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초고순도 실리콘카바이드 파우더의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015188937
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 초고순도 실리콘카바이드 파우더의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로는 불용성 및 불용성의 초고분자 폴리카보실란의 저온 합성방법과 이를 이용하여 단순공정으로 제조되는 초고순도의 실리콘카바이드 파우더를 제조하는 것으로, 본 발명에 따른 촉매 공정을 통해 통상의 합성조건 즉, 470 내지 470℃의 고온고압 반응 또는 400℃의 촉매반응 조건보다 낮은 온도 및 낮은 압력에서 불용성 및 불용성의 초고분자 폴리카보실란을 제조할 수 있으며, 이로부터 얻어진 불용성 및 불용성의 초고분자 폴리카보실란을 단순분쇄하여 곱고 균일한 파우더를 만든 후 산화안정화를 거치지 않고 분위기를 제어하며 직접 열처리 함으로써 산소의 오염이 없는 초고순도의 실리콘카바이드 화인파우더를 제조할 수 있다.
Int. CL C08G 77/02 (2006.01) C01B 31/36 (2006.01)
CPC C01B 32/963(2013.01) C01B 32/963(2013.01) C01B 32/963(2013.01) C01B 32/963(2013.01) C01B 32/963(2013.01)
출원번호/일자 1020100032965 (2010.04.09)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자 10-1269862-0000 (2013.05.27)
공개번호/일자 10-2011-0113524 (2011.10.17) 문서열기
공고번호/일자 (20130607) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.11.15)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조광연 대한민국 서울특별시 구
2 신동근 대한민국 서울특별시 종로구
3 류도형 대한민국 서울특별시 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 경상남도 진주시 소호로 ***
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.04.09 수리 (Accepted) 1-1-2010-0229054-41
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2010.11.15 수리 (Accepted) 1-1-2010-0744790-17
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.09.27 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.10.19 수리 (Accepted) 9-1-2011-0083323-36
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0177819-24
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0424275-78
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0512218-73
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0600948-71
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0685648-04
10 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period
2012.09.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0110298-80
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0789701-32
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.09.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0789702-88
13 등록결정서
Decision to grant
2013.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0137197-31
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000353-25
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5040685-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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액상실란의 전구체를 열분해하여 합성된 액상 실란을 준비하는 단계;상기 액상실란을 붕산(orthoboric acid;B(OH)3), 트리부틸보레이트(tributyl Borate(boric acid tributyl ester)), 트리스(트리메틸실릴) 부틸보레이트 (tris(trimetylsilyl)butyl borate), 아세틸페닐보릭엑시드(acetylphenylboronic acid), 피나콜라토다이보론(bis(pinacolato)diboron), 트리에틸보레이트(triethyl borate), 트리스메시틸보레인(trimesitylborane), 트리스헥사데칠보레이트 (trihexadecyl borate), 트리스사이클로프로필볼이트 (tricyclopropylborane) 및 부탄보릭엑시드(1-butaneboronic acid) 중에서 선택된 어느 하나 이상보론계 촉매 하에 250 내지 450℃에서 중합시켜 폴리카보실란을 제조하는 단계(S1); 및상기 폴리카보실란을 분쇄한 후 1200 내지 1600℃에서 열처리하는 소성 단계(S2)를 포함하는 초고순도의 실리콘카바이드 파우더의 제조방법
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삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 S1 단계에서 보론계 촉매는 액상실란 100중량부에 대하여 0
4 4
제1항에 있어서, 상기 S1 단계에서 중합공정은 0
5 5
제1항에 있어서, 상기 S2 단계에서 분쇄공정은 상기 폴리카보실란을 1 내지 10㎛의 입도가 되도록 분쇄하는 것을 특징으로 하는 초고순도의 실리콘카바이드 파우더의 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 S2 단계에서 소성공정은 1 내지 5시간 동안 실시하는 것을 특징으로 하는 초고순도의 실리콘카바이드 파우더의 제조방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 S2 단계에서 소성 공정은 흑연화로(graphite furnace)에서 실시하는 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.