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CIGS 분말의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015188957
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기계화학적 방법에 의해 Cu(In,Ga)Se2 조성 분말을 제조하는 것으로, Ga의 최대몰비가 최대 0.2를 초과하지 않도록 하여 Cu(In,Ga)Se2 분말을 밀링 및 합성한 후, 이 분말에 CuGaSe2 조성의 소스분말을 추가하여 함께 더 밀링하고 이를 1회 이상 수행함으로써 Cu(In,Ga)Se2 조성에서의 Ga 고용 몰비를 효과적으로 증가시킬 수가 있어 최대 광변환 효율을 갖는 Cu(In,Ga)Se2 조성 분말의 제조가 가능하다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0749 (2012.01)
CPC H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01)
출원번호/일자 1020120141851 (2012.12.07)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자 10-1454610-0000 (2014.10.20)
공개번호/일자 10-2014-0074437 (2014.06.18) 문서열기
공고번호/일자 (20141028) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.12.07)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신효순 대한민국 경기 수원시 장안구
2 여동훈 대한민국 서울 송파구
3 구신일 대한민국 충북 제천시 내토로

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이두희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***(역삼동) 한신인터밸리** 빌딩 서관 ****호(이훈국제특허법률사무소)
2 이훈 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 한신인터밸리 서관 ****호 이훈국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 경상남도 진주시 소호로 ***
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2012-1018163-29
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.12.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0848778-35
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000353-25
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.02.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0112616-39
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.02.05 수리 (Accepted) 1-1-2014-0112602-01
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.06.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0404435-34
7 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2014.07.11 수리 (Accepted) 7-1-2014-0026219-61
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.08.12 무효 (Invalidation) 1-1-2014-0761356-18
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.08.12 수리 (Accepted) 1-1-2014-0761338-96
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2014.08.12 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0761575-00
11 보정요구서
Request for Amendment
2014.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0144556-75
12 [지정기간단축]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Reduction of Designated Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2014.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-0825192-06
13 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation
2014.09.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0151877-80
14 등록결정서
Decision to Grant Registration
2014.10.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0693465-04
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5040685-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
Cu, In, Ga 및 Se의 각 소스 분말을 함께 기계화학적 방법으로 밀링하여 Cu(In,Ga)Se2 분말을 제조하는 방법에 있어서,상기 Ga로 인해 상기 밀링에 의한 기계적 충격에너지가 감쇄되는 것을 방지하기 위해 상기 Ga가 최대로 고용가능한 몰비 미만으로 포함되도록 하는 조성식 CuIn1-xGaxSe2 (이때, x<0
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 솔벤트는 디에틸아민(diethylamine), 에탄올(ethanol), 메탄올(methanol), 톨루엔(toluene), 크실렌(xylene), 아세톤(acetone) 및 에틸렌디아민(ethylendiamine) 중의 하나 이상으로 되는 것을 특징으로 하는 Cu(In,Ga)Se2 분말의 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 솔벤트의 량은 상기 제1원료분말의 량 대비 1~50wt%인 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 Cu(In,Ga)Se2 분말의 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 밀링에는 쉐이커 밀(shaker mill), 유성밀(planetary mill) 및 어트리션밀(attrition mill) 중의 하나 이상이 사용되는 것을 특징으로 하는 Cu(In,Ga)Se2 분말의 제조방법
7 7
제1항에 있어서,상기 밀봉용기에는 불활성 기체가 더 장입되는 것을 특징으로 하는 Cu(In,Ga)Se2 분말의 제조방법
8 8
제7항에 있어서,상기 불활성 기체는 He, Ar 및 N2 중의 하나 이상인 것을 특징으로 하는 Cu(In,Ga)Se2 분말의 제조방법
9 9
제1항에 있어서,상기 Cu 소스 분말은 Cu, CuF2, CuI, CuS, CuSe, CuTe Cu2S, Cu2Se 및 Cu2Te로 이루어진 군 중에서 선택된 하나 이상의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 Cu(In,Ga)Se2 분말의 제조방법
10 10
제1항에 있어서,상기 In 소스 분말은 In, InCl3, InN, InP, InSb, In2Se3 및 In2Te3로 이루어진 군 중에서 선택된 하나 이상의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 Cu(In,Ga)Se2 분말의 제조방법
11 11
제1항에 있어서,상기 Se 소스는 Se 소스 분말은 Se 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 Cu(In,Ga)Se2 분말의 제조방법
12 12
제1항에 있어서,상기 제1합성단계 및 제2합성단계는 각각 Cu(In,Ga)Se2 분말을 합성한 후 건조하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 Cu(In,Ga)Se2 분말의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.