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니오븀산화물을 이용한 염료감응형 태양전지 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015188938
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 염료감응형 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 월등한 표면적을 갖는 니오븀산화물을 적용하여 태양전지의 에너지 변환효율을 향상시킬 수 있도록 한 니오븀산화물을 이용한 염료감응형 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따르면, 복수의 투명전도기판, 반도체산화물, 염료, 전해질, 상대전극이 샌드위치형 적층구조를 이루는 염료감응형 태양전지에 있어서, 상기 반도체산화물은, 미리 정한 두께와 지름을 갖는 디스크형 니오븀금속의 양극산화 처리공정을 통해, 월등한 표면적을 확보한 니오븀산화물인 것을 특징으로 한다.또한, 본 발명의 염료감응형 태양전지 제조방법은, 복수의 투명전도기판, 반도체산화물, 염료, 전해질, 상대전극이 샌드위치형 적층구조를 이루는 염료감응형 태양전지의 제조방법에 있어서, 니오븀금속의 양극산화 처리공정을 통해, 상기 반도체산화물을 형성하는 제1단계; 상기 투명전도기판 표면에 전도성 물질을 코팅하는 제2단계; 상기 반도체산화물의 표면에 상기 염료를 흡착시키는 제3단계; 상기 투명전도기판에 상기 반도체산화물을 접합시키는 제4단계; 그리고, 상기 투명전도기판 사이 공간으로 상기 전해질을 주입하는 제5단계;로 이루어진 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01G 9/2027(2013.01) H01G 9/2027(2013.01)
출원번호/일자 1020110045863 (2011.05.16)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자 10-1243664-0000 (2013.03.08)
공개번호/일자 10-2012-0128006 (2012.11.26) 문서열기
공고번호/일자 (20130314) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.05.16)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정봉용 대한민국 인천광역시 연수구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 반중혁 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 **, 매강빌딩*층 (서초동)(에이치앤에이치(H&H)국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 경상남도 진주시 소호로 ***
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-0361972-37
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.04.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.05.25 수리 (Accepted) 9-1-2012-0041800-75
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.06.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0353986-14
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.08.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0659073-07
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-0659072-51
7 등록결정서
Decision to grant
2012.12.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0780158-31
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000353-25
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5040685-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투명전도기판, 반도체산화물, 염료, 전해질, 전극이 샌드위치형 적층구조를 이루게 된 염료감응형 태양전지에 있어서,상기 반도체산화물은,니오븀 금속을 아세톤(C3H6O)에 침지(浸漬)시켜 초음파 세척하는 단계;상기 니오븀 금속을 탈이온수(De-ionized water)로써 정제하는 단계; 및상기 니오븀 금속을 양극산화장치에 고정 장착한 상태로 플루오린화나트륨(NaF)과 플루오린화수소(HF)를 혼합한 전해질에 침수시켜 양극산화 처리하는 단계를 수행하여,상기 니오븀 금속의 표면에 마이크로미터(㎛) 단위 크기의 3차원 고깔모양을 갖는 마이크로 구조체가 생성되고, 상기 마이크로 구조체 표면에는 나노미터(nm) 단위 크기의 나노와이어가 형성되도록 한 니오븀산화물인 것을 특징으로 하는 니오븀산화물을 이용한 염료감응형 태양전지
2 2
제1항에 있어서,상기 염료는 상기 마이크로미터 단위 크기의 3차원 고깔모양을 갖는 마이크로 구조체에 흡착되는 것을 특징으로 하는 니오븀산화물을 이용한 염료감응형 태양전지
3 3
투명전도기판, 반도체산화물, 염료, 전해질, 전극이 샌드위치형 적층구조를 이루게 된 염료감응형 태양전지의 제조방법에 있어서,상기 반도체산화물을 형성하는 단계;상기 투명전도기판 표면에 전도성 물질을 코팅하는 단계;상기 반도체산화물의 표면에 상기 염료를 흡착시키는 단계;상기 투명전도기판에 상기 반도체산화물을 접합시키는 단계; 및상기 투명전도기판 사이 공간으로 상기 전해질을 주입하는 단계를 포함하고,상기 반도체산화물을 형성하는 단계에서 상기 반도체 산화물은,니오븀 금속을 아세톤(C3H6O)에 침지(浸漬)시켜 초음파 세척하는 단계;상기 니오븀 금속을 탈이온수(De-ionized water)로써 정제하는 단계; 및상기 니오븀 금속을 양극산화장치에 고정 장착한 상태로 플루오린화나트륨(NaF)과 플루오린화수소(HF)를 혼합한 전해질에 침수시켜 양극산화 처리하는 단계를 수행하여,상기 니오븀 금속의 표면에 마이크로미터(㎛) 단위 크기의 3차원 고깔모양을 갖는 마이크로 구조체가 생성되고, 상기 마이크로 구조체 표면에는 나노미터(nm) 단위 크기의 나노와이어가 형성되도록 한 니오븀산화물인 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지 제조방법
4 4
삭제
5 5
제3항에 있어서,상기 투명전도기판 표면에 전도성 물질을 코팅하는 단계에서,상기 전도성 물질은 백금(Pt)인 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지 제조방법
6 6
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.