캐비티를 구비한 반도체 기판; 상기 반도체 기판에 일단이 고정되며, 상기 일단으로부터 캐비티 내로 연장되어 진동 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 압전막을 구비한 캔틸레버; 상기 반도체 기판의 하면에 부착되어 상기 압전막을 구비한 캔틸레버와 전기적으로 연결되는 정류 소자; 및 상기 정류 소자에 의하여 정류된 전기 에너지를 저장하는 충전 소자;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL B81B 3/00 (2006.01) H01L 41/08 (2006.01) H02N 2/00 (2006.01)
CPC H02N 2/183(2013.01) H02N 2/183(2013.01) H02N 2/183(2013.01) H02N 2/183(2013.01)
출원번호/일자 1020100136426 (2010.12.28)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자 10-1187312-0000 (2012.09.25)
공개번호/일자 10-2012-0074556 (2012.07.06) 문서열기
공고번호/일자 (20121002) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.28)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이영진 대한민국 경기도 안양시 동안구
2 백종후 대한민국 경기도 안양시 동안구
3 조정호 대한민국 경기도 수원시 장안구
4 정영훈 대한민국 서울특별시 구
5 김창일 대한민국 경기도 수원시 팔달구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 미래오성모빌리티 서울특별시 금천구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2010-0866464-76
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.10.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.11.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0089185-61
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0773167-43
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.01.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0012792-64
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.01.05 수리 (Accepted) 1-1-2012-0012791-18
7 등록결정서
Decision to grant
2012.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0379697-22
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000353-25
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5040685-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 캐비티 및 제2 캐비티를 구비한 반도체 기판; 상기 반도체 기판에 일단이 고정되며, 상기 일단으로부터 상기 제1 캐비티 내로 연장되어 진동 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 압전막을 구비한 캔틸레버; 상기 반도체 기판의 제2 캐비티 내부에 삽입 배치되며, 상기 압전막을 구비한 캔틸레버와 전기적으로 연결되는 정류 소자; 및 상기 정류 소자에 의하여 정류된 전기 에너지를 저장하는 충전 소자;를 포함하는 것을 특징으로 하는 MEMS 타입의 압전 에너지 하베스터
2 2
제1항에 있어서,상기 반도체 기판의 두께는 400 ~ 700㎛인 것을 특징으로 하는 MEMS 타입의 압전 에너지 하베스터
3 3
제1항에 있어서,상기 반도체 기판은 상기 반도체 기판의 상면에 형성되는 버퍼층을 갖는 것을 특징으로 하는 MEMS 타입의 압전 에너지 하베스터
4 4
제3항에 있어서,상기 버퍼층은 실리콘 산화막(SiO2) 또는 실리콘 질화막(SiNx)을 포함하는 것을 특징으로 하는 MEMS 타입의 압전 에너지 하베스터
5 5
제3항에 있어서,상기 버퍼층의 두께는 20 ~ 200nm인 것을 특징으로 하는 MEMS 타입의 압전 에너지 하베스터
6 6
제1항에 있어서,상기 압전막을 구비한 캔틸레버는 상기 반도체 기판에 일단이 고정되며, 상기 캐비티 내로 연장되는 지지대와,상기 지지대의 상부 면에 형성되는 하부 전극과,상기 하부 전극의 상부에 형성되는 압전막과,상기 압전막의 상부에 형성되는 상부 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 MEMS 타입의 압전 에너지 하베스터
7 7
제6항에 있어서,상기 상부 전극 및 하부 전극은 백금(Pt), 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 루테늄(Ru), 탄탈륨 나이트라이드(TaN) 및 타이타늄 나이트라이드(TiN) 중 선택된 1종 이상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 MEMS 타입의 압전 에너지 하베스터
8 8
제6항에 있어서,상기 압전막은 Pb(Zr,Ti)O3+Pb(Zn,Nb)O3, (Ba,Bi,Na)TiO3, Pb(Zr,Ti)O3+Pb(Ni,Nb)O3, (Na,K)NbO3-(Li,Na,K)TaO3, Pb(Zr,Ti)O3+PVDF 폴리머, Pb(Zr,Ti)O3+실리콘 폴리머 및 Pb(Zr,Ti)O3+에폭시 폴리머 중 선택된 하나로 형성되는 것을 특징으로 MEMS 타입의 압전 에너지 하베스터
9 9
제6항에 있어서,상기 압전막의 두께는 0
10 10
제6항에 있어서,상기 캔틸레버는 상기 하부 전극과 압전막 사이에 개재되는 중간층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 MEMS 타입의 압전 에너지 하베스터
11 11
제10항에 있어서,상기 중간층은 티타늄(Ti)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 MEMS 타입의 압전 에너지 하베스터
12 12
제6항에 있어서,상기 캔틸레버는 상기 지지대의 끝단에 형성되는 프루프 매스(proof mass)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 MEMS 타입의 압전 에너지 하베스터
13 13
제12항에 있어서,상기 프루프 매스는 실리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 MEMS 타입의 압전 에너지 하베스터
14 14
삭제
15 15
삭제
16 16
삭제
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삭제
18 18
제1항에 있어서,상기 정류 소자는 P-N 접합 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 MEMS 타입의 압전 에너지 하베스터
19 19
제18항에 있어서,상기 P-N 접합 다이오드는 매트릭스 형태로 배열되며, 상기 매트릭스의 셀에 각각 형성되는 것을 특징으로 하는 MEMS 타입의 압전 에너지 하베스터
20 20
제18항에 있어서,상기 P-N 접합 다이오드는 브리지 회로 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 MEMS 타입의 압전 에너지 하베스터
21 21
제1항에 있어서,상기 제1 캐비티는 상기 반도체 기판의 상면에 형성되고, 상기 제2 캐비티는 상기 반도체 기판의 하면에 형성되는 것을 특징으로 하는 MEMS 타입의 압전 에너지 하베스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.