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Cu, In, Ga 및 Se의 각 소스 분말을 함께 기계화학적 방법으로 밀링하여 Cu(In,Ga)Se2 분말을 제조하는 방법에 있어서,상기 Ga로 인해 상기 밀링에 의한 기계적 충격에너지가 감쇄되는 것을 방지하기 위해 상기 Ga가 최대로 고용가능한 몰비 미만으로 포함되도록 하는 조성식 CuIn1-xGaxSe2 (이때, x＜0
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제1항에 있어서,상기 솔벤트는 디에틸아민(diethylamine), 에탄올(ethanol), 메탄올(methanol), 톨루엔(toluene), 크실렌(xylene), 아세톤(acetone) 및 에틸렌디아민(ethylendiamine) 중의 하나 이상으로 되는 것을 특징으로 하는 Cu(In,Ga)Se2 분말의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 솔벤트의 량은 상기 제1원료분말의 량 대비 1~50wt%인 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 Cu(In,Ga)Se2 분말의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 밀링에는 쉐이커 밀(shaker mill), 유성밀(planetary mill) 및 어트리션밀(attrition mill) 중의 하나 이상이 사용되는 것을 특징으로 하는 Cu(In,Ga)Se2 분말의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 밀봉용기에는 불활성 기체가 더 장입되는 것을 특징으로 하는 Cu(In,Ga)Se2 분말의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 불활성 기체는 He, Ar 및 N2 중의 하나 이상인 것을 특징으로 하는 Cu(In,Ga)Se2 분말의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 Cu 소스 분말은 Cu, CuF2, CuI, CuS, CuSe, CuTe Cu2S, Cu2Se 및 Cu2Te로 이루어진 군 중에서 선택된 하나 이상의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 Cu(In,Ga)Se2 분말의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 In 소스 분말은 In, InCl3, InN, InP, InSb, In2Se3 및 In2Te3로 이루어진 군 중에서 선택된 하나 이상의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 Cu(In,Ga)Se2 분말의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 Se 소스는 Se 소스 분말은 Se 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 Cu(In,Ga)Se2 분말의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1합성단계 및 제2합성단계는 각각 Cu(In,Ga)Se2 분말을 합성한 후 건조하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 Cu(In,Ga)Se2 분말의 제조방법
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