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RF 마그네트론 스퍼터링을 이용한 태양전지의 반사방지막 형성방법

  • 기술번호 : KST2015188935
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화 실리콘 타켓과, 알곤 가스 또는 알곤 가스와 수소 가스의 혼합 가스를 이용하여 낮은 흡수율과 적정한 굴절율 및 낮은 표면 조도를 갖는 태양전지의 반사 방지막 형성방법에 관한 것이다. 본 발명의 RF 마그네트론 스퍼터링을 이용한 태양전지의 반사 방지막 형성방법은 태양전지의 수광면에 구비되는 반사 방지막을 형성하는 방법에 있어서, 상기 반사 방지막은 RF 마그네트론 스퍼터링 공정에 의하여 형성되며, 상기 RF 마그네트론 스퍼터링 공정은 타겟 물질이 질화 실리콘이고, 태양전지의 기판 온도가 50℃ 내지 100℃이며, 증착 분위기가 알곤 가스 분위기이며, 증착 압력이 4 mTtorr보다 큰 것을 특징으로 한다. 태양전지, 반사 방지막, RF 마그네트론 스퍼터링, 질화 실리콘, 이산화 실리콘
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/0216 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/02168(2013.01) H01L 31/02168(2013.01) H01L 31/02168(2013.01) H01L 31/02168(2013.01) H01L 31/02168(2013.01)
출원번호/일자 1020070104803 (2007.10.18)
출원인 한국세라믹기술원, 세종대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0039265 (2009.04.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.10.18)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***
2 세종대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구 능동로 *** (군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최균 대한민국 서울 마포구
2 이수홍 대한민국 서울 광진구 군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서만규 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)
2 서경민 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2007-0744466-46
2 보정요구서
Request for Amendment
2007.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2007-0151821-03
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2007.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0842870-55
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.08.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.09.18 수리 (Accepted) 9-1-2008-0061069-35
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2008-5187618-45
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0215388-35
8 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2009.07.06 수리 (Accepted) 1-1-2009-0410354-11
9 [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)
2009.07.16 수리 (Accepted) 1-1-2009-0434383-97
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2009-0447696-76
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.07.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0447694-85
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2009.11.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0460562-64
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.04.13 수리 (Accepted) 4-1-2011-5073277-77
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000353-25
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5040685-78
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번호 청구항
1 1
태양전지의 수광면에 구비되는 반사 방지막을 형성하는 방법에 있어서,상기 반사 방지막은 RF 마그네트론 스퍼터링 공정에 의하여 형성되는 질화 실리콘 박막으로 이루어지며,상기 RF 마그네트론 스퍼터링 공정은 타겟 물질이 질화 실리콘이고, 태양전지의 기판 온도가 50℃ 내지 100℃이며, 증착 분위기가 알곤 가스 분위기이며, 증착 압력이 4 mTorr 보다 큰 것을 특징으로 하는 RF 마그네트론 스퍼터링을 이용한 태양전지의 반사 방지막 형성방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 증착 분위기는 알곤 가스로 이루어지는 것을 특징으로 하는 RF 마그네트론 스퍼터링을 이용한 태양전지의 반사 방지막 형성방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 증착 분위기는 알곤 가스와 수소 가스의 혼합 가스로 이루어지며,상기 수소 가스의 함량은 부피비로 전체 혼합가스의 부피에 대하여 40 vol%보다 작은 것을 특징으로 하는 RF 마그네트론 스퍼터링을 이용한 태양전지의 반사 방지막 형성방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 반사 방지막은 500nm 내지 600nm의 파장 영역에서 반사율이 10%보다 작은 것을 특징으로 하는 RF 마그네트론 스퍼터링을 이용한 태양전지의 반사 방지막 형성방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 반사 방지막은 굴절율이 2
6 6
제 1 항에 있어서,상기 반사 방지막은 흡수 계수가 0
7 7
제 1 항에 있어서,상기 반사 방지막은 상기 질화 실리콘 박막의 상면에 형성되는 이산화 실리콘 박막이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 RF 마그네트론 스퍼터링을 이용한 태양전지의 반사 방지막 형성방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 이산화 실리콘 박막이 형성되는 공정의 증착 분위기는 알곤 가스와 산소 가스의 혼합 가스로 이루어지며,상기 산소 가스의 함량은 부피비로 전체 혼합가스의 부피에 대하여 40 vol%보다 작은 것을 특징으로 하는 RF 마그네트론 스퍼터링을 이용한 태양전지의 반사 방지막 형성방법
9 9
제 7 항에 있어서,상기 질화 실리콘 박막의 두께는 80nm 내지 95nm이며, 상기 이산화 실리콘 박막의 두께는 100nm 내지 115nm인 것을 특징으로 하는 RF 마그네트론 스퍼터링을 이용한 태양전지의 반사 방지막 형성방법
10 10
제 7 항에 있어서,상기 반사 방지막은 파장이 400nm에서 1100nm인 영역에서 평균 반사율이 3%보다 작은 것을 특징으로 하는 RF 마그네트론 스퍼터링을 이용한 태양전지의 반사 방지막 형성방법
지정국 정보가 없습니다
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