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(a) 플렉서블 기판(flexible)을 마련하는 단계; (b) 진공 증착공정을 이용하여 상기 플렉서블 기판 상에 세라믹 막을 형성하는 단계; 및(c) 상기 형성된 세라믹 막을 피코팅물 표면에 코팅하는 단계;를 포함하고,상기 (c) 단계는 상기 플렉서블 기판을 제거한 후, 잔류하는 상기 세라믹 막에 접착층을 형성하고, 상기 접착층이 상기 피코팅물에 접착되도록 코팅하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 저항성 세라믹 피막 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 피코팅물은 플라즈마 환경에 노출되는 부품인 것을 특징으로 하는 플라즈마 저항성 세라믹 피막 제조 방법
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제2항에 있어서, 상기 부품은 반도체 또는 디스플레이 제조용 공정 챔버 내부 부품인 것을 특징으로 하는 플라즈마 저항성 세라믹 피막 제조 방법
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제3항에 있어서, 상기 부품은 정전 척(electro static chuck), 히터(heater), 챔버 라이너(chamber liner), 샤워헤드(showerhead), CVD용 보트(boat), 포커스링(focus ring) 및 월 라이너(wall liner) 중에서 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 저항성 세라믹 피막 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 플렉서블 기판의 제거는 열처리 방법 또는 화학처리 방법에 의하여 실시되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 저항성 세라믹 피막 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 (c) 단계는 상기 플렉서블 기판의 제거에 의하여 노출되는 면의 반대면에 접착층을 형성한 후 상기 접착층이 상기 피코팅물에 접착되도록 코팅하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 저항성 세라믹 피막 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 진공 증착공정은 전자빔 증착, 스퍼터링, 이온플레이팅, CVD 및 저압식 에어로졸 증착 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 저항성 세라믹 피막 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (b) 단계는 상기 플렉서블 기판의 융점보다 낮은 온도에서 실시되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 저항성 세라믹 피막 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (b) 단계에서 형성되는 세라믹 막은 이트륨 산화물, 알루미늄 산화물, 지르코늄 산화물 및 티타늄 산화물 중에서 하나 이상인 것을 특징으로 하는 플라즈마 저항성 세라믹 피막 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 (b) 단계에서 형성되는 세라믹 막은 이트륨(Y), 알루미늄(Al), 지르코늄(Zr) 및 티타늄(Ti) 중에서 하나 이상을 포함하는 합금의 산화물인 것을 특징으로 하는 플라즈마 저항성 세라믹 피막 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 (b) 단계에서, 상기 세라믹 막은 0
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제1항에 있어서, 상기 플렉서블 기판은 고분자 기판을 이용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 저항성 세라믹 피막 제조 방법
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제17항에 있어서, 상기 고분자 기판은 200℃까지 변형을 발생시키지 않는 것을 이용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 저항성 세라믹 피막 제조 방법
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제18항에 있어서, 상기 고분자 기판은 실리콘계 무기고분자, 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE), 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌(PE), 폴리비닐아세테이트(PVA) 및 폴리프로필렌(PP) 중에서 선택되는 재질로 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 저항성 세라믹 피막 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 플렉서블 기판은 박판형 금속 기판을 이용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 저항성 세라믹 피막 제조 방법
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제24항에 있어서,상기 박판형 금속 기판은 600℃까지 변형을 발생시키지 않는 것을 이용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 저항성 세라믹 피막 제조 방법
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제25항에 있어서, 상기 박판형 금속 기판은 알루미늄, 마그네슘, 구리, 니켈 및 아연 중에서 선택되는 재질로 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 저항성 세라믹 피막 제조 방법
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