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제1 캐비티 및 제2 캐비티를 구비한 반도체 기판; 상기 반도체 기판에 일단이 고정되며, 상기 일단으로부터 상기 제1 캐비티 내로 연장되어 진동 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 압전막을 구비한 캔틸레버; 상기 반도체 기판의 제2 캐비티 내부에 삽입 배치되며, 상기 압전막을 구비한 캔틸레버와 전기적으로 연결되는 정류 소자; 및 상기 정류 소자에 의하여 정류된 전기 에너지를 저장하는 충전 소자;를 포함하는 것을 특징으로 하는 MEMS 타입의 압전 에너지 하베스터
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제1항에 있어서,상기 반도체 기판의 두께는 400 ~ 700㎛인 것을 특징으로 하는 MEMS 타입의 압전 에너지 하베스터
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제1항에 있어서,상기 반도체 기판은 상기 반도체 기판의 상면에 형성되는 버퍼층을 갖는 것을 특징으로 하는 MEMS 타입의 압전 에너지 하베스터
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제3항에 있어서,상기 버퍼층은 실리콘 산화막(SiO2) 또는 실리콘 질화막(SiNx)을 포함하는 것을 특징으로 하는 MEMS 타입의 압전 에너지 하베스터
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제3항에 있어서,상기 버퍼층의 두께는 20 ~ 200nm인 것을 특징으로 하는 MEMS 타입의 압전 에너지 하베스터
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제1항에 있어서,상기 압전막을 구비한 캔틸레버는 상기 반도체 기판에 일단이 고정되며, 상기 캐비티 내로 연장되는 지지대와,상기 지지대의 상부 면에 형성되는 하부 전극과,상기 하부 전극의 상부에 형성되는 압전막과,상기 압전막의 상부에 형성되는 상부 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 MEMS 타입의 압전 에너지 하베스터
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제6항에 있어서,상기 상부 전극 및 하부 전극은 백금(Pt), 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 루테늄(Ru), 탄탈륨 나이트라이드(TaN) 및 타이타늄 나이트라이드(TiN) 중 선택된 1종 이상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 MEMS 타입의 압전 에너지 하베스터
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제6항에 있어서,상기 압전막은 Pb(Zr,Ti)O3+Pb(Zn,Nb)O3, (Ba,Bi,Na)TiO3, Pb(Zr,Ti)O3+Pb(Ni,Nb)O3, (Na,K)NbO3-(Li,Na,K)TaO3, Pb(Zr,Ti)O3+PVDF 폴리머, Pb(Zr,Ti)O3+실리콘 폴리머 및 Pb(Zr,Ti)O3+에폭시 폴리머 중 선택된 하나로 형성되는 것을 특징으로 MEMS 타입의 압전 에너지 하베스터
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제6항에 있어서,상기 압전막의 두께는 0
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제6항에 있어서,상기 캔틸레버는 상기 하부 전극과 압전막 사이에 개재되는 중간층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 MEMS 타입의 압전 에너지 하베스터
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제10항에 있어서,상기 중간층은 티타늄(Ti)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 MEMS 타입의 압전 에너지 하베스터
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12
제6항에 있어서,상기 캔틸레버는 상기 지지대의 끝단에 형성되는 프루프 매스(proof mass)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 MEMS 타입의 압전 에너지 하베스터
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제12항에 있어서,상기 프루프 매스는 실리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 MEMS 타입의 압전 에너지 하베스터
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제1항에 있어서,상기 정류 소자는 P-N 접합 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 MEMS 타입의 압전 에너지 하베스터
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제18항에 있어서,상기 P-N 접합 다이오드는 매트릭스 형태로 배열되며, 상기 매트릭스의 셀에 각각 형성되는 것을 특징으로 하는 MEMS 타입의 압전 에너지 하베스터
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20
제18항에 있어서,상기 P-N 접합 다이오드는 브리지 회로 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 MEMS 타입의 압전 에너지 하베스터
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21
제1항에 있어서,상기 제1 캐비티는 상기 반도체 기판의 상면에 형성되고, 상기 제2 캐비티는 상기 반도체 기판의 하면에 형성되는 것을 특징으로 하는 MEMS 타입의 압전 에너지 하베스터
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